Классификация и система обозначений биполярных транзисторов

Система обозначений современных типов транзисторов установле­на отраслевым стандартом ОСТ 11336.919–81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент (цифра или бук­ва) обозначает исходный полупро­водниковый материал, на основе ко­торого изготовлен транзистор. Второй элемент (буква) определяет подкласс (или группу) транзисторов. Третий элемент (цифра) – основные функ­циональные возможности транзи­стора, четвертый элемент (число) обозначает порядковый номер разра­ботки технологического типа транзи­стора, пятый элемент (буква) условно определяет классификацию по параметрам метрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.

Для обозначения исходного мате­риала используются следующие сим­волы:

Г или 1–германий или его со­единения;

К или 2–кремний или его со­единения;

А или 3 – соединения галлия (арсенид галлия);

И или 4 – соединения индия.

Для обозначения подклассов используется Т – биполярные и П – полевые транзи­сторы.

Для обозначения наиболее харак­терных эксплуатационных признаков транзисторов применяются следую­щие цифры:

- для транзисторов малой мощно­сти (максимальная мощность, рас­сеиваемая транзистором, не более 0,3 Вт):

1. с граничной частотой коэф­фициента передачи тока или макси­мальной рабочей частотой (далее гра­ничной частотой) не более 3 МГц;

2. с граничной частотой З... 30 МГц;

3. с граничной частотой более 30 МГц.

4. Для транзисторов средней мощ­ности (0,3...1,5 Вт);

5. с граничной частотой не более 3 МГц;

6. с граничной частотой З...30 МГц;

7. с граничной частотой более 30 МГц.

8. Для транзисторов большой мощ­ности (более 1,5 Вт):

9. с граничной частотой не более 3 МГц;

10. с граничной частотой З... 30 МГц;

11. с граничной частотой более 30 МГц.

- для обозначения порядкового но­мера разработки используют дву­значное число от 01 до 99. Если по­рядковый номер разработки превы­шает число 99, то применяется трехзначное число от 101 до 999.

В качестве классификационной литеры применяются буквы русского алфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ, Э).

Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда допол­нительных знаков. В качестве дополнительных эле­ментов обозначения используют сле­дующие символы:

- цифры от 1 до 9–для обозначе­ния модернизаций транзистора, при­водящих к изменению его конструкции.

- буква С–для обозначения набо­ров в общем корпусе (транзисторные сборки);

- цифра, написанная через дефис, для бескорпусных транзисторов:

1. с гибкими выводами без кри­сталлодержателя;

2. с гибкими выводами на кри­сталлодержателе;

3. с жесткими выводами без кристаллодержателя;

4. с жесткими выводами на кри­сталлодержателе;

5. с контактными площадками без кристаллодержателя и без выво­дов;

6. с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выво­дов.

Примеры обозначения приборов:

КТ937А-2 – кремниевый бипо­лярный, большой мощности, высоко­частотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе.

Биполярные транзисторы, разра­ботанные до 1964 г. и выпускаемые по настоящее время имеют систему обозначений, включающую в себя два или три элемента.

Первый элемент обозначения – буква П, характеризующая класс би­полярных транзисторов, или две бук­вы МП – для транзисторов в корпу­се, герметизируемом способом хо­лодной сварки.

Второй элемент – одно-, двух- или трехзначное число, которое оп­ределяет порядковый номер разра­ботки и указывает на подкласс тран­зистора по роду исходного полупро­водникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной частоты:

от 1 до 99 – германиевые мало­мощные низкочастотные транзи­сторы;

от 101 до 199 – кремниевые ма­ломощные низкочастотные транзи­сторы;

от 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзи­сторы;

от 301 до 399 – кремниевые мощ­ные низкочастотные транзисторы;

от 401 до 499 – германиевые вы­сокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;

от 501 до 599 – кремниевые вы­сокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;

от 601 до 699 – германиевые вы­сокочастотные и СВЧ мощные тран­зисторы;

от 701 до 799 – кремниевые вы­сокочастотные и СВЧ мощные тран­зисторы.

Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может отсутст­вовать) – буква, условно определяю­щая классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по еди­ной технологии.

Условные обозначения биполяр­ных транзисторов приведены в таблице 1.1.3.

Таблица 1.1.3.

Наименование	Обозначение
Транзистор типа p – n – p
Транзистор типа n – p – n

 

1.2.4. Классификация и система обозначений полевых транзисторов

Классификация полевых транзисторов такая же, как и биполярных транзисторов, т. е. используется буквенно-цифровой код (см. § 1.2), в ко­тором второй элемент – буква П, оп­ределяющая подкласс. В литературе используется аббревиатура МОП (металл-оксид-полупроводник) или КМОП (комплементарный МОП из двух транзисторов)

Условное обозначение полевых транзисторов представлено в таблице 1.2.4.

Таблица 1.2.4.

Наименование	Обозначение
Транзистор полевой с управляющим переходом и p – каналом (ПТУП p-канал)
Транзистор полевой с управляющим переходом и n– каналом (ПТУП n-канал)
Транзистор полевой с изолированным затвором и каналом обедненного типа (ПТИЗ с индуцированным n –каналом)
Транзистор полевой с изолированным затвором и каналом обедненного типа (ПТИЗ с индуцированным p –каналом)
Транзистор полевой с изолированным затвором и каналом обогащенного типа (ПТИЗ со встроенным n –каналом)
Транзистор полевой с изолированным затвором и каналом обогащенного типа (ПТИЗ со встроенным p –каналом)
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ или IGBT) КП955 и КП810
Статический индукционный транзистор – ПТУП при прямом смещении затвора (СИТ) КП926

 

Примеры обозначения приборов:

КП310А – кремниевый полевой транзи­стор малой мощности, с граничной частотой более 30 МГц, номер раз­работки 10, группа А

2П701Б – кремниевый полевой транзи­стор большой мощности, с гранич­ной частотой не более 30 МГц, номер разработки 1, группа Б.

