Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Стабилитроны и стабисторы. Это полупроводниковые диоды, принцип работы которых ос­нован на том, что при обратном напряжении на р-п - переходе в области электрического пробоя напряжение





 

Это полупроводниковые диоды, принцип работы которых ос­нован на том, что при обратном напряжении на р-п - переходе в области электрического пробоя напряжение на нем изменяется незначительно при значительном из­менении тока. Стабистор — полупроводниковый диод, напряжение на котором в области прямого напряжения почти не зависит от тока в заданном его диапазоне и который предназначен для стабилизации напряжения. Стабилитроны и стабисторы предназначены для стабили­зации напряжений и используются в параметрических стабилизаторах напряжения в качестве источников опор­ных напряжений, в схемах ограничения перенапряже­ний в силовых цепях и др. Напряжение стабилизации (пробивное напряжение) является рабочим. Оно зависит от свойств полупроводника, из которого изготавливают диод, а также технологии изготовления прибора.

С помощью специальных технологических меропри­ятий можно добиться того, чтобы напряжения пробой отдельных проводящих участков (микроплазм) незначи­тельно отличались друг от друга и от напряжения про боя р-n -перехода. В этом случае на порядки возрастает допустимая мощность при об­ратном токе. Диоды на осно­ве таких переходов получи­ли название лавинных дио­дов.

Рис. 3.1 Форма р-п перехода лавинного диода

1- область диффузии бора; 2- коль­цевая область диффузии алюминия.

 

Лавинные диоды могут работать в условиях кратко­временных перенапряжений, допуская существование об­ратного тока в несколько де­сятков ампер. Энергия при этом рассасывается в диоде, а напряжение равно напряжению лавинообразования.

В конструкции лавинного диода превышение пробив­ного напряжения достигнуто за счет специальной кон­фигурации р-n -перехода (рис. 3.1). В месте выхода на поверхность р-n -переход конструктивно выполнен более глубоким, что достигается диффузией алюминия. Пере­ход в центральной части осуществляется диффузией бора.

Разновидностью лавинного диода является стабили­трон, работающий в режиме электрического пробоя р-п -перехода. При напряжении пробоя ток стабилитро­на резко возрастает, а напряжение остается равным на­пряжению стабилизации. Так же, как и в лавинных ди­одах, в стабилитроне обеспечивается превышение напря­жения пробоя по поверхности над объемным напряжением пробоя. Кремний, применяемый в стабилитронах, дол­жен быть однородным по удельному сопротивлению.

Рис. 3.2 Стабилизация напряжения

a – схема стабилизации напряжения; б – вольт-амперная характеристика стабилитрона.

Простейшая схема стабилизации напряжения приве­дена на рис. 3.2. В соответствии с обратной вольтамперной характеристикой диода — стабилитрона (рис. 3.2 6) и с помощью гасящего резистора RT (рис. 3.3 a), при изменении входного напряжения U вх выходное напряже­ние U вых на нагрузке R н с большой степенью точности поддерживается на заданном уровне при поддержании температуры прибора. В этом случае, если входное на­пряжение возрастает, то увеличивается обратный ток и падение напряжения на гасящем резисторе Rr.

Основными параметрами стабилитронов являются напряжение на стабилитроне (от 3 до 400 В) при макси­мальном токе до 100 мА и допустимая рассеиваемая мощ­ность в стабилитроне, которая достигает единиц ватт.

Альтернативой лавинному диоду является создание специальных ограничителей перенапряжений (ОПН), работающих в цепях защиты. Ограничитель напряже­ния имеет структуру типа р-п-р. При приложении на­пряжения в одном из направлений один из р-n -переходов смещается в обратном направлении и ограничитель напряжения работает как обычный стабилитрон. При перемене полярности приложенного напряжения в рабо­ту вступает другой р-n -переход, и ограничение напряже­ния происходит в обратном направлении. На этом прин­ципе разработаны также ограничители КСОН, допускаю­щие выделение энергии до 10 Дж.

 







Дата добавления: 2014-11-10; просмотров: 1775. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Аальтернативная стоимость. Кривая производственных возможностей В экономике Буридании есть 100 ед. труда с производительностью 4 м ткани или 2 кг мяса...


Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...


Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...


Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Типы конфликтных личностей (Дж. Скотт) Дж. Г. Скотт опирается на типологию Р. М. Брансом, но дополняет её. Они убеждены в своей абсолютной правоте и хотят, чтобы...

Гносеологический оптимизм, скептицизм, агностицизм.разновидности агностицизма Позицию Агностицизм защищает и критический реализм. Один из главных представителей этого направления...

Функциональные обязанности медсестры отделения реанимации · Медсестра отделения реанимации обязана осуществлять лечебно-профилактический и гигиенический уход за пациентами...

Деятельность сестер милосердия общин Красного Креста ярко проявилась в период Тритоны – интервалы, в которых содержится три тона. К тритонам относятся увеличенная кварта (ув.4) и уменьшенная квинта (ум.5). Их можно построить на ступенях натурального и гармонического мажора и минора.  ...

Понятие о синдроме нарушения бронхиальной проходимости и его клинические проявления Синдром нарушения бронхиальной проходимости (бронхообструктивный синдром) – это патологическое состояние...

Опухоли яичников в детском и подростковом возрасте Опухоли яичников занимают первое место в структуре опухолей половой системы у девочек и встречаются в возрасте 10 – 16 лет и в период полового созревания...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2025 год . (0.012 сек.) русская версия | украинская версия