Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Полупроводниковые приборы





Основой полупроводникового вентиля является монокристалл кремния или германия с одной стороны которого вводятся атомы фосфора а с другой бора с различным числом электронов, в следствии чего со стороны фосфора образуется отрицательная область n(-), а со стороны бора положительная Р(+). При взаимодействии двух областей образуется Р-n переход который создает сопротивление R для протекания тока через пластину монокристалла.

При подключении обратного напряжения заряженные частицы уходят к краям пластины увеличивая Р-n переход в результате чего электрический ток через пластину не протекает.

При подключении прямого напряжения свободные заряженные частицы подходят к друг другу максимально уменьшая Р-n переход в пластине, при этом начинается обмен заряженных частиц т.е. через пластину начинает протекать электрический ток.

Диод – это полупроводниковый вентиль пропускающий ток только в одном направлении.

Лавинный диод – это диод который после пробоя и уменьшения обратного напряжения восстанавливает свои свойства полупроводника, т.е. не выходит из строя.

Тиристор – это полупроводниковый вентиль который имеет три Р-n перехода и пропускает электрический ток только в одном направлении, но только после подачи отпирающего электрического импульса на его управляющий электрод

Основные параметры характеризующие вентиль

1. Предельный ток – это максимально допустимое значение тока длительно протекающего через вентиль при максимально допустимой температуре.

2. Прямое падение напряжения – характеризует сопротивление вентиля в прямом направлении от которого зависит распределение тока в параллельно включенных вентилях.

3. Обратное напряжение – это наибольшее мгновенное значение напряжения прикладываемого к вентилю в обратном направлении, а к тиристору и в прямом закрытом направлении.

4. Отпирающий ток управления.

5. Отпирающее напряжение.

6. Время выключения тиристора при максимальной температуре.

Вентили изготовленные из полупроводниковых приборов по конструктивному исполнению делятся на штыревые и таблеточного типа.

В штыревых вентилях анодный или катодный вывод выполнен в виде шпильки (9) для крепления к радиатору. В этих вентилях кремневый элемент (7) помещают в специальный герметичный корпус состоящий из основания (8) со шпилькой и верхней цилиндрической части (6). Кремневый элемент припаивают к основанию от которого осуществляется подача тока к элементу, от верхней части элемента ток отводится через гибкий медный шунт (2) с наконечником (1). Анодная часть от катодной изолируется стеклянным изолятором (5).

 

Для эффективного отвода тепла и во избежание перегрева вентиля, он своим хвостовиком вкручивается в радиатор до плотного соприкосновения поверхностей.

Однако контакт алюминиевого радиатора с медным корпусом вентиля с течением времени может ухудшиться, что приведет к увеличению переходного сопротивления, ухудшению распределения тока, перегрева, что может привести к пробою вентиля. Поэтому между вентилем и радиатором прокладывают токоотводящую медную пластину, которая одновременно является выводом для включения вентиля в силовую цепь.

По конструкции вентиля таблеточного типа проще чем штыревые, что позволяет изготавливать на большую мощность, это сокращает их количество в выпрямительных установках, что повышает надежность последних.

 







Дата добавления: 2015-08-17; просмотров: 1665. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Шрифт зодчего Шрифт зодчего состоит из прописных (заглавных), строчных букв и цифр...


Картограммы и картодиаграммы Картограммы и картодиаграммы применяются для изображения географической характеристики изучаемых явлений...


Практические расчеты на срез и смятие При изучении темы обратите внимание на основные расчетные предпосылки и условности расчета...


Функция спроса населения на данный товар Функция спроса населения на данный товар: Qd=7-Р. Функция предложения: Qs= -5+2Р,где...

Условия приобретения статуса индивидуального предпринимателя. В соответствии с п. 1 ст. 23 ГК РФ гражданин вправе заниматься предпринимательской деятельностью без образования юридического лица с момента государственной регистрации в качестве индивидуального предпринимателя. Каковы же условия такой регистрации и...

Седалищно-прямокишечная ямка Седалищно-прямокишечная (анальная) ямка, fossa ischiorectalis (ischioanalis) – это парное углубление в области промежности, находящееся по бокам от конечного отдела прямой кишки и седалищных бугров, заполненное жировой клетчаткой, сосудами, нервами и...

Основные структурные физиотерапевтические подразделения Физиотерапевтическое подразделение является одним из структурных подразделений лечебно-профилактического учреждения, которое предназначено для оказания физиотерапевтической помощи...

СИНТАКСИЧЕСКАЯ РАБОТА В СИСТЕМЕ РАЗВИТИЯ РЕЧИ УЧАЩИХСЯ В языке различаются уровни — уровень слова (лексический), уровень словосочетания и предложения (синтаксический) и уровень Словосочетание в этом смысле может рассматриваться как переходное звено от лексического уровня к синтаксическому...

Плейотропное действие генов. Примеры. Плейотропное действие генов - это зависимость нескольких признаков от одного гена, то есть множественное действие одного гена...

Методика обучения письму и письменной речи на иностранном языке в средней школе. Различают письмо и письменную речь. Письмо – объект овладения графической и орфографической системами иностранного языка для фиксации языкового и речевого материала...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2025 год . (0.01 сек.) русская версия | украинская версия