1.
; 

Эти характеристики сходны с входными характеристиками в схеме с общей базой. Но ток
< <
и его приращение на единицу
значительно меньше, поэтому масштаб по оси токов выбирают много крупнее, чем масштаб в схеме с общей базой. При
=0
=0, а
= 
С увеличением
при
ток
уменьшается, т.к. уменьшается ширина базы, а значит, уменьшается вероятность рекомбинации (дырок) неосновных носителей в базе.
2. выходные характеристики
; 

Выходные характеристики отличаются от характеристик в схеме с общей базой начальным участком при малых
. Из семейства характеристик и схемы включения БТ с ОЭ видно, что на Б и К подается отрицательное относительно Э напряжение. Чтобы коллекторный переход был закрыт (активный режим) необходимо чтобы потенциал коллектора был отрицательнее потенциала базы
>
. Активному режиму будет соответствовать та часть выходной характеристики, которая находится в области, где выполняется это неравенство.
При
<
коллекторный переход открыт, транзистор в режиме насыщения и из коллектора идет диффузионный поток дырок, который компенсирует поток дырок, идущий из эмиттера в коллектор через базу.
Ток
быстро падает при уменьшении
. В активном режиме в зависимости
имеется больший наклон к оси абсцисс, чем в схеме с ОБ. Это объясняется тем, что для поддержания
требуется большее изменение
, чем для сохранения
в схеме с ОБ. В данной схеме при
=0 возникает ток
, который больше тока
. Объясняется это тем, что через коллекторный переход при
протекает не только тепловой ток К, но и электронная составляющая тока Э. Ток коллектора равен
только при отрицательном
.
Неравное расстояние между соседними кривыми при равном приращении
объясняется увеличением вероятности рекомбинации неосновных носителей в Б с возрастанием уровня инжекции из Э.
При больших отрицательных
в коллекторном переходе развивается пробой, причем допустимое значение
в 2-3 раза меньше допустимого
. В случае высокой удельной проводимости Б возникает лавинный пробой, но если низкое значение удельной проводимости возникает прокол(области ЗС эмиттерного и коллекторного переходов перекрывается, ток коллектора увеличивается)
3. Характеристики передачи тока
; 
Характеристики передачи тока в схеме с ОЭ составляют с осью абсцисс значительно меньший угол, т.к. масштаб по оси
значительно больше, чем с ОБ (
). Отклонение характеристики от прямолинейного закона при увеличении
объясняется уменьшении времени жизни неосновных носителей при росте уровня инжекции. Смещение характеристик в зависимости от напряжения
и это является следствием уменьшения ширины базы и увеличения 
4. Характеристики обратной связи
; 

Эти характеристики отличаются от аналогичной схемы углом наклона из-за уменьшения
при увеличении
за счет уменьшения ширины базы в отличии от характерного роста
при возрастании
в схеме с общей базой.