Порядок выполнения работы. 2.1.Обеспечить ключевой режим работы схемы, изображенной на рис2.1.Обеспечить ключевой режим работы схемы, изображенной на рис. 1.8. Для этого рассчитать величины сопротивлений
– VT – КТ201А, – E к= 5 В; – – I кн = 5 мА; – S = 3; – Е г = 2 В; f г = 50 кГц.
Результаты расчета согласовать с преподавателем. Ø Собрать схему согласно рис. 1.8, используя расчетные данные. Ø Зарисовать эпюры напряжений в точках а и b с относительным их расположением, а также эпюры напряжений, отражающие Ø Измерить параметры Ø При оформлении отчета рассчитать параметры
Рис. 1.8 2.2.Экспериментально определить минимальное значение входного сигнала E Г1, при котором транзистор находится на границе режима насыщения. В качестве критерия определения использовать напряжение Ø Измерить параметры Ø Зарисовать эпюры напряжений в точках а и b с относительным их расположением, а также эпюры напряжений, отражающие Ø Рассчитать значения токов
Ø Рассчитать коэффициент усиления
2.3.Установить величину напряжения генератора, соответствующую
Ø Провести измерения согласно п.п. 2.1. Ø Результаты измерений занести в таблицу. 2.4.Собрать схему, изображенную на рис. 1.9, со значениями параметров элементов, рассчитанных в п. 2.1 и дополнительным резистором
Рис. 1.9 Ø Рассчитать амплитуду сигнала генератора по соотношению
При проведении эксперимента установить амплитуду сигнала генератора согласно полученному в расчете, а частоту сигнала E Г2, – равную 50 кГц. Ø Измерить параметры 2.5.Собрать схему, изображенную на рис. 1.10, со значениями
Рис. 1.10 Ø Измерить параметры Ø Зарисовать эпюры напряжений в точках а и b с относительным их расположением, а также эпюры напряжений, отражающие 2.6. Собрать схему, изображенную на рис. 1.11, со значениями параметров элементов, соответствующих п. 2.5. Установить частоту EГ, равную 50 кГц. Ø Измерить параметры
Рис. 1.11 Ø Зарисовать эпюры напряжений в точках а и b с относительным их расположением, а также эпюры напряжений, отражающие Содержание отчета Отчет должен содержать осциллограммы, таблицы, методику расчета элементов схемы и временнх параметров с кратким письменным анализом полученных результатов. На защиту лабораторной работы выносится раздел курса «Ключевой режим работы биполярного транзистора». Контрольные вопросы 1. Как обеспечивается устойчивость запертого состояния транзистора? 2. Условие насыщения транзистора. 3. Признак насыщения транзистора. 4. Как влияет нагрузка на устойчивость насыщенного состояния транзисторного ключа (ТК)? 5. От чего зависит время включения ТК? 6. От чего зависит время выключения ТК? 7. Как можно улучшить качество переходного процесса в ТК? 8. Перечислите способы повышения быстродействия ТК. 9. Какие недостатки имеют ненасыщенные ТК? 10. В чем особенность работы ключа на индуктивную нагрузку? 11. В чем особенность работы ключа на емкостную нагрузку? 12. В чем особенность работы ключа на составном транзисторе? 13. Чем определяется мощность потерь в ключе? Список литературы 1. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники: Учеб. пособие для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Лаборатория базовых знаний, 2001. 2. Преснухин Л. Н., Воробьев Н. В., Шишкевич А. А. Расчет элементов цифровых устройств: Учеб. пособие – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Высшая школа, 1991. 3. Алексенко А. Г. Основы микросхемотехники. – 3-е изд., перераб. и доп. – М.: ЮНИМЕДИАСТАЙЛ, 2002. 4. Гольденберг Л. М. Импульсные устройства: Учебник для вузов. – М.: Радио и связь, 1981.
Лабораторная работа № 2 ИССЛЕДОВАНИЕ ДИОДНО-ТРАНЗИСТОРНЫХ Цель работы. Изучение свойств ДТЛ и ТТЛ. Изучение передаточной характеристики инвертора ДТЛ и ТТЛ, определение помехоустойчивости по логической единице, помехоустойчивости по логическому нулю, изучение нагрузочной способности, динамики ДТЛ и ТТЛ.
|
, 
при следующих данных:
, 
= 10 МГц, С к = 20 пФ, С э = 5 пФ;
;
и 
.
, 
, 
. Для этого использовать измеренные значения 
, 
, по которым вычислить 
.
и 
по следующим соотношениям:
;
.
по выражению
.
, для этого воспользоваться соотношением
.
.
. (10)