В табл. 1.21 приведены условные графические обозначения полевых транзисторов. В силовой электронике применяются также биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ).

1.2.5. Классификация и система обозначений тиристоров

Выпускаемые с 1980 г. тиристоры имеют классификацию и систему обозначений, установленные ГОСТ 20859.1–89. Вместе с тем в эксплу­атации находятся тиристоры, систе­ма обозначений которых регламенти­ровалась стандартами (ГОСТ 10862– 72, ГОСТ 14069–72 и др.), которые в настоящее время отменены. В ос­нову обозначений тиристоров поло­жен буквенно-цифровой код.

Буквенно-цифровой код, который был установлен ГОСТ 10862–72, со­стоит из четырех элементов.

Первый элемент (буква или циф­ра) обозначает исходный материал: Г или 1 – германий; К. или 2 – крем­ний; А или 3–арсенид галлия.

Второй элемент (буква) – вид прибора: Н – диодный тиристор (динистор); У – триодный тиристор.

Третий элемент (число) обозна­чает основные функциональные воз­можности прибора и номер разра­ботки:

от 101 до 199–диодные и не запираемые триодные тиристоры ма­лой мощности
(Iос. ср. < 0,3А);

от 201 до 299–диодные и не запираемые триодные тиристоры средней мощности
(0,3А < Iос со < 10А);

от 301 до 399–триодные запи­раемые тиристоры малой мощности (Iос. ср. < 0,3А);

от 401 до 499–триодные запи­раемые тиристоры средней мощно­сти (0,3А < Iос. ср. <; 10А);

от 501 до 599–симметричные не запираемые тиристоры малой мощности (Iос. ср. < 0,3А);

от 601 до 699 – симметричные не запираемые тиристоры средней мощности
(0,3А < Iос. ср. < 10А).

Четвертый элемент (буква) А, Б, В, и т. д. обозначает типономинал прибора.

Буквенно-цифровой код системы в соответствии с ГОСТ 20859.1-89 состоит из следующих элементов:

первый элемент – буква или бук­вы, обозначающие вид прибора: Т – тиристор; ТЛ – лавинный тиристор;

ТС – симметричный тиристор (симистор); ТО – оптотиристор; ТЗ – запираемый тиристор; ТБК – комби­нированно – выключаемый тиристор;

ТД – тиристор-диод;

второй элемент – буква, обозна­чающая подвид тиристора по комму­тационным характеристикам: Ч – высокочастотный (быстро включающийся) тиристор; Б – быстродейст­вующий; И – импульсный;

третий элемент – цифра (от 1 до 9), обозначающая порядковый номер модификации (разработки);

четвертый элемент – цифра (от 1 до 9), обозначающая классификаци­онный размер корпуса прибора (см. ниже):

пятый элемент – цифра (от 0 до 5), обозначающая конструктивное исполнение (см. ниже);

шестой элемент–число, равное значению максимально допустимого среднего тока в открытом состоянии для тиристоров, лавинных тиристо­ров, оптотиристоров, комбинированно выключаемых тиристоров, макси­мально допустимого импульсного то­ка для импульсных тиристоров, максимально допустимого действующего тока для симисторов и импульс­ного запираемого тока для запирае­мых тиристороВ Для тиристоров-диодов шестой элемент состоит из дроби, в числителе которой – значе­ние максимально допустимого сред­него тока в открытом состоянии, а в знаменателе – значение максимально допустимого среднего тока в обратном проводящем состоянии;

седьмой элемент – буква Х для приборов с обратной полярностью (основание корпуса – катод);

восьмой элемент – число, обозна­чающее класс по повторяющемуся импульсному напряжению в закры­том состоянии (сотни вольт);

девятый элемент–группа цифр, обозначающая сочетание классифи­кационных параметров: (duзс\dt)кр для низкочастотных приборов;

(duзс\dt)кр и tвыкл для высокочастот­ных приборов; (duзс\dt)кр, tвкл и tвыкл для быстродействующих приборов;

Для симметричных тиристоров (си­мисторов) и тиристоров-диодов вме­сто (duзс\dt)кр классификационным параметром является (diос\dt)ком.

Пример условных обозначений тиристоров по ГОСТ 20859.1–89:

ТЛ171-320-10-6–тиристор ла­винный первой модификации, размер шестигранника «под ключ» 41 мм, конструктивное исполнение – шты­ревое с гибким катодным выводом, максимально допустимый средний ток в открытом состоянии 320 А, по­вторяющееся импульсное напряже­ние в закрытом состоянии 1000 В (10-й класс), критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 500 В/мкс.

Графическое обозначение тири­сторов приведено в таблице 1.2.5.

Таблица 1.2.5.

Наименование	Обозначение
Диодный тиристор
Диодный тиристор проводящий в обратном направлении
Диодный симметричный тиристор
Триодный тиристор с управлением по аноду
Триодный тиристор с управлением по катоду
Триодный симметричный тиристор
Фототиристор