ББК 81.2 Англ-9 И 20

1. Грачев М.В. “Суперкадры”. Москва “Дело”, 1993г.

2. Егоров А.П. “Управление персоналом”. Нижний Новгород, 1999г.

3. Пугачев В.П. “Руководство персоналом организацыи”. Москва “Аспект пресса”, 1998г.

4. Травин В.В., Дятлов В.А. “Менеджмент порсонала предприятия”. Москва “Дело”, 1998г.

5. Фальзер “Техніка роботи керівника”. Київ “Вища школа”, 1993р.

6. Хміль Ф.І. “Менеджмент”. Київ, 1995р.

7. Щекин Г.В. “Практическая психология менеджмента”. Киев, 1994г.

 

 

Величина проводимости определяется количеством электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. (Число электронов в зоне проводимости равно числу дырок в валентной зоне). Количество электронов в зоне проводимости, в свою очередь, обуславливается произведением числа уровней на вероятность их заполнения. А вероятность заполнения уровней определяется функцией Ферми.

где Е – энергия зоны проводимости

E_f – энергия ферми

k – постоянная Больцмана

k = 8,6171×10^-11 МэВ/град

k = 1,38047×10^-23 Дж/град

Т – абсолютная температура

 

В собственных полупровод-никах (рис. 5) энергия Ферми (E_f) находится в середине запрещённой зоны. Ширина запрещённой зоны и энергия Ферми высчитываются:

 

В составе полупроводника практически всегда присутствует примесь атомов других элементов в разных соотношениях. Такие полупроводники получили название примесных. В зависимости от элемента примеси полупроводников делят на две группы:

- донорного типа (примесью являются элементы III периода системы элементов Менделеева)

- акцепторного типа (примесью являются элементы V периода системы элементов Менделеева)

У атома примеси связь электрона с атомом ослаблена, поэтому внутри запрещённой зоны образуется некоторое количество дополнительных уровней (рис. 5);их число рано количеству атомов примеси. Они расположены или у дна зоны проводимости (полупроводники с примесью донорного или n- типа), или вблизи верхнего края валентной зоны (акцепторного или p- типа полупроводники). При нормальных условиях в зоне проводимости в полупроводниках n- типа нет электронов, электроны примесного атома, который и является источником образования этих дополнительных энергетических уровней, находятся на донорных уровнях. Они переходят при наложении электрического поля в зону проводимости.

Тогда, как в полупроводниках p- типа электроны примеси находятся на дополнительных (акцепторных уровнях). При наложении электрического поля, электроны валентной зоны переходят на дополнительные уровни, и в валентной зоне наблюдается проводимость дырок.

При введении в проводник одновременно донорных и акцепторных примесей характер проводимости (p- или n- тип) будет зависеть от того, какие примеси создают большую концентрацию носителей тока.

ББК 81.2 Англ-9 И 20

Рецензенты: кафедра английской филологии Горьковского педагогического института иностранных языков и доктор филол. наук проф. Л. С. Бархударов