Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Полевые транзисторы




Доверь свою работу кандидату наук!
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой

Биполярные транзисторы управляются током, вследствие чего они имеют малое входное сопротивление, что в ряде случаев является недостатком, накладывает существенные ограничения на схемотехнические решения. Поэтому были разработаны специальные транзисторы с большим входным сопротивлением — полевые транзисторы.

Термин «полевой» подчеркивает, что управление выходным током в этом полупроводниковом приборе осуществляется электрическим полем. Для того чтобы управлять током в полупроводнике с помощью электрического поля, нужно менять либо площадь проводящего полупроводникового слоя, либо его удельную проводимость.

Рис. 1.4. -Структура полевого транзистора с управляющим p—n- переходом  

 

Существуют две большие группы полевых транзисторов:

- полевые транзисторы с управляющим р—п переходом, в которых изоляция канала от источника управляющего напряжения обеспечивается обратно смещенным р—п переходом;

- полевые транзисторы с МДП структурой (Метал – Диэлектрик - Полупроводник), где изоляция обеспечена диэлектрическими свойствами двуокиси кремния (чаще всего), отделяющего канал от электрода затвора. В свою очередь у МДП транзисторов существуют две разновидности:

- со встроенным (созданным технологически) каналом;

- с индуцированным (созданным внешним полем) каналом.

Работа МДП-транзисторов основана на изменении удельного сопротивления канала. При создании разности потенциалов между объемом полупроводника и изолированным электродом (затвором) у поверхности полупроводника образуется слой с концентрацией носителей - зарядов, отличной от концентрации в остальном объеме полупроводника, - канал, сопротивлением которого можно управлять, изменяя напряжение на затворе.

 

 
 

Рис. 1.5. Структура МДП-транзисторов с индуцированным (а) и встроенным (б) каналом

 







Дата добавления: 2015-08-12; просмотров: 315. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2022 год . (0.015 сек.) русская версия | украинская версия