Условные обозначения полупроводниковых приборов
Раздел I - АНАЛОГОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Полупроводниковые приборы В основе работы большинства полупроводниковых приборов и активных элементов интегральных микросхем лежит использование свойств р-n - переходов, созданных с помощью специальных технологических приемов. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы подразделяются на биполярные и МОП схемы, причем первые - более быстродействующие, а вторые имеют большую степень интеграции, меньшую потребляемую мощность и меньшую стоимость. Условные обозначения полупроводниковых приборов Условные обозначения полупроводниковых приборов состоят из пяти элементов. Первый элемент (буква или цифра) указывает на материал, из которого изготовлен прибор (Г или 1—германий, К или 2—кремний, А или 3—соединения галлия, И или 4—соединения индия). Второй элемент (буква) обозначает подкласс приборов (Д—диод, В—варикап, И — туннельный диод, А—СВЧ диод, С—стабилитрон, Т—биполярный транзистор, П—полевой транзистор). Третий элемент (цифра или буква) определяет параметры или назначение прибора (например, для транзисторов, мощность которых P £ 1Вт, цифра 1 соответствует граничной частоте f £ 30 МГц, цифра 2— f £ 300 МГц, цифра 4— f > 300 МГц, при мощности Р > 1 Вт цифра 7 соответствует f £ 30 МГц, цифра 8— f £ 300 МГц, цифра 9— f > 300 МГц). Четвертый элемент (число от 101 до 999) обозначает порядковый номер разработки. Пятый элемент (буква) определяет классификацию по параметрам.
|
