1. Метаданные теста. 2
2. Параметры секций. 3
3. Вопросы типа «Выбор». 3
4. Вопросы типа «Упорядочение». 3
5. Вопросы типа «Соответствие». 3
6. Вопросы типа «Поле ввода». 3
1. Метаданные теста
2. Параметры секций.
3. Вопросы типа «Выбор»
| №
| Текст вопроса/варианты ответа
| Дополнительные параметры
|
|
| Что такое электронные приборы?
| Секция:
|
|
| +
| Принцип работы, устройства, которая основан на использовании явлений, возникающих в процессе получения потоков электронов, движение этих потоков, и их преобразования
| Вес вопроса:
|
|
|
| Приборы, которые связаны только электрическим полем
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| Приборы, которые связаны только магнитным полем
|
|
|
|
| Устройства, которых на использовании явлений, возникающих в процессе получения потоков электронов, движение этих потоков, и их преобразования
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В зависимости от свойства среды приборы делятся:
| Секция:
|
|
|
| Электровакуумные, ионные
| Вес вопроса:
|
|
| +
| Электровакуумные, газоразрядные, полупроводниковые
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| Газоразрядные, туннельные, варикапы
|
|
|
|
| Полупроводниковые, туннельные, газоразрядные
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| На электрон находящийся в электрическом поле действует сила
| Секция:
|
|
|
| 
| Вес вопроса:
|
|
|
| 
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| 
|
|
|
|
| 
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Какие элементы относятся к полупроводникам?
| Секция:
|
|
| +
| Германий, кремний, селен, арсенид галлий, антимонид
| Вес вопроса:
|
|
|
| Нет верных ответов
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| Германий, индий, мышьяк, бор
|
|
|
|
| Селен, аурум, бор, индий
|
|
|
|
| Мышьяк, индий, селен, кремний
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Процесс генерацией носителей заряда:
| Секция:
|
|
| +
| Процесс образования пар электрон – дырка
| Вес вопроса:
|
|
|
| Процесс образования пар электрон – электрон
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| Процесс образования свободных пар электрон – дырка
|
|
|
|
| Процесс образования и исчезновения электронов
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Процесс рекомбинацией носителей заряда:
| Секция:
|
|
|
| Процесс образования пар электрон – дырка
| Вес вопроса:
|
|
| +
| Процесс исчезновения свободных пар электронов
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| Процесс явления электронов
|
|
|
|
| Процесс исчезновения протонов
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Вакантное место в валентной зоне называют
| Секция:
|
|
|
| Электроном
| Вес вопроса:
|
|
|
| Протоном
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| Дыркой
|
|
|
|
| Электрическим зарядом
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| При температуре абсолютного нуля и при отсутствии примеси в кристалле что происходит?
| Секция:
|
|
| +
| Все валентные электроны участвуют в межатомных связях и полностью заполняют все энергетические уровни в валентной зоне
| Вес вопроса:
|
|
|
| Все валентные дырки участвуют в межатомных связях и полностью заполняют все энергетические уровни
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| В зоне проводимости остаются электроны
|
|
|
|
| В зоне проводимости остаются дырки
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Что такое донорные примеси?
| Секция:
|
|
| +
| Примесь, способную отдавать электроны
| Вес вопроса:
|
|
|
| Примесь, способную отдавать свой заряд
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| Примесь, которые не разработанные
|
|
|
|
| Примесь, способную отдавать протоны
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Акцепторный примесь:
| Секция:
|
|
| +
| Примесь, введение которой обусловливает образование дырок в валентной зоне
| Вес вопроса:
|
|
|
| Примесь, введение которой обусловливает образование электронов в валентной эоне
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| Примесь, введение которой обусловливает образование электронов в зоне проводимости
|
|
|
|
| Примесь, введение которой обусловливает образование электронов
|
|
|
|
| 5)Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Что такое электронно – дырочный переход?
| Секция:
|
|
|
| Контакт на границе двух соседних областей проводников
| Вес вопроса:
|
|
| +
| Контакт на границе двух соседних областей полупроводников
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| Контакт, который происходит в магнитном поле
|
|
|
|
| Переход между двумя электронами
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Зависимость тока диффузии от прямого напряжения равна:
| Секция:
|
|
| +
| 
| Вес вопроса:
|
|
|
| 
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| 
|
|
|
|
| 
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Зависимость тока диффузии от обратного напряжения равна:
| Секция:
|
|
|
| Нет верных ответов
| Вес вопроса:
|
|
|
|
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| 
|
|
|
|
| 
|
|
|
| +
| 
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Где устанавливается контактная разность потенциалов?
