Цепь смещения с эмиттерной стабилизацией рабочей точки транзистора
Для повышения температурной стабильности рабочей точки при питании от одного источника в схеме рис. 5.3, а введена ООС по постоянному току за счет резистора R Э. Потенциал базы зафиксирован с помощью делителя R 1, R 2. Рост тока коллектора при увеличении температуры ведет к увеличению падения напряжения на резисторе R Э и уменьшению напряжения на эмиттерном переходе транзистора, компенсируя первоначальную нестабильность.
Преобразуем схему по теореме об эквивалентном генераторе к виду, показанному на рис. 5.3, б, где Ток базы можно записать в виде соотношения
которое после преобразований приводится к виду
Соотношение, связывающее приращения токов базы и коллектора:
Температурное изменение тока коллектора транзистора с учетом соотношений (5.3) и (5.4) можно записать в виде
Отсюда можно получить выражение для оценки коэффициента температурной нестабильности
Ток делителя обычно выбирают на порядок больше, чем ток базы транзистора, а падение напряжения на R Эзадают порядка (0, 2 ¸ 0, 3) Е. При этом удается реализовать
|
, 
. (5.4)
(5.5)
