Емітерно - зв’язана логіка

Технологія ЕЗЛ.

 

Технологія ЕЗЛ є так само, як і технологія ТТЛ, біполярною, тобто елементи будуються з використанням біполярних структур. Основою елементів ЕЗЛ є так називаний «перемикач струму», на основі якого будується базовий елемент цієї технології - АБО- -НІ (див. рис. 11); по виходу1 даної схеми реалізується логічна функція АБО-НІ, а по виходу2 - АБО.

 

Через низький вхідний опір схеми ЕЗЛ мають високу швидкодію і працюють переважно в активному режимі, отже, перешкода, яка попадає на вхід, підсилюється. Для підвищення перешкодостійкості шину колекторного живлення роблять дуже товстої і з" єднують із загальною шиною.

 

Рис. 11. Базовий елемент ЕЗЛ.

 

У порівнянні зі схемами ТТЛ схеми ЕЗЛ мають більш високу швидкодію, але пперешкодостійкість у них набагато нижче. Схеми ЕЗЛ займають велику площу на кристалі, споживають велику потужність у статичному стані, тому що вихідні транзистори відкриті і через них протікає великий струм. Схеми, побудовані за даною технологією не сумісні зі схемами, побудованими по інших технологіях, що використовує джерела позитивної напруги.

 

 

Будь-який цифровий пристрій призначений для виконання тієї чи іншої логічної функції, отже, такий пристрій можна представити у виді елементарних комірок, таких як НІ, І-НІ, АБО-НІ, які приведені нижче в таблиці 1.

Таблиця 1. Основні логічні функції

 

2. РОБОТА ЕЛЕМЕНТА ЕМІТЕРНО-З’ВЯЗАНОЇ ЛОГІКИ

 

Найбільш швидкодіючими логічними ІМС у даний час є елементи емітерно-зв’язаної логіки (ЕЗЛ) і особливо елементи емітерно-зв’язаної логіки з емітерними повторювачами на вході (ЕЕЗЛ). Ці елементи працюють у режимі переключення струму, і в них висока швидкодія забезпечується, насамперед, за рахунок запобігання насичення транзисторів шляхом введення глибокого зворотного зв’язку по струму за допомогою резистора в колі емітера. Цей зворотний зв’язок одночасно сприяє скороченню тривалості перехідних процесів у базі транзисторів. Немаловажну роль грають обмеження меж зміни перепадів напруги і використання емітерних повторювачів для введення і знімання інформації.

 

Найбільш простим елементом на перемикачах струму є елемент ЕЗЛ, схема якого показана на рис. 1. Особливості елементів з об’єднаними емітерами зручно пояснити на прикладі цього елемента.

 

 

Рис. 12. Мікросхема ЕЗЛ

 

Основу розглянутої групи ІМС складає перемикач струму, що являє собою ключовий елемент на транзисторах з об’єднаними емітерами, (на рис. 1 транзистори T1 — Тз і Т). У емітерне коло транзисторів задається струм I0 постійного значення. Сталість струму I0 підтримується або шляхом включення в коло эмиттеров порівняно високоомічного резистора R (рис. 12), або шляхом використання транзисторного джерела струму. Значення струму I0 вибирають так, щоб у нормальному режимі роботи елемента виключалося насичення транзисторів, що утворюють перемикач струму.

 

Керування перемикачем струму здійснюється шляхом подачі сигналів на бази транзисторів T1 — Т3. На базу транзистора T подається фіксований опорний потен ціал Uоп, значення якого вибирають так, щоб транзистор Т був здатний пропускати повністю струм I0 при встановленні на базах вхідних транзисторів низького потенціалу, відповідаючого логічному 0. При подачі високого потенціалу, що відповідає логічній 1, на базу хоча б одного з вхідних транзисторів струм I0 перемикається в емітерне коло відповідного вхідного транзистора. При цьому транзистор Т с фіксованим зсувом замикається. При перемиканні елемента відбувається зміна вихідних потенціалів: потенціал колекторів вхідних транзисторів знижується на, а потенціал колектора транзистора Т, підвищуючи на, досягає рівня напруги джерела живлення Ег.

 

У колі послідовно включених перемикачів струму колекторні потенціали не можна безпосередньо використовувати як вхідні напруги для керування наступними ІМС, тому що вони перевищують рівні відповідних потенціалів на входах. Для нормальної роботи ІМС необхідно зробити зрушення рівня колекторних потенціалів. Для цієї мети найбільше часто використовують емітерні повторювачі, що підключаються до колекторів вхідних транзисторів і транзистора з фіксованим зсувом (рис. 1 повторювачі на транзисторах Т4 і Т5). При цьому зрушення рівня дорівнює перепаду напруги між базою і емітером Uбэ.сд транзистора. Цим перепадом напруги лімітується розмах логічного сигналу.

 

Дійсно, на базу вхідного транзистора в провідному стані подається вхідна напруга, яке відповідає логічній 1, що призводить до відмикання цього транзистора і зниженню потенціалу колекторів вхідних транзисторів. При цьому, щоб відкритий транзистор не насичувався, Необхідно забезпечити виконання умови

 

, що можливо тільки в тому випадку, якщо перепад напруги на колекторі не перевищує напруга зрушення, створена повторювачем, тобто при

 

 

Порушення цієї умови приводить до насичення транзистора, тому що потенціал його колектора виявляється нижче потенціалу бази. Отже, збільшення розмаху логічного сигналу, який визначається перепадом напруги в колекторному колі вхідних транзисторів, припустимо тільки при відповідному збільшенні зсуву рівня Uбэ.сд. Цього можна досягти, наприклад, шляхом вмикання додаткового діода, що зміщає, у емітерні кола транзисторів Т4 і Т5. Емітерні повторювачі (без зсувних діодів) забезпечують зсув рівня, що складає 0, 8 - 0, 9 В. Розмах логічного сигналу, дорівнює цьому значенню, виявляється достатнім для більшості цифрових автоматів, побудованих на елементах ЕЗЛ. При цьому, щоб одержати однаковий розмах логічного сигналу на що інвертуючому і неінвертуючому виходах елемента значення опорів резисторів RKl =RK2 вибираються рівними один одному: RKl =RK2 = RK.

 

Включення повторювачів призводить також до зменшення вихідного опору елемента, що сприяє підвищенню його навантажувальної здатності і швидкодії. Таким чином, перемикач струму, доповнений емітерними повторювачами, стає логічним елементом, що реалізує операції АБО-НІ і АБО. Сигнал, що відповідають операції АБО-НІ, знімається з виходу повторювача, підключеного до інвертуючої половини елемента (тобто до колекторів вхідних транзисторів), а сигнал, що відповідає операції АБО, — з виходу повторювача, зв’язаного з транзистором Т (рис. 12).

 

Елементи на перемикачах струму виготовляються у вигляді напівпровідникових чи сполучених ІМС. Так як в цих ІМС транзистори працюють без насичення, то шляхом підключення підкладки та ізолюючих шарів к точкам відповідно з найменшим і найбільшим потенціалами можна замкнути паразитні транзистори, вимкнувши тим самим їх активну дію. Тому в ІМС на перемикачах струму виявляється тільки ємнісний вплив підкладки.