Максимально допустимые параметры

 

Максимально допустимые параметры определяют значения конкретных режимов полевых транзисторов, которые не должны превышаться при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность. К максимально допустимым параметрам относятся: максимально допустимое напряжение затвор - исток U_ЗИmax, затвор - сток U_ЗСmax, сток - исток U_СИmax, максимально допустимое напряжение сток - подложка U_СПmax, исток - подложка U_ИПmax, затвор - подложка U _ЗПmax. Максимально допустимый постоянный ток стока I _Сmax максимально допустимый прямой ток затвора I_{З (пр) max,} максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность Р_max.

Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов

 

а б

Рис.7. Вольт-амперные характеристики полевого транзистора со встроенным каналом n - типа: а) - стоковые; б) - стоко-затворные.

 

Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов устанавливают зависимость тока стока I _C от одного из напряжений U_СИ или U_ЗИ при фиксированной величине второго.

Рекомендации по применению полевых транзисторов.

Полевые транзисторы имеют вольт-амперные характеристики, подобные ламповым, и обладают всеми принципиальными преимуществами транзисторов. Это позволяет применять их в схемах, в большинстве случаев использовались электронные лампы, например, в усилителях постоянного тока с высокоомным входом, в истоковых повторителях с особо высокоомным входом, в электрометрических усилителях, различных реле времени, RS - генераторах синусоидальных колебаний низких и инфранизких частот, в генераторах пилообразных колебаний, усилителях низкой частоты, работающих от источников с большим внутренним сопротивлением, в активных RC - фильтрах низких частот. Полевые транзисторы с изолированным затвором используют в высокочастотных усилителях, смесителях, ключевых устройствах.

В рекомендации по использованию транзисторов для случая полевых транзисторов следует внести дополнения:

1. На затвор полевых транзисторов с р-п (отрицательное для транзисторов с р - каналом и положительным для транзистора с п - каналом).

2. Полевые транзисторы с изолированным затвором следует хранить с закороченными выводами. При включении транзисторов в схему должны быть приняты все меры для снятия зарядов статического электричества. Необходимую пайку производить на заземленном металлическом листе, заземлить жало паяльника, а так же руки монтажника при помощи специального металлического браслета. Не следует применять одежду из синтетических тканей. Целесообразно подсоединять полевой транзистор к схеме, предварительно закоротив его выводы.

 

Список использованной литературы

 

1. Терещук Р.М. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства: Справочник радиолюбителя / 4-е издание, стер. - Киев: Наук. Думка 1989. - 800с.

2. Бочаров Л.Н. Полевые транзисторы. - М.: Радио и связь, 1984, - 80 с.

3. Полупроводниковые приборы: транзисторы: Справочник / Н.Н. Горюнова. 1985.904с.

Размещено на Allbest.ru