Студопедия — Характер распределения испаряемого вещества в пространстве
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Характер распределения испаряемого вещества в пространстве






 

Характер распределения испаряемого вещества в пространстве над испа­рителем определяется двумя основными параметрами: рабочим давлением в ва­куумной камере и плотностью потока испаряемых ато­мов и молекул.

Если давление в вакуум­ной камере порядка 10-3 - 10-4 Па и менее, молекулы и атомы испаряемого вещества достигают поверхности подложки без столкновений между со­бой и с молекулами остаточ­ных газов. В этом случае говорят, что реализуется молекулярный режим испа­рения и конденсации, для кото­рого справедливы законы Ламберта - Кнудсена:

- распределение в пространстве потока вещества, испаренного с плоской поверхности, пропорционально ( -угол между нап­равлением распро­странения паров и нормалью к поверхности);

- число частиц, попадающих на поверхность подложки, обратно пропор­ционально квадрату расстояния между испарителем и подлож­кой.

В соответствии с законом Ламберта - Кнудсена испарение ве­щества проис­ходит неравномерно во всех направлениях, а преиму­щественно в направлениях, близких к нормали к испаряемой поверх­ности, где имеет максимальную величину.

Количество вещества, которое осаждается на противолежащую по­верх­ность, зависит также от положения этой поверхности относитель­но испарителя. Как видно из рис. 2.1, количество вещества, испа­ренного в пределах про­странственного угла , осаждается на площади, величина которой возрастает с увеличением как расстояния до испарителя, так и угла падения. Площадь эле­мента подложки для данных , r и θ определяется по формуле

. (2.2)

Следовательно, масса вещества, осажденного на единицу площади опреде­ляется как

, (2.3)

где Ме - количество испаренного вещества.

 

    Рис.2.1. Испарение из испарителя с малой площадью dAe на элемент поверх­ности подложки dAr  

При испарении материала точечным испарителем скорость испарения по массе не зависит от направления. Для элемента подложки dAr, заключенного внутри пространственного угла , зависимость dAr от расстояния до испарителя и направления испарения является такой же, как и для испарителя с малой поверхностью, т.е. dAr=r2·dω/cosθ (рис.2.2). Тогда количество массы вещества, осажденного от точечного испарителя, можно представить в виде

. (2.4)

 

Для получения от точечного испарителя пленки однородной толщины необходимо испаритель помещать в центр подложки в виде сферы, так чтобы cosθ=1 и r = const.

Большую роль в формировании молекулярных пучков играют отражатели и диафрагмы. Отражающая поверхность, нагретая до температуры, близкой к температуре испарителя, становится вторичным испарителем, так как независимо от угла падения отражает молекулы по закону косинуса. Придание отражающей поверхности соответствующей формы позволяет увеличить интенсивность потока в полезном направлении.

Диафрагмы дают возможность «вырезать» из общего потока пучок нужного сечения и направленности и избежать бесполезного распыления вещества.

    Рис.2.2. Испарение из точечного испарителя площадью dAe на элемент по­верхности подложки dAr  

 







Дата добавления: 2015-10-02; просмотров: 2309. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...

Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...

Логические цифровые микросхемы Более сложные элементы цифровой схемотехники (триггеры, мультиплексоры, декодеры и т.д.) не имеют...

Типовые примеры и методы их решения. Пример 2.5.1. На вклад начисляются сложные проценты: а) ежегодно; б) ежеквартально; в) ежемесячно Пример 2.5.1. На вклад начисляются сложные проценты: а) ежегодно; б) ежеквартально; в) ежемесячно. Какова должна быть годовая номинальная процентная ставка...

Выработка навыка зеркального письма (динамический стереотип) Цель работы: Проследить особенности образования любого навыка (динамического стереотипа) на примере выработки навыка зеркального письма...

Словарная работа в детском саду Словарная работа в детском саду — это планомерное расширение активного словаря детей за счет незнакомых или трудных слов, которое идет одновременно с ознакомлением с окружающей действительностью, воспитанием правильного отношения к окружающему...

Шов первичный, первично отсроченный, вторичный (показания) В зависимости от времени и условий наложения выделяют швы: 1) первичные...

Предпосылки, условия и движущие силы психического развития Предпосылки –это факторы. Факторы психического развития –это ведущие детерминанты развития чел. К ним относят: среду...

Анализ микросреды предприятия Анализ микросреды направлен на анализ состояния тех со­ставляющих внешней среды, с которыми предприятие нахо­дится в непосредственном взаимодействии...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.012 сек.) русская версия | украинская версия