| Секция:
|
|
|
| В p – области
| Вес вопроса:
|
|
|
| В n – области
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| В силу наличия двойного электрического слоя в p – n переходе
|
|
|
|
| В электрическом слое
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Где находится запрещенная зона широкой  :
| Секция:
|
|
|
| Между атомами
| Вес вопроса:
|
|
|
| Между электронами
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| Между валентной и незаполненной зоной проводимости
|
|
|
|
| Между валентной зоной и дыркой
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Если к кристаллу приложить внешнее электрическое поле:
| Секция:
|
|
|
| То движение электронов станет направленным
| Вес вопроса:
|
|
| +
| То движение электронов и дырок станет направленным
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| То движение дырок станет направленным
|
|
|
|
| То движение становится неуправляемым
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Электронно – дырочный переход?
| Секция:
|
|
|
| Нет верных ответов
| Вес вопроса:
|
|
|
| Контакт на границе трех соседних областей, одна обладает электропроводностью n – типа, а другая электропроводностью p – типа
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| Контакт на границе трех соседних областей n – p – n типа
|
|
|
|
| Контакт на границе трех соседних областей n – p – n-r типа
|
|
|
| +
| Контакт на границе двух соседних областей полупроводников, одна из которых обладает электропроводностью n – типа, а другая электропроводностью p- типа
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В p – n переходе ток диффузий:
| Секция:
|
|
|
| 
| Вес вопроса:
|
|
|
| 
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| 
|
|
|
| +
| 
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Выпрямительные диоды большой мощности называют:
| Секция:
|
|
|
| полупроводниковые стабилитроны
| Вес вопроса:
|
|
| +
| силовыми вентилями
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| максимальные мощности
|
|
|
|
| силовыми вентиляторами
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Для повышения допустимого обратного напряжения выпускают:
| Секция:
|
|
|
| Нет верных ответов
| Вес вопроса:
|
|
|
| Высоковольтные стабилитроны, в которых несколько диодов включены последовательно
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| Высоковольтные варикапы, в которых несколько диодов включены последовательно
|
|
|
|
| Высоковольтные тиристоры, в которых несколько диодов включены последовательно
|
|
|
| +
| Высоковольтные столбы, в которых несколько диодов включены последовательно
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Высокочастотные диоды работают:
| Секция:
|
|
|
| Они могут работать как стабилитроны
| Вес вопроса:
|
|
|
| Как выпрямитель переменного тока низкого диапазона частот
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| Как выпрямитель тока среднего (до несколько килогерц и до 1 мегагерц)
|
|
|
| +
| Как выпрямитель переменного тока широкого диапазона частот (до несколько сотен мегагерц и до десятков гигагерц)
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Высокочастотные диоды где применяются?
| Секция:
|
|
|
| В детекторах
| Вес вопроса:
|
|
| +
| В модуляторах, детекторах и других нелинейных преобразователях электрических сигналов
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| Только в детекторах
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
| Только в линейных цепях
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| .Импульсные диоды являются:
| Секция:
|
|
|
| Разновидностью высокочастотных диодов
| Вес вопроса:
|
|
| +
| Разновидностью высокочастотных диодов предназначены для использования в качестве ключевых элементов быстродействующих импульсных схемах
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| В качестве выпрямителя
|
|
|
|
| силовыми вентилями
|
|
|
|
| максимальные мощности
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Импульсные диоды должны обладать:
| Секция:
|
|
|
| максимальным временем переходных процессов при включений и выключений.
| Вес вопроса:
|
|
|
| минимальным временем переходных процессов при включений и выключений.
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| В использование в качестве ключевых элементов в быстродействующих импульсных схемах.
|
|
|
|
| В использование как детектора.
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Стабилитроны предназначены:
| Секция:
|
|
| +
| для стабилизаций уровня постоянного напряжения.
| Вес вопроса:
|
|
|
| для стабилизаций уровня постоянного сопротивления.
