Студопедия — ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ






 

Этот усилитель выполняет две основные функции:

à обеспечивает баланс фаз

à обеспечивает коэффициент усиления ³ 3

 

Рассчитаем элементы, относящиеся к усилительному каскаду на транзисторе VT4.

Усилитель напряжения работает на нагрузку (эмиттерный повторитель), на мост Вина, на ООС.

Uвых.у = Uвх.п2 = (В)

Rн. у = RООС||RвхЦВmin.||Rвхп2 (Ом)

 

1. Определим ток в нагрузке:

(А)

2. Зададимся IKmin4 и UКЭmin4 :

(мА)

(В)

3. Определим IKMAX4

IKmax4 = (2~5) ∙ (2·IH4 + IKmin4) (А)

4. Определим l4:

5. Определим напряжение питания:

Зададимся g4 = 0,05

(В)

Принимаем ЕК = (В)

Пересчитаем g4

6. Определяем значение сопротивления резистора в цепи коллектора транзистора VT4:

(Ом)

Принимаем R16 = (Ом)

7. Определим падение напряжения на резисторе R17 и величину напряжения, до которого зарядится конденсатор С20:

UR17 = EK · g4 (В)

UC20 = ∙Uвых.у. + UКЭmin4 + UR17 (В)

8. Определим покоя транзистора VT4 - IП4:

(мА)

9. Определим напряжение на участке коллектор-эмиттер транзистора VT4 - UКЭ4:

UКЭ4 = EK – (IП4+ IKmin4) ∙ R16 - UR17 (В)

10. Определим допустимую мощность, рассеиваемую на транзисторе VT4:

PКДОП = IП4 · UКЭ4 (Вт)

11. Выбираем транзистор VT4, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:

  Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A βmin Iко, мА
VT4              

 

12. Так как значение Ik0 сильно отличается от IKmin4, то произведем перерасчет с учетом того, что IKmin4= Iko=30 мкА

13. Определим максимальный ток коллектора транзистора VT4 - IKmax4 :

IKmax4 = (2~5) ∙· (2·IH4 + IKmin4) (мА)

14. Определим ток базы транзистора VT4:

(мА)

15. Определим резистор в цепи эмиттера

(Ом) По ряду Е24 принимаем R17= Ом.

16. Определим ток делителя:

IД = (2~5)· IБ4 (мА)

17. Определим значения сопротивлений резисторов делителя базы:

UR16=R16∙() (В)

(Ом)

Принимаем R14= (Ом)

UБЭ4= -R14∙() (В)

(Ом)

Принимаем R15= (Ом)

(А)

18. Определим значение емкости конденсатора в цепи эмиттера:

(Ф)

Принимаем С19 = (мкФ)

19. Определим коэффициент усиления каскада на транзисторе VT4:

,

где значение сопротивления в области базы примем rБ4 = 400 (Ом).

(Ом)

Rк~4 = RH4 || R16 (Ом)

20. Определим входное и выходное сопротивления каскада на транзисторе VT4:

RВХ4= R14 || R15 || (rБ4 + rЭ4· (1+b4)) (Ом)

rК4 = (Ом)

RВЫХ4 = rK4 || R16 (Ом)

21. Определим входное напряжение каскада на транзисторе VT4:

(В)

Рассчитаем элементы, относящиеся к усилительному каскаду на транзисторе VT3.

UВЫХ.У. = Uвх4 (В)

RН.У. = RВХ4= (Ом)

22. Определим ток в нагрузке:

(мА)

23. Зададимся значениями тока и напряжения IKmin3 и UКЭmin3:

(мА)

(В)

24. Определим максимальное значение тока коллектора транзистора VT3 - IKMAX3 :

 

IKmax3 = (2~5) · (2·IH3 + IKmin3) (мА)

25. Определим величину :

 

26. Определяем значение сопротивления резистора в цепи коллектора транзистора VT3:

(Ом)

Принимаем R11 = (Ом)

Определим падение напряжения на разделительном конденсаторе С17:

UC17 = ∙UВЫХ. + UКЭmin3 + UR12 (В)

27. Определим ток покоя транзистора VT3IП3:

(мА)

28. Определим значения напряжения на участке коллектор-эмиттер транзистора VT3:

 

UКЭ3 = EK – (IП3+ IKmin3)· R11 - UR12 (В)

Определим допустимую мощность, рассеиваемую на транзисторе VT3:

 

PКДОП = IП3 · UКЭ3 (Вт)

29. Выбираем транзистор VT3, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:

  Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A βmin Iко, мА
VT3              

 

30. Определим ток базы транзистора VT3:

(мА)

31. Определим значение сопротивления резистора в цепи эмиттера:

(Ом)

По ряду Е24 принимаем R12= (Ом)

32. Определим ток делителя:

IД = (2~5)· Iб3 (мА)

33. Определим значение сопротивлений резисторов делителя базы:

UR11=R11∙() (В)

(Ом)

Принимаем R10= (Ом)

 

UБЭ3= -R10∙() (В)

 

(Ом)

Принимаем R9= (Ом)

(А)

34. Определим значение емкости конденсатора в цепи эмиттера:

(Ф)

Принимаем С16 = (Ф)

35. Определим коэффициент усиления каскада (без ООС) на транзисторе VT3:

где: rБ3 = 400 (Ом)

(Ом)

RK~3 = RH3 || R11 (Ом)

36. Определим входное сопротивление каскада на транзисторе VT3:

RВХ3=R10||R9||(rб3+rэ3 (1+b3)) (Ом)

Определим выходное сопротивление каскада на транзисторе VT3:

rК3 = (Ом)

RВЫХ4 = rK3 || R11 (Ом)

37. Определим общий коэффициент усиления каскадов:

 

K=K3∙K4

 

38. Определим входное напряжение предварительного усилителя:

(В)

 


 







Дата добавления: 2015-09-04; просмотров: 591. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...

Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...

Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...

Индекс гингивита (PMA) (Schour, Massler, 1948) Для оценки тяжести гингивита (а в последующем и ре­гистрации динамики процесса) используют папиллярно-маргинально-альвеолярный индекс (РМА)...

Методика исследования периферических лимфатических узлов. Исследование периферических лимфатических узлов производится с помощью осмотра и пальпации...

Роль органов чувств в ориентировке слепых Процесс ориентации протекает на основе совместной, интегративной деятельности сохранных анализаторов, каждый из которых при определенных объективных условиях может выступать как ведущий...

Законы Генри, Дальтона, Сеченова. Применение этих законов при лечении кессонной болезни, лечении в барокамере и исследовании электролитного состава крови Закон Генри: Количество газа, растворенного при данной температуре в определенном объеме жидкости, при равновесии прямо пропорциональны давлению газа...

Ганглиоблокаторы. Классификация. Механизм действия. Фармакодинамика. Применение.Побочные эфффекты Никотинчувствительные холинорецепторы (н-холинорецепторы) в основном локализованы на постсинаптических мембранах в синапсах скелетной мускулатуры...

Шов первичный, первично отсроченный, вторичный (показания) В зависимости от времени и условий наложения выделяют швы: 1) первичные...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.009 сек.) русская версия | украинская версия