Формирование фронта переключения транзистора
Частотные свойства транзистора, включенного по схеме ОЭ, в активном режиме определяются в основном инерционностью процесса распространения подвижных носителей в базе и влиянием барьерной емкости коллекторного перехода в результате взаимодействия ее с сопротивлением в коллекторной цепи транзистора [2]. Инерционность процесса распространения подвижных носителей в базе при расчетах может быть учтена двумя способами: введением диффузионной емкости эмиттерного перехода или частотно-зависимого коэффициента передачи по току При инженерных расчетах зависимость коэффициента передачи по току аппроксимируется функцией однополюсника (рис. 1.5).
Переходя от частотной зависимости
С учетом (3) ток коллектора на этапе формирования фронта можно записать
где
Полагая, что
Выражение (5) определяет время фронта с учетом инерционности подвижных носителей, однако в большей степени на величину времени фронта влияют параметры внешних цепей.
|
.
,
.
– частота среза – частота, при которой 
уменьшается в 
раз.
– частота среза – частота, при которой 
уменьшается в 
– частота, на которой коэффициент усиления 
к временной, можно записать
.
,
, 
.
, 
, 
, то с учетом (1) можно записать
.
