Втоколебательный режим работы блокинг-генератора

Работа БГ в автоколебательном режиме

Схема и диаграммы, иллюстрирующие работу БГ в автоколебательном режиме, представлены на рис. 3.

В момент времени t₁ напряжение на конденсаторе С спадает до нуля и транзистор начинает отпираться, появится коллекторный ток I_к, а в сердечнике ИТ возрастающий - магнитный поток.

Возрастающий магнитный поток наводит в базовой обмотке W_б ЭДС такой полярности, что транзистор дополнительно открывается, ток I_к увеличивается, следовательно, возрастают магнитный поток и ЭДС, что ведет к большему отпиранию транзистора. Этот процесс протекает лавинообразно, транзистор полностью открывается, напряжение на коллекторе падает почти до нуля (см. рис. 3), ЭДС в базовой обмотке возрастает до максимального значения.

Рис. 3. Работа блокинг-генератора в автоколебательном режиме

Транзистор заходит в область насыщения, и потенциал базы не вызывает изменения коллекторного тока. Транзистор теряет усилительные свойства, формирование переднего фронта заканчивается при t = t₂, длительность переднего фронта Dt = t₂ – t₁.

За промежуток времени Dt разность потенциалов на обкладках конденсатора С практически не изменяется, и только после времени t₂ конденсатор начинает заряжаться через открытый переход эмиттер – база. Ток базы I_б и разность потенциалов эмиттер – база уменьшаются, что ведет к намагничиванию сердечника при неизменном токе коллектора. В это время формируется плоская часть вершины импульса, и уменьшающийся ток базы выводит транзистор из насыщения, у него восстанавливаются усилительные свойства (момент времени t₃). Уменьшение тока базы вызовет уменьшение I_к, следовательно, сердечник начнет размагничиваться, что вызовет изменение знака ЭДС в базовой обмотке, способствующее запиранию транзистора.

После запирания транзистора начинается разряд конденсатора С, в этой стадии напряжение U_б-э определяется напряжением емкости U_с. В некоторый момент времени t₁ U_б-э достигнет нуля и транзистор откроется, начнет формироваться новый импульс.