Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ





 

Этот усилитель выполняет две основные функции:

à обеспечивает баланс фаз

à обеспечивает коэффициент усиления ³ 3

 

Рассчитаем элементы, относящиеся к усилительному каскаду на транзисторе VT4.

Усилитель напряжения работает на нагрузку (эмиттерный повторитель), на мост Вина, на ООС.

Uвых.у = Uвх.п2 = (В)

Rн. у = RООС||RвхЦВmin.||Rвхп2 (Ом)

 

1. Определим ток в нагрузке:

(А)

2. Зададимся IKmin4 и UКЭmin4 :

(мА)

(В)

3. Определим IKMAX4

IKmax4 = (2~5) ∙ (2·IH4 + IKmin4) (А)

4. Определим l4:

5. Определим напряжение питания:

Зададимся g4 = 0,05

(В)

Принимаем ЕК = (В)

Пересчитаем g4

6. Определяем значение сопротивления резистора в цепи коллектора транзистора VT4:

(Ом)

Принимаем R16 = (Ом)

7. Определим падение напряжения на резисторе R17 и величину напряжения, до которого зарядится конденсатор С20:

UR17 = EK · g4 (В)

UC20 = ∙Uвых.у. + UКЭmin4 + UR17 (В)

8. Определим покоя транзистора VT4 - IП4:

(мА)

9. Определим напряжение на участке коллектор-эмиттер транзистора VT4 - UКЭ4:

UКЭ4 = EK – (IП4+ IKmin4) ∙ R16 - UR17 (В)

10. Определим допустимую мощность, рассеиваемую на транзисторе VT4:

PКДОП = IП4 · UКЭ4 (Вт)

11. Выбираем транзистор VT4, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:

  Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A βmin Iко, мА
VT4              

 

12. Так как значение Ik0 сильно отличается от IKmin4, то произведем перерасчет с учетом того, что IKmin4= Iko=30 мкА

13. Определим максимальный ток коллектора транзистора VT4 - IKmax4 :

IKmax4 = (2~5) ∙· (2·IH4 + IKmin4) (мА)

14. Определим ток базы транзистора VT4:

(мА)

15. Определим резистор в цепи эмиттера

(Ом) По ряду Е24 принимаем R17= Ом.

16. Определим ток делителя:

IД = (2~5)· IБ4 (мА)

17. Определим значения сопротивлений резисторов делителя базы:

UR16=R16∙() (В)

(Ом)

Принимаем R14= (Ом)

UБЭ4= -R14∙() (В)

(Ом)

Принимаем R15= (Ом)

(А)

18. Определим значение емкости конденсатора в цепи эмиттера:

(Ф)

Принимаем С19 = (мкФ)

19. Определим коэффициент усиления каскада на транзисторе VT4:

,

где значение сопротивления в области базы примем rБ4 = 400 (Ом).

(Ом)

Rк~4 = RH4 || R16 (Ом)

20. Определим входное и выходное сопротивления каскада на транзисторе VT4:

RВХ4= R14 || R15 || (rБ4 + rЭ4· (1+b4)) (Ом)

rК4 = (Ом)

RВЫХ4 = rK4 || R16 (Ом)

21. Определим входное напряжение каскада на транзисторе VT4:

(В)

Рассчитаем элементы, относящиеся к усилительному каскаду на транзисторе VT3.

UВЫХ.У. = Uвх4 (В)

RН.У. = RВХ4= (Ом)

22. Определим ток в нагрузке:

(мА)

23. Зададимся значениями тока и напряжения IKmin3 и UКЭmin3:

(мА)

(В)

24. Определим максимальное значение тока коллектора транзистора VT3 - IKMAX3 :

 

IKmax3 = (2~5) · (2·IH3 + IKmin3) (мА)

25. Определим величину :

 

26. Определяем значение сопротивления резистора в цепи коллектора транзистора VT3:

(Ом)

Принимаем R11 = (Ом)

Определим падение напряжения на разделительном конденсаторе С17:

