Т-образная схема замещения транзистора при включении с общей базой

В электронных схемах на электроды транзистора подают постоянные питающие напряжения, задавая таким образом положение рабочей точки на его ВАХ. Если при этом на усилительный элемент поступает еще и переменное напряжение - входной сигнал, то по отношению к этому сигналу он ведет себя как активный четырехполюсник. При малых амплитудах сигнала этот четырехполюсник можно считать линейным и представить одной из линейных эквивалентных схем. Все параметры рассматриваемых эквивалентных схем - дифференциальные, т.е. определены для приращений токов и напряжений. Обычно такие схемы называют малосигнальными схемами замещения усилительных элементов, подчеркивая этим, что они справедливы только для режима малого сигнала.

Исходя из принципа работы биполярного транзистора, можно построить физические эквивалентные схемы замещения. На рис. 3.4 показана эквивалентная Т-образная схема биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой (ОБ). В схеме имеются две базовые точки: точка Б, соответствующая внешнему выводу базы, и воображаемая точка Б₁, находящаяся внутри объемной области базы. Положительное направление тока эмиттера выбрано произвольно, поскольку знак приращения i _Э=D I _Э (приращения токов и напряжений обозначены строчными буквами) может быть любым.

Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода:

, (3.6)

где - постоянная составляющая тока эмиттера, мА;

- температурный потенциал, при комнатной температуре примерно равный 26 мВ.

Другие параметры представленной схемы имеют следующий физический смысл:

r _Б – омическое сопротивление области базы (30…70 Ом для транзисторов малой и средней мощности, 5…30 Ом для транзисторов повышенной и высокой мощности);

= (1-3) МОм – дифференциальное сопротивление коллекторного перехода;

С _Э - емкость эмиттерного перехода;

С _К - емкость коллекторного перехода.