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| для стабилизаций уровня постоянного объема.
|
|
|
|
| для стабилизаций уровня постоянного импульса
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| У стабилитрона напряжение на которых в области электрического пробоя:
| Секция:
|
|
|
| слабо зависит от тока
| Вес вопроса:
|
|
| +
| сильно зависит от тока
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| сильно зависит от объема
|
|
|
|
| сильно зависит от сопротивления
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В случае превышения значения Uобр.пр происходит пробой p-nперехода.
| Секция:
|
|
|
| при этом обратный ток резко уменьшает при почти неизменном обратном напряжении
| Вес вопроса:
|
|
|
| при этом обратный ток резко уменьшается
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| при этом обратный ток резко возрастает, при почти неизменном обратном напряжении
|
|
|
|
| при этом обратные напряжение резко уменьшает при почти неизменном обратном токи.
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| При Uобр. > Uобр.пр электрическое поле в p-nпереходе становится столь сильным:
| Секция:
|
|
|
| что в состоянии сообщить носителям заряда энергию, достаточную для ударной ионизации нейтральных атомов
| Вес вопроса:
|
|
| +
| что в состоянии сообщить носителям заряда энергию недостаточную для ударной ионизации нейтральных атомов
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| энергия носителей заряда критической, поэтому нейтральные атомы исчезают
|
|
|
|
| что энергия носителей заряда очень маленькое, поэтому нейтральные атомы
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| У стабилитрона во время ударной ионизаций нейтральных атомов возникают:
| Секция:
|
|
| +
| дополнительные парные заряды, увеличивающие ток через переход, который нарастает лавинообразно (лавинный пробой)
| Вес вопроса:
|
|
|
| дополнительные парные заряды, увеличивающие ток через переход, который нарастает лавинообразно.
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| дополнительные парные заряды, увеличивающие ток через переход, который нарастает тунеллообразно
|
|
|
|
| дополнительные парные заряды, увеличивающие ток через переход, который нарастает электрообразно (электрический пробой)
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Если обратный ток через стабилитрон не превышает некоторого значения Jст. max:
| Секция:
|
|
| +
| то лавинный пробой не приводит к выходу из строя диода и ток в цепи может протекать длительное время.
| Вес вопроса:
|
|
|
| то туннельный пробой не приводит к выходу из строя диода и ток в цепи может протекать длительное время.
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| то электрический пробой не приводит к выходу из строя диода и ток в цепи может протекать длительное время.
|
|
|
|
| то лавинный пробой не приводит к выходу из строя диода
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В качестве исходного материала при изготовлении стабилитронов использует:
| Секция:
|
|
|
| мышьяк
| Вес вопроса:
|
|
|
| индий
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| кремний
|
|
|
|
| арсенида галлий
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Стабилизацию низковольтного напряжения равна:
| Секция:
|
|
| +
| 0,3 – 2,0 В
| Вес вопроса:
|
|
|
| 0,3 – 3,5 В
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| 0,2 – 2,7 В
|
|
|
|
| 0,3 – 1,0 В
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Какие диоды называют стабисторами:
| Секция:
|
|
| +
| которая у кремневых диодов с высокой концентрацией примеси в n –области, почти параллельна оси токов.
| Вес вопроса:
|
|
|
| у кремневых диодов с низкой концентрацией примеси
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| у кремневых диодов, с высокой концентрацией примеси в p –области
|
|
|
|
| с низкой концентрацией примеси в p –области.
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Основными параметрами стабилитронов являются:
| Секция:
|
|
|
| коэффициент стабилизаций.
| Вес вопроса:
|
|
|
| коэффициент стабилизаций, напряжение.
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| напряжение Uст. при указанном номинальном токе Jст.ном, при Jст.min, при Jст.мах, динамическое сопротивление, температурный коэффициент напряжения стабилизаций αст.
|
|
|
|
| напряжение Uст. при указанном номинальном токе Jст.ном, при Jст.мах, при Jст.мах
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Динамическое сопротивление стабилитрона:
| Секция:
|
|
|
| Rg = υ Uст./ υ Jст.
| Вес вопроса:
|
|
| +
| Rg = υ Uст * α / υ Jст.
