Втоколебательный режим работы блокинг-генератора
Работа БГ в автоколебательном режиме Схема и диаграммы, иллюстрирующие работу БГ в автоколебательном режиме, представлены на рис. 3. В момент времени t1 напряжение на конденсаторе С спадает до нуля и транзистор начинает отпираться, появится коллекторный ток Iк, а в сердечнике ИТ возрастающий - магнитный поток. Возрастающий магнитный поток наводит в базовой обмотке Wб ЭДС такой полярности, что транзистор дополнительно открывается, ток Iк увеличивается, следовательно, возрастают магнитный поток и ЭДС, что ведет к большему отпиранию транзистора. Этот процесс протекает лавинообразно, транзистор полностью открывается, напряжение на коллекторе падает почти до нуля (см. рис. 3), ЭДС в базовой обмотке возрастает до максимального значения.
Рис. 3. Работа блокинг-генератора в автоколебательном режиме Транзистор заходит в область насыщения, и потенциал базы не вызывает изменения коллекторного тока. Транзистор теряет усилительные свойства, формирование переднего фронта заканчивается при t = t2, длительность переднего фронта Dt = t2 – t1. За промежуток времени Dt разность потенциалов на обкладках конденсатора С практически не изменяется, и только после времени t2 конденсатор начинает заряжаться через открытый переход эмиттер – база. Ток базы Iб и разность потенциалов эмиттер – база уменьшаются, что ведет к намагничиванию сердечника при неизменном токе коллектора. В это время формируется плоская часть вершины импульса, и уменьшающийся ток базы выводит транзистор из насыщения, у него восстанавливаются усилительные свойства (момент времени t3). Уменьшение тока базы вызовет уменьшение Iк, следовательно, сердечник начнет размагничиваться, что вызовет изменение знака ЭДС в базовой обмотке, способствующее запиранию транзистора. После запирания транзистора начинается разряд конденсатора С, в этой стадии напряжение Uб-э определяется напряжением емкости Uс. В некоторый момент времени t1 Uб-э достигнет нуля и транзистор откроется, начнет формироваться новый импульс.
|
