Пример. Рассмотрим работу амплитудного модулятора на биполярном транзисторе (рисунок 5.18).
Рассмотрим работу амплитудного модулятора на биполярном транзисторе (рисунок 5.18).
Рисунок 5.18 – Принципиальная схема амплитудного модулятора на биполярном транзисторе
Здесь генератор Vmod вырабатывает гармонический сигнал частотой 25 кГц соответствующий модулирующему сигналу. Генератор Vnes — несущий синусоидальный сигнал с частотой 250 кГц. Колебательный контур L1-C1 настроен на частоту несущей. Смещение на транзисторе выбрано из условия линейности модуляционной характеристики и учтено в постоянной составляющей напряжения генераторов Vmod и Vnes. Результаты моделирования показаны на рисунке 5.19. На верхнем графике показаны АМ-колебания, на нижнем — несущая и модулирующий сигнал. На рисунке видно, что уровень несущей и модулирующего сигнала близки, поэтому глубина модуляции близка к 100%. Меняя уровень модулирующего сигнала можно изменять глубину модуляции. На рисунке 5.20 показаны результаты расчета спектра амплитудномодулированного сигнала. Видно, что в спектре АМ-сигнала присутствуют две боковые составляющие на частотах 225 кГц и 275 кГц, а также составляющая на частоте несущей 250 кГц.
Рисунок 5.19 – Временные диаграммы работы амплитудного модулятора
Рисунок 5.20 – Спектр АМ сигнала
|