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| Rg = υ Jст. / υ Uст
|
|
|
|
| Rg = υ Uст / υ Jст
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Температурный коэффициент напряжения стабилизаций:
| Секция:
|
|
|
| специально сконструированные проводниковые диоды, применяемые в качестве конденсаторов.
| Вес вопроса:
|
|
| +
| специально сконструированные полупроводниковые диоды, применяемые в качестве конденсаторов переменной емкости.
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| сконструированные диоды применяемые в качестве колебательного контура
|
|
|
|
| специально сконструированные полупроводниковые диоды.
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В варикапах используется:
| Секция:
|
|
| +
| туннельная емкость
| Вес вопроса:
|
|
|
| электрическая емкость
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| барьерная емкость
|
|
|
|
| диффузионная емкость
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В варикапах толщина p – nперехода:
| Секция:
|
|
|
| d= 
| Вес вопроса:
|
|
|
| d =  
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| D= 
|
|
|
| +
| d= 
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В варикапах барьерная емкость:
| Секция:
|
|
|
| 
| Вес вопроса:
|
|
|
|  
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| 
|
|
|
|
| 
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В варикапах барьерная емкость:
| Секция:
|
|
| +
|
| Вес вопроса:
|
|
|
|
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Туннельные диоды представляют собой полупроводниковые диоды:
| Секция:
|
|
|
| на основе низколегированного полупроводникового материала.
| Вес вопроса:
|
|
|
| изготовляемые на основе высоколегированного полупроводникового материала, вольт – амперные характеристики имеет положительной дифференциальной проводимости
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| изготовляемые на основе высоколегированного полупроводникового материала, вольт – амперные характеристики которых имеют при прямом включении участки отрицательной дифференциальной проводимости.
|
|
|
|
| которые вольт – амперные характеристики имеет отрицательной интегральной проводимости.
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Стандартные графические обозначения полупроводниковых диодов.      
а) б) в) г) д) ж)
| Секция:
|
|
|
| а) стабилитрон вторичний
б)стабилитрон односторонний, в)обращенный диод, г)туннельный диод, д)выпрямительный диод, ж)варикап.
| Вес вопроса:
|
|
|
| а)стабилитрон односторонний, б) варикап в) туннельный диод, г)выпрямительный, д) варикап, ж) стабилитрон двухсторонний,
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| а) варикап, б) стабилитрон двухсторонний, в) стабилитрон односторонний, г) обращенный диод, д) туннельный, ж) выпрямительный.
|
|
|
|
| а) выпрямительный, б) туннельный, в) обращенный, г) стабилитрон односторонний, д) стабилитрон двухсторонний, ж) варикап.
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Биполярный транзистор является:
| Секция:
|
|
|
| Нет верных ответов
| Вес вопроса:
|
|
| +
| усиление мощности электрических сигналов, представляет собой полупроводниковый прибор с тремя чередующихся слоями разной электропроводности.
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| усиление мощности электрических сигналов, представляет собой полупроводниковый прибор с четырьмя чередующимися слоями.
|
|
|
|
| усиление мощности электрических сигналов, с двумя чередующимися слоями
|
|
|
|
| усиление мощности электрических сигналов.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В зависимости от механизма электропроводности внешних слоев различают транзисторы делятся:
| Секция:
|
|
| +
| p – n – nтипа, n – n – pтипа
| Вес вопроса:
|
|
|
| p – n – p, n – p – nтипа
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| n – p – n, n – n – pтипа
|
|
|
|
| p – p – n, p – n – rтипа
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В транзисторе внешний слой монокристалла, предназначенный для инжектирования (внедрения) носителей заряда в базу называют:
| Секция:
|
|
|
| запрещенной зоной
| Вес вопроса:
|
|
|
| эмиттером
| Перемешивать ответы:
| +
|
|
| экстракцией
|
|
|
| +
| коллектором
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| База является:
| Секция:
|
|
|
| областью, управляющей током через коллектор
| Вес вопроса:
|
|
|
| областью, управляющей током через эмиттер.
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| областью, управляющей током через транзистор, так как меняя напряжение между базой и эмиттером, можно управлять плотностью тока инжекции и экстракции
|
|
|
|
| областью, управляющей током через p – nперехода.
|
|
|
|
| Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Что такое процесс инвертирование?
| Секция:
|
|
|
| преобразование переменного тока в постоянных требуемых напряжения и частоты
| Вес вопроса:
|
|
|
| об |
