Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Способы включения и принцип работы усилителя на БТ




При использовании транзистора, имеющего три электрода, один из электродов оказывается общим для входной и выходной цепей. Все напряжения в схеме измеряются относительно общего электрода. Различают три схемы включения транзистора: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК). Эти схемы пока­заны соответственно на рис. 4.5,а, б и в.

 

В каждой схеме включения транзистор может характеризоваться четырьмя семействами ВАХ: входных, выходных, прямой передачи (проходных), обратной передачи (обратной связи).

В справочниках обычно приводятся усредненные семейства входных, выходных характеристик и реже – характеристик прямой передачи транзисторов, включенных по схеме с ОЭ и ОБ.

Для расчета большинства транзисторных схем достаточно иметь входные и выходные характеристики транзистора. Однако иногда используется еще и

характеристика прямой передачи, которая для схемы с ОЭ отражает зависимость

Ik = ƒ(Uбэ)׀uкэ=const (рис. 2.3) .

Рассмотрим работу n-p-n транзистора, включенного по схеме с ОЭ (рис.2.8).

Во всех схемах можно n-p-n транзисторы заменить на p-n-p транзисторы, поменяв одновременно полярность питающих напряжений и электролитических конденсаторов.

Параметром, который можно положить в основу рассмотрения, является напряжение база-эмиттер в рабочей точке Uбэа, составляющее для кремниевых транзисторов примерно 0,6В. (для германиевых - примерно 0,2В).

 

Для анализа схемы создадим генератором такое напряжение Uд, чтобы на входе напряжение Uвх »0,6 В, а ток коллектора был порядка нескольких миллиампер.

Если входное напряжение повысить на небольшую величину DUвх, то коллекторный ток увеличится (рис.2.3 и 2.4). Поскольку выходные характеристики проходят почти горизонтально, можно сделать допущение о том, что ток Iк зависит только от Uбэ , но не зависит от Uкэ. Тогда увеличение Iк составит:

DIк » S DUбэ = S DUвх .

Так как коллекторный ток источника напряжения Uкк протекает через сопротивление Rк, то падение напряжения на Rк тоже повысится, и выходное напряжение Uвых изменится на величину:

DUвых = –DIк Rк » –S Rк DUвх .

Таким образом, схема обеспечивает коэффициент усиления по напряжению

А=DUвых/DUвх » –SRk = –IkRkг ,

который пропорционален падению напряжения на коллекторном сопротивлении Rk.

Усилительные свойства транзисторов широко используют в полупроводниковой схемотехнике для построения источников тока, дифференциальных усилителей т.п.

Контрольные вопросы

 

1. Как устроен биполярный транзистор?

2. Объясните принцип действия транзистора n-p-n -типа.

3. Нарисуйте и объясните ход ВАХ транзистора, включенного по схеме с ОЭ.

4. Назовите дифференциальные параметры транзистора.


Поможем в написании учебной работы
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой





Дата добавления: 2015-10-12; просмотров: 520. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2022 год . (0.019 сек.) русская версия | украинская версия
Поможем в написании
> Курсовые, контрольные, дипломные и другие работы со скидкой до 25%
3 569 лучших специалисов, готовы оказать помощь 24/7