Н-параметры транзистора и их связь с параметрами физической эквивалентной схемы
При любой схеме включения транзистор может быть представлен в виде активного четырехполюсника (рис. 3.6, а), на входе которого действует напряжение u 1и протекает ток i 1, а на выходе - напряжение u 2 и ток i 2. Для транзисторов чаще всего используются h -параметры. Система уравнений, показывающая связь напряжений и токов с h -параметрами, имеет вид:
Физический смысл соответствующих коэффициентов следующий: h 11 - входное сопротивление при коротком замыкании на выходе; h 12 - коэффициент ОС по напряжению при холостом ходе на входе; h 21 - коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе;
Как и при анализе физических эквивалентных схем, схемы замещения с активным четырехполюсником справедливы только для малых приращений токов и напряжений. Роль малых приращений могут играть малые гармонические токи и напряжения. Для переменных токов и напряжений все входные и выходные величины, а следовательно, и h -параметры - величины комплексные, зависящие от частоты. Представление транзистора в виде активного четырехполюсника справедливо для любой схемы включения. Для схемы с ОБ h -параметрам приписывают индекс Б: h 11Б, h 12Б, h 21Б и h 22Б. Для схемы с ОЭ h -параметры обозначаются через h 11Э, h 12Э, h 21Э и h 22Э. Значения одноименных h -параметров для различных схем включения различаются. Из сравнения физических эквивалентных схем и эквивалентных схем транзистора в h -параметрах можно найти соотношения для расчета h -параметров через параметры физических эквивалентных схем:
В практике приближенных расчетов часто пользуются упрощенными эквивалентными схемами, не учитывающими внутреннюю обратную связь по напряжению, полагая На высоких частотах учитывается зависимость от частоты коэффициентов передачи по току aи b:
где
|