Форма отчета о поиске

В.1 Поиск проведен в соответствии с заданием научного руководителя НИР,
д-ра техн. наук, профессора И.А. Аверина

(должность и фамилия ответственного руководителя работы)

№ 1 от 10.01.2012 г. и Регламентом поиска № 1 от 10.01.2012 г.

В.2 Этап работы № 2 (промежуточный) по теме «Теоретические исследования поставленных перед НИР задач».

В.3 Начало поиска 10.01.2012 г. Окончание поиска 01.04.2012г.

В.4 Сведения о выполнении регламента поиска (указывают степень выполнения регламента поиска, отступления от требований регламента, причины этих отступлений).

Регламент поиска выполнен полностью в соответствии с заданием №1 на проведение патентных исследований. Патентный поиск в области способов изготовления чувствительных элементов газовых сенсоров нового поколения на основе композиционных материалов (включая SiO2–SnO2), пористого кремния, с ретроспективой 20 лет, так как в этот период выдана основная часть патентов на способы получения материалов для газовых сенсоров. Для проведения поиска привлекались патентные материалы из фондов Пензенской областной библиотеки имени М.Ю. Лермонтова, World Intellectual Property Organization, PatentStorm, Европейского патентного ведомства.

В.5 Широта и глубина поиска являются достаточными.

В.6 Предложения по дальнейшему проведению поиска и патентных исследований: широта и глубина поиска являются достаточными.

В.7 Материалы, отобранные для последующего анализа.

В результате поиска для последующего анализа были отобраны копии описаний изобретений (таблица В.1).

 

