В результате, по окончанию процесса проектирования были получены следующие значения некоторых конструктивных параметров МЭУ (табл. 1):
табл. 1
Ширина посадочного места B1.........................
| 3,3 мм
| Длина посадочного места L1..........................
| 3,3 мм
| Максимальное количествово контактных площадок под выводы Mkb......................................
|
| Количество задействованны выводов кристалла Mк......
|
| Количество кристаллов Nк............................
|
| Количество рядов кристаллов my......................
|
| Количество столбцов кристаллов mx...................
|
| Количество проводников в 1ом слое M1................
|
| Количество проводников в 2ом слое M2................
|
| Число вертикальных линий, на которых группируются проводники 1го слоя M1л.....
|
| Число горизонтальных линий, на которых группируются проводники 1го слоя M2л.....
|
| Минимальный шаг установки по горизонтали Hгмин......
| 3,6 мм
| Минимальный шаг установки по вертикали Hвмин........
| 3,6 мм
| Минимальная ширина платы Bмин.......................
| 13,2 мм
| Минимальная длина платы Lмин........................
| 16,8 мм
| Количество задействованных выводов МЭУ Mmc..........
|
| Корпус..............................................
| 155.15-1
| |
Приведем эскизы посадочного места кристалла (рис. 2), платы с указанием посадочных мест кристаллов до выбора корпуса (рис 3.1) и после уточнения шагов установки в соответствии с выбранным корпусом (рис 3.2), корпуса МЭУ (рис. 4).
рис. 2
рис. 3.1
рис. 3.2
рис. 4
Выбранный в процессе проектирования корпус 155.15-1 используется в ИМС 25АП10 (см. рис.4), поэтому был приложен соответствующий эскиз.
Выводы
В данной работе было спроектировано посадочное место навесного элемента, определено число рядов и столбцов посадочных мест, минимальных шагов установки кристаллов. Также был выбран вид расположения выводов микросборки и тип корпуса МЭУ.
Список литературы
1. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ по курсу: «Основы проектирования ЭС», 2007 г.
2. Конспект лекций.