Институт радиотехники и электроники РАН. 1. Вольтамперная характеристика p-n – перехода при туннельном эффекте.
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ К ЭКЗАМЕНУ ПО КУРСУ «ЭЛЕКТРОНИКА»
Examination card 9
1. Вольтамперная характеристика p-n – перехода при туннельном эффекте. 2. Статические характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой (общим эмиттером). 3. В какой пропорции изменяются параметры и режимы работы МДП транзисторов в ИМС при их масштабировании. 4. Распределение электрического и магнитного полей в тороидальном резонаторе. 5. Методы создания инверсии населенностей энергетических уровней. 6. Основные виды оптронов и области их применения.
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) ФАКУЛЬТЕТ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ ЛЕТАТЕЛЬНЫХ АППАРАТОВ КАФЕДРА 405 Преподаватель – профессор К. П. Кирдяшев,
|
