ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
Этот усилитель выполняет две основные функции: à обеспечивает баланс фаз à обеспечивает коэффициент усиления ³ 3
Рассчитаем элементы, относящиеся к усилительному каскаду на транзисторе VT4. Усилитель напряжения работает на нагрузку (эмиттерный повторитель), на мост Вина, на ООС. Uвых.у = Uвх.п2 = (В) Rн. у = RООС||RвхЦВmin.||Rвхп2 (Ом)
1. Определим ток в нагрузке:
2. Зададимся IKmin4 и UКЭmin4 :
3. Определим IKMAX4 IKmax4 = (2~5) ∙ (2·IH4 + IKmin4) (А) 4. Определим l4: 5. Определим напряжение питания: Зададимся g4 = 0,05
Принимаем ЕК = (В) Пересчитаем g4 6. Определяем значение сопротивления резистора в цепи коллектора транзистора VT4:
Принимаем R16 = (Ом) 7. Определим падение напряжения на резисторе R17 и величину напряжения, до которого зарядится конденсатор С20: UR17 = EK · g4 (В) UC20 = 8. Определим покоя транзистора VT4 - IП4:
9. Определим напряжение на участке коллектор-эмиттер транзистора VT4 - UКЭ4: UКЭ4 = EK – (IП4+ IKmin4) ∙ R16 - UR17 (В) 10. Определим допустимую мощность, рассеиваемую на транзисторе VT4: PКДОП = IП4 · UКЭ4 (Вт) 11. Выбираем транзистор VT4, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:
12. Так как значение Ik0 сильно отличается от IKmin4, то произведем перерасчет с учетом того, что IKmin4= Iko=30 мкА 13. Определим максимальный ток коллектора транзистора VT4 - IKmax4 : IKmax4 = (2~5) ∙· (2·IH4 + IKmin4) (мА) 14. Определим ток базы транзистора VT4:
15. Определим резистор в цепи эмиттера
16. Определим ток делителя: IД = (2~5)· IБ4 (мА) 17. Определим значения сопротивлений резисторов делителя базы: UR16=R16∙(
Принимаем R14= (Ом) UБЭ4=
Принимаем R15= (Ом)
18. Определим значение емкости конденсатора в цепи эмиттера:
Принимаем С19 = (мкФ) 19. Определим коэффициент усиления каскада на транзисторе VT4:
где значение сопротивления в области базы примем rБ4 = 400 (Ом).
Rк~4 = RH4 || R16 (Ом) 20. Определим входное и выходное сопротивления каскада на транзисторе VT4: RВХ4= R14 || R15 || (rБ4 + rЭ4· (1+b4)) (Ом) rК4 = RВЫХ4 = rK4 || R16 (Ом) 21. Определим входное напряжение каскада на транзисторе VT4:
Рассчитаем элементы, относящиеся к усилительному каскаду на транзисторе VT3. UВЫХ.У. = Uвх4 (В) RН.У. = RВХ4= (Ом) 22. Определим ток в нагрузке:
23. Зададимся значениями тока и напряжения IKmin3 и UКЭmin3:
24. Определим максимальное значение тока коллектора транзистора VT3 - IKMAX3 :
IKmax3 = (2~5) · (2·IH3 + IKmin3) (мА) 25. Определим величину
26. Определяем значение сопротивления резистора в цепи коллектора транзистора VT3:
Принимаем R11 = (Ом) Определим падение напряжения на разделительном конденсаторе С17: UC17 = 27. Определим ток покоя транзистора VT3IП3:
28. Определим значения напряжения на участке коллектор-эмиттер транзистора VT3:
UКЭ3 = EK – (IП3+ IKmin3)· R11 - UR12 (В) Определим допустимую мощность, рассеиваемую на транзисторе VT3:
PКДОП = IП3 · UКЭ3 (Вт) 29. Выбираем транзистор VT3, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:
30. Определим ток базы транзистора VT3:
31. Определим значение сопротивления резистора в цепи эмиттера:
По ряду Е24 принимаем R12= (Ом) 32. Определим ток делителя: IД = (2~5)· Iб3 (мА) 33. Определим значение сопротивлений резисторов делителя базы: UR11=R11∙(
Принимаем R10= (Ом)
UБЭ3=
Принимаем R9= (Ом)
34. Определим значение емкости конденсатора в цепи эмиттера:
Принимаем С16 = (Ф) 35. Определим коэффициент усиления каскада (без ООС) на транзисторе VT3: где: rБ3 = 400 (Ом)
RK~3 = RH3 || R11 (Ом) 36. Определим входное сопротивление каскада на транзисторе VT3: RВХ3=R10||R9||(rб3+rэ3 (1+b3)) (Ом) Определим выходное сопротивление каскада на транзисторе VT3: rК3 = RВЫХ4 = rK3 || R11 (Ом) 37. Определим общий коэффициент усиления каскадов:
K=K3∙K4
38. Определим входное напряжение предварительного усилителя:
|