Таблица В.1 – Патентная документация

Предмет поиска (объект исследования, его составные части)	Страна выдачи, вид номер охранного документа. Классификационный индекс*	Заявитель (патентообладатель), страна. Номер заявки, дата приоритета, дата публикации*	Название изобретения (полной модели, образца)	Сведения о действии охранного документа (только для анализа патентной чистоты)
Способы изготовления газовых сенсоров, обладающих высокой чувствительностью (на основе SiO2-SnO2, пористого кремния)	RU № 2307346 Кл. G01N27/12	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет", Заявка: 2006124369/28, 06.07.2006, дата начала отсчета срока действия патента:06.07.2006, опубликовано: 27.09.2007	Способ изготовления чувствительного элемента датчиков газа
RU № 2059231 Кл. G01N27/12	Научно-исследовательский институт измерительных систем, заявка: 92013776/25, 23.12.1992, опубликовано: 27.04.1996	Газовый анализатор
RU № 2076315 Кл. G01N27/12	Производственно-коммерческая частная фирма "Веста", заявка: 93001820/25, 12.01.1993, опубликовано: 27.03.1997	Резистивный газовый датчик
RU № 2065602 Кл. G01N27/12	Научно-исследовательский институт измерительных систем, заявка: 94005242/25, 14.02.1994, опубликовано: 20.08.1996	Способ изготовления полупроводникового датчика газов
RU № 2096775 Кл. G01N27/12	Рябцев Станислав Викторович, Шапошник Алексей Владимирович, заявка: 95107172/25, 04.05.1995, опубликовано: 20.11.1997	Способ изготовления полупроводникового чувствительного элемента
US Patent number: U.S. Class: 204/192.11 Int. Class: G01N27/12; G01N27/12	Korea Gas Corporation (Seoul, KR), Application Number: 08/654055 Publication Date: 05/09/2000 Filing Date: 05/28/1996	Sensor having tin oxide thin film for detecting methane gas and propane gas, and process for manufacturing thereof (Датчик на основе тонкой пленки оксида олова для обнаружения метана и пропана, и процесс его производства)
RU № 2371709 Кл. G01N27/14	Общество с Ограниченной Ответственностью "Дельта-С" (RU), заявка: 2008113714/28, 10.04.2008 Дата начала отсчета срока действия патента: 10.04.2008 Опубликовано: 27.10.2009	Cпособ определения концентрации водорода в присутствии газообразных примесей
US Patent number: U.S. Class: 73/31.06 Int. Class: G01N1/00; G01N27/12; G01N33/00	Enquist, Fredrik (Linkoping, SE),Hebo, Peter (Linkoping, SE) Application Number: 09/893097 Publication Date: 01/02/2003 Filing Date: 06/27/2001	Method at detection of presence of hydrogen gas and measurement of content of hydrogen gas. (Метод определения присутствия водорода и измерения процентного содержания водорода).
RU № 2143678 Кл. G01N27/12, H01L21/02	Открытое акционерное общество Центральный научно- исследовательский технологический институт "Техномаш", заявка: 98108267/28, 29.04.1998, дата начала отсчета срока действия патента: 29.04.1998, опубликовано: 27.12.1999	Полупроводниковый газовый сенсор и способ его изготовления
RU № 2319953 Кл. G01N27/12	Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "Сенсерия" (RU), заявка: 2006129503/28, 15.08.2006, дата начала отсчета срока действия патента 15.08.2006, опубликовано: 20.03.2008	Способ изготовления чувствительного элемента полупроводникового газового сенсора
RU № 2291417 Кл. G01N27/12	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский энергетический институт (технический университет") (ГОУВПО "МЭИ (ТУ)") (RU), заявка: 2005127669/28, 05.09.2005, дата начала отсчета срока действия патента: 05.09.2005, опубликовано: 10.01.2007	Датчик определения концентрации газов
RU Кл. G01N27/12	Кукуев Вячеслав Иванович, заявка: 94024402/25, 29.06.1994, опубликовано: 20.11.1997	Датчик для определения концентрации газов
Ru   № 2088914 Кл. G01N27/30	Радин Сергей Алексеевич; Иванова Ольга Михайловна; Загарских Владимир Геннадиевич; Высочанский Александр Владимирович, заявка: 95111367/25, 03.07.1995, опубликовано: 27.08.1997	Сенсор для анализа газообразных веществ
US Patent number: U.S. Class: 257/253 Int. Class: G01N27/403	Robert Bosch GmbH (Stuttgart, DE), Application Number: 12/635224 Publication Date:12/06/2011 Filing Date: 12/10/2009	Gas sensor having a field-effect transistor (Газовый сенсор на основе полевого транзистора)
US Patent number: U.S. Class: 257/414 Int. Class: H01L27/14	Georgia Tech Research Corporation (Atlanta, GA, US), Application Number: 11/041358 Publication Date: 11/23/2010 Filing Date: 01/24/2005	Porous gas sensors and method of preparation thereof (Пористый газовый сенсор и метод его получения)
US Patent number: U.S. Class: 257/414 Int. Class: H01L27/14; G01N21/00; G01N31/00; G01N33/00; G01N35/00; G01N37/00; H01L21/00; H01L27/14; G01N21/00; G01N27/00; G01N31/00; G01N33/00; G01N35/00	Georgia Tech Research Corporation (Atlanta, GA, US), Application Number: 11/094584 Publication Date: 11/28/2006 Filing Date: 03/30/2005	Porous gas sensors and method of preparation thereof (Пористый газовый сенсор и метод его получения)
US Patent number: U.S. Class: 427/115 Int. Class: B05D5/12; B05D3/02; G01N27/12; B05D3/02; B05D5/12; G01N27/12	DENSO Corporation (Kariya, JP) Harima Chemicals, Inc. (Hyogo, JP) Ulvac, Inc. (Kanagawa, JP),Application Number: 10/386831, Publication Date:07/04/2006 Filing Date: 03/12/2003	Production method of gas sensor (Способ получениядатчика газа)
US Patent number: U.S. Class: 73/31.06 Int. Class: G01N31/10; G01N27/04; G01N27/12	City Technology Limited (Partsmouth, GB), Application Number: 10/130764 Publication Date: 02/07/2006 Filing Date: 11/23/2000	Gas sensors (Газовый сенсор)
US Patent number: U.S. Class: 438/48 Int. Class: H01L21/00; H01L21/00	Georgia Tech Research Corp. (Atlanta, GA, US), Application Number: 10/633259, Publication Date:05/17/2005, Filing Date: 08/01/2003	Porous gas sensors and method of preparation thereof (Пористый газовый сенсор и метод его получения)
US Patent number: U.S. Class: 73/31.06 Int. Class: G01M7/04; G01N27/00; G01N27/414	The United States of America as represented by the Administrator of Natural Aeronautics and Space Administration (Washington, DC), Application Number: 10/359940, Publication Date:07/20/2004, Filing Date:02/06/2003	Gas sensors using SiC semiconductors and method of fabrication thereof (Газовые датчики на основе SiC полупроводников и методы их изготовления)
US Patent number: U.S. Class: 438/49 Int. Class: H01L21/00; H01L21/8238; H01L21/00; H01L21/70	Georgia Tech Research Corporation (Atlanta, GA), Application Number:10/268860, Publication Date:01/06/2004, Filing Date:10/10/2002	Porous gas sensors and method of preparation thereof (Пористый газовый сенсор и метод его получения)
US Patent number: U.S. Class: 356/450 Int. Class: G01N21/01; G01N21/41; G01N21/45;	Forschungszentrum Julich GmbH (Julich, DE), Application Number: 09/142423, Publication Date:10/10/2000, Filing Date:09/04/1998	Chemical sensor based on porous silicon (Химический сенсор на основе пористого кремния)
US Patent number: U.S. Class: 422/83 Int. Class: G01N27/12; G01N33/00	British Gas PLC (London, GB2), Application Number: 08/129085, Publication Date: 06/27/1995 Filing Date: 10/07/1993	Tin oxide gas sensors (Газовый сенсор на основе оксида олова)

 

 

Патентовед _______ И. О. Фамилия

^{подпись}

 

 

 

Руководитель

подразделения – исполнителя работы ______ И. О. Фамилия

^{подпись}

ПРИЛОЖЕНИЕ Г

(обязательное)