Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Краткая теория. .





Все вещества по своим электрофизическим свойствам могут быть разделены на три больших класса: металлы, диэлектрики и полупроводники. Наиболее проста классификация веществ по их удельному электрическому сопротивлению . У металлов эта величина лежит в пределах , а у диэлектриков . Вещества у которых удельное сопротивление лежит в пределах могут быть отнесены к полупроводникам. Характерной особенность полупроводников является возрастание удельной проводимости с ростом температуры. В широком интервале температур это возрастание происходит по экспоненциальному закону и описывается выражением:

. 6.1

Здесь - постоянная Больцмана, - ширина запрещенной зоны.

Различие в электрических свойствах твердых тел объясняет зонная теория, согласно которой энергетические спектры электронов в атоме кристаллов состоят из чередующихся зон разрешенных и запрещенных значений энергии.

Запрещенная зона, область значений энергии, которую не могут иметь электроны в идеальном кристалле. У полупроводников и диэлектриков под запрещенной зоной обычно понимают область значений энергии между верхним уровнем (потолком валентной зоны) и нижним уровнем (дном) зоны проводимости (рис. 6.1).

При абсолютном нуле температур полупроводник ведет себя как чистый диэлектрик. Это связано с тем, что при 0 К валентная зона полностью заполнена электронами, а зона проводимости пуста. При повышении температуры за счет теплового движения некоторые электроны приобретают энергию, достаточную для перехода в зону проводимости. Таким образом, в зоне проводимости появляются свободные электроны, а валентной зоне дырки. Если теперь к полупроводнику приложить напряжение, то электроны и дырки начнут двигаться в противоположных направлениях и создают в полупроводнике электрический ток.

Сопротивление полупроводника зависит от температуры. Эта зависимость выражается формулой

, 1.6

где А – постоянная величина, зависящая от рода полупроводника и способов его обработки, - ширина запрещенной зоны, - абсолютная температура, - постоянная Больцмана.







Дата добавления: 2014-11-10; просмотров: 530. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...


Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...


ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...


Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...

Понятие о синдроме нарушения бронхиальной проходимости и его клинические проявления Синдром нарушения бронхиальной проходимости (бронхообструктивный синдром) – это патологическое состояние...

Опухоли яичников в детском и подростковом возрасте Опухоли яичников занимают первое место в структуре опухолей половой системы у девочек и встречаются в возрасте 10 – 16 лет и в период полового созревания...

Способы тактических действий при проведении специальных операций Специальные операции проводятся с применением следующих основных тактических способов действий: охрана...

Хронометражно-табличная методика определения суточного расхода энергии студента Цель: познакомиться с хронометражно-табличным методом опреде­ления суточного расхода энергии...

ОЧАГОВЫЕ ТЕНИ В ЛЕГКОМ Очаговыми легочными инфильтратами проявляют себя различные по этиологии заболевания, в основе которых лежит бронхо-нодулярный процесс, который при рентгенологическом исследовании дает очагового характера тень, размерами не более 1 см в диаметре...

Примеры решения типовых задач. Пример 1.Степень диссоциации уксусной кислоты в 0,1 М растворе равна 1,32∙10-2   Пример 1.Степень диссоциации уксусной кислоты в 0,1 М растворе равна 1,32∙10-2. Найдите константу диссоциации кислоты и значение рК. Решение. Подставим данные задачи в уравнение закона разбавления К = a2См/(1 –a) =...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2025 год . (0.014 сек.) русская версия | украинская версия