Типы оперативной памяти

FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM) - динамическая память с быстрым страничным доступом. Позволяет ускорить блочные передачи, когда весь блок данных или его часть находятся внутри одной строки матрицы, называемой в этой системе страницей, и снизить накладные расходы на регенерацию памяти.

EDO (Extended Data Out) – расширенное время удержания данных на выходе. Представляет собой обычную микросхему FPM, на выходе которых установлены регистры-защелки данных. При страничном обмене такие микросхемы удерживают на выходах данных содержимое последней выбранной ячейки, в то время как на их входы уже подаётся адрес следующей выбираемой ячейки. Это позволяет примерно на 15 % по сравнению с FPM ускорить процесс считывания последовательных массивов данных.

BEDO (Burst EDO) - расширенное время удержания данных на выходе с блочным доступом. Работает не одиночными, а пакетными циклами чтения/записи. Современные процессоры, благодаря внутреннему и внешнему кэшированию команд и данных, обмениваются с основной памятью блоками слов максимальной ширины. В случаи памяти BEDO отпадает необходимость постоянной подачи последовательных адресов на входы микросхем с соблюдением требуемых временных задержек. Достаточно перейти к очередному слову отдельным сигналом.

SD RAM (Synchronous DRAM) - синхронная динамическая память. Память с синхронным доступом работает быстрее, чем с асинхронным доступом. Помимо синхронного доступа SD RAMM использует внутреннее разделение массива памяти на два независимых банка, что позволяет совмещать выборку из одного банка с установкой адреса в другом. Поддержка блочного обмена. Преимущество состоит в поддержке последовательного доступа в синхронном режиме (не требуется дополнительных тактов ожиданий).

PB SRAM (Pipelined Burst SRAM) – статическая память с блочным конвейерным доступом. Это разновидность синхронных SRAM с внутренней конвейеризацией за счет чего вдвое повышается скорость обмена данных.