UC17 = ∙UВЫХ. + UКЭmin3 + UR12 (В)

27. Определим ток покоя транзистора VT3IП3:

(мА)

28. Определим значения напряжения на участке коллектор-эмиттер транзистора VT3:

 

UКЭ3 = EK – (IП3+ IKmin3)· R11 - UR12 (В)

Определим допустимую мощность, рассеиваемую на транзисторе VT3:

 

PКДОП = IП3 · UКЭ3 (Вт)

29. Выбираем транзистор VT3, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:

  Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A βmin Iко, мА
VT3              

 

30. Определим ток базы транзистора VT3:

(мА)

31. Определим значение сопротивления резистора в цепи эмиттера:

(Ом)

По ряду Е24 принимаем R12= (Ом)

32. Определим ток делителя:

IД = (2~5)· Iб3 (мА)

33. Определим значение сопротивлений резисторов делителя базы:

UR11=R11∙() (В)

(Ом)

Принимаем R10= (Ом)

 

UБЭ3= -R10∙() (В)

 

(Ом)

Принимаем R9= (Ом)

(А)

34. Определим значение емкости конденсатора в цепи эмиттера:

(Ф)

Принимаем С16 = (Ф)

35. Определим коэффициент усиления каскада (без ООС) на транзисторе VT3:

где: rБ3 = 400 (Ом)

(Ом)

RK~3 = RH3 || R11 (Ом)

36. Определим входное сопротивление каскада на транзисторе VT3:

RВХ3=R10||R9||(rб3+rэ3 (1+b3)) (Ом)

Определим выходное сопротивление каскада на транзисторе VT3:

rК3 = (Ом)

RВЫХ4 = rK3 || R11 (Ом)

37. Определим общий коэффициент усиления каскадов:

 

K=K3∙K4

 

38. Определим входное напряжение предварительного усилителя:

(В)

 


 







Дата добавления: 2015-09-04; просмотров: 613. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Картограммы и картодиаграммы Картограммы и картодиаграммы применяются для изображения географической характеристики изучаемых явлений...


Практические расчеты на срез и смятие При изучении темы обратите внимание на основные расчетные предпосылки и условности расчета...


Функция спроса населения на данный товар Функция спроса населения на данный товар: Qd=7-Р. Функция предложения: Qs= -5+2Р,где...


Аальтернативная стоимость. Кривая производственных возможностей В экономике Буридании есть 100 ед. труда с производительностью 4 м ткани или 2 кг мяса...

Принципы и методы управления в таможенных органах Под принципами управления понимаются идеи, правила, основные положения и нормы поведения, которыми руководствуются общие, частные и организационно-технологические принципы...

ПРОФЕССИОНАЛЬНОЕ САМОВОСПИТАНИЕ И САМООБРАЗОВАНИЕ ПЕДАГОГА Воспитывать сегодня подрастающее поколение на со­временном уровне требований общества нельзя без по­стоянного обновления и обогащения своего профессио­нального педагогического потенциала...

Эффективность управления. Общие понятия о сущности и критериях эффективности. Эффективность управления – это экономическая категория, отражающая вклад управленческой деятельности в конечный результат работы организации...

Гальванического элемента При контакте двух любых фаз на границе их раздела возникает двойной электрический слой (ДЭС), состоящий из равных по величине, но противоположных по знаку электрических зарядов...

Сущность, виды и функции маркетинга персонала Перснал-маркетинг является новым понятием. В мировой практике маркетинга и управления персоналом он выделился в отдельное направление лишь в начале 90-х гг.XX века...

Разработка товарной и ценовой стратегии фирмы на российском рынке хлебопродуктов В начале 1994 г. английская фирма МОНО совместно с бельгийской ПЮРАТОС приняла решение о начале совместного проекта на российском рынке. Эти фирмы ведут деятельность в сопредельных сферах производства хлебопродуктов. МОНО – крупнейший в Великобритании...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2025 год . (0.013 сек.) русская версия | украинская версия