Устройство полевого транзистора

 

Явка с повинной - одна из форм деятельного раскаяния, обстоятельство, смягчающее наказание, обстоятельство, которое заключается в том, что лицо, совершившее преступление, добровольно сообщило об этом органу, имеющему право возбудить уголовное дело, и при этом выразило готовность понести уголовную ответственность за содеянное. В случае совершения впервые преступления небольшой или средней тяжести может рассматриваться как обстоятельство, освобождающее от уголовной ответственности.

Языковый ценз - требование, согласно которому для обладания избирательными правами необходимо знать официальный (государственный) язык (либо один из официальных языков, либо все официальные языки) данного государства.

 

Кафедра персональной электроники

 

 

 

Реферативная работа

по дисциплине «Введение в специальность»

на тему:

 

Полевые транзисторы

Выполнил:

студент 1142 группы

Ренев Александр Дмитриевич

Проверил:

д.т.н. профессор Романов Юрий Иванович

 

 

Дубна 2015

Оглавление

Введение………………………………………………………………..3

Устройство полевого транзистора………………………………….4

Схемы включения полевого транзистора………………………….7

Эквивалентная схема полевого транзистора……………………..8

Параметры полевого транзистора…………………………………..9

Частотные свойства…………………………………………………11

Шумовые свойства…………………………………………………..12

Тепловые параметры………………………………………………....13

Максимально допустимые параметры……………………………15

Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов………16

Список использованной литературы……………………………...18

Введение

 

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.

Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность во много раз больше, чем у электронных ламп. За счёт чего транзисторы нашли широкое применение в микроэлектронике - теле-, видео-, аудио-, радиоаппаратуре и в компьютерах. Они заменяют электронные лампы во многих электрических цепях научной, промышленной и бытовой аппаратуры.

Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами - те же, как и у полупроводниковых диодов - отсутствие накалённого катода, потребляющего значительную мощность и требующего времени для его разогрева. Кроме того транзисторы сами по себе во много раз меньше по массе и размерам, чем электрические лампы, и транзисторы способны работать при более низких напряжениях и более высоких частотах.

Но наряду с положительными качествами, триоды имеют и свои недостатки. Как и полупроводниковые диоды, транзисторы очень чувствительны к повышению температуры, электрическим перегрузкам и сильно проникающим излучениям. Основные материалы из которых изготовляют транзисторы - кремний и германий.

Полевой транзистор схема параметр

Устройство полевого транзистора

 

Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем. В отличие от биполярных работа полевых транзисторов основана на использовании основных носителей заряда в полупроводнике. По конструктивному исполнению и технологии изготовления полевые транзисторы можно разделить на две группы: полевые транзисторы с управляющим р - п - переходом и полевые транзисторы с изолированным затвором.

 

Рис.1. Структура полевого транзистора

 

Полевой транзистор с управляющим р-п - переходом - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала р-п - переходом, смещенным в обратном направлении. Электрод, из которого в канал входят носители заряда, называют истоком; электрод, через который из канала уходят носители заряда, - стоком; электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала, - затвором. При подключении к истоку отрицательного (для п-канала), а к стоку положительного напряжения (рис.1) в канале возникает электрический ток, создаваемый движением электронов от истока к стоку, т.е. основными носителями заряда. В этом заключается существенное отличие полевого транзистора от биполярного. Движение носителей заряда вдоль электронно-дырочного перехода является второй характерной особенностью полевого транзистора.

Электрическое поле, создаваемое между затвором и каналом, изменяет плотность носителей заряда в канале, т.е. величину протекающего тока. Так как управление происходит через обратно смещенный р-п-переход, сопротивление между управляющим электродом и каналом велико, а потребляемая мощность от источника сигнала в цепи затвора мала. Поэтому полевой транзистор может обеспечить усиление электромагнитных колебаний как по мощности, так и по току и напряжению.

 

Рис.2. Структура полевого транзистора с изолированным затвором: а) - с индуцированным каналом; б) - со встроенным каналом.

 

Полевой транзистор с изолированным затвором - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. Полевой транзистор с изолированным затвором состоит из пластины полупроводника (подложки) с относительно высоким удельным сопротивлением, в которой созданы две области с противоположным типом электропроводности (рис.2). На эти области нанесены металлические электроды - исток и сток. Поверхность полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем диэлектрика. На слой диэлектрика нанесен металлический электрод - затвор. Получается структура, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором часто называют МДП - транзисторами или МОП - транзисторами (металл - оксид - полупроводник).

Существуют две разновидности МДП-транзисторов с индуцированным и со встроенным каналами.

В МДП-транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока и, следовательно, заметный ток стока появляются только при определенной полярности и при определенном значении напряжения на затворе относительно истока (отрицательного при р-канале и положительного при п-канале). Это напряжение называют пороговым. Так как появление и рост проводимости индуцированного канала связаны с обогащением его основными носителями заряда, то считают, что канал работает в режиме обогащения.

В МДП - транзисторах со встроенным каналом проводящий канал, изготавливается технологическим путем, образуется при напряжении на затворе равном нулю. Током стока можно управлять, изменяя значение и полярность напряжения между затвором и истоком. При некотором положительном напряжении затвор - исток транзистора с р - каналом или отрицательном напряжении транзистора с n - каналом ток в цепи стока прекращается. Это напряжение называют напряжением отсечки. МДП - транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения канала основными носителями заряда.