Внутрішня (повна) питома поверхнева енергія. Залежність енергетичних параметрів поверхні від температуриДля процесів що відбуваються на поверхні робота розширення дорівнює нулю, тому: H = U =G+T∙S (2.15) Подальше виведення проводимо для одиниці поверхні: Us=Gs + TSs (2.16) де, TSs =qs – теплота утворення одиниці поверхні. Внутрішня (повна) енергія поверхні дорівнює: Us=Gs + T×Ss= s + T×Ss (2.17) Ss=-(∂Gs/∂T)p=-(∂s/∂T)p (2.18) Us=s-T(∂s/∂T)p (2.19) Одержане рівняння називають рівнянням Гіббса - Гельмгольца для поверхневого шару. (∂s/∂T)=a – температурний коефіцієнт поверхневого натягу. Для більшості рідин внутрішня енергія поверхні не залежить від температури. Щоб показати це проведемо диференціювання рівняння Гіббса – Гельмгольця по температурі. (2.20) Експериментально доведено, що поверхневий натяг з ростом температури, для більшості рідин, змінюється лінійно, тому друга похідна поверхневого натягу від температури дорівнює нулю. (2.21) З даного рівняння витікає, що перша похідна від внутрішньої енергії від температури дорівнює нулю, а це означає що внутрішня енергія поверхні від температури не залежить. Виведемо рівняння температурної залежності поверхневого натягу. (2.22) s = so + a(T – To) (2.23)
Графік залежності внутрішньої енергії поверхні, теплоти утворення поверхні і поверхневого натягу від температури зображено на (рис.6). Рис. 6. Залежність енергетичних параметрів поверхні від температури.
При певній температурі коли зникає поверхня розділу фаз, наприклад при випаровування, енергетичні характеристики поверхні переходять в інші форми енергії.
Приклад 2.4 Поверхневий натяг рідкої міді при 1535оС дорівнює 1,30 Н/м, температурний коефіцієнт поверхневого натягу -3,1∙10-4, знайдіть поверхневу ентальпію рідкої міді. Hs = Us = s – T(ds/dT) Hs = 1,30 – 1808(-3,1∙10-4) = 1,86 Н/м
|