III. Физические процессы в биполярных транзисторах

A. Полупроводниковая электроника

I. Электрофизические свойства полупроводников

1. Энергетическая диаграмма собственного полупроводника с распределением подвижных носителей заряда по энергиям.

2. Определение уровня Ферми, понятие вырожденного полупроводника.

3. Энергетические диаграммы примесных полупроводников n- и p- типов.

4. Составляющие тока в полупроводниках.

II. Физические процессы в p-n – переходах

5. Контактная разность потенциалов в p-n – переходе.

6. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода. Влияние сопротивления базы.

7. Виды пробоя p-n – перехода.

8. Ёмкости p-n – перехода при его прямом и обратном смещении.

9. Вольт-амперная характеристика p-n – перехода при туннельном эффекте.

10. Примеры полупроводниковых диодов (выпрямительные, импульсные, стабилитроны).

11. Структура лавинно-пролетного диода.

12. Определение частот колебаний в различных режимах работы генератора Ганна.

III. Физические процессы в биполярных транзисторах

13. Структура и распределение примесей в биполярном транзисторе.

14. Распределение токов в биполярном транзисторе.

15. Схемы включения биполярных транзисторов.

16. Режимы работы биполярного транзистора.

17. Модель Эберса-Молла биполярного транзистора.

18. Основные физические параметры биполярных транзисторов.

19. Транзистор как линейный четырехполюсник.

20. Статические характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой (общим

эмиттером).

21. Структура интегрального биполярного транзистора с изолирующим p-n - переходом.

22. Эквивалентная схема интегрального биполярного транзистора.

23. Варианты диодного включения биполярных транзисторов.

24. Быстродействие биполярных транзисторов (дискретных и интегральных).