Навесной компонент (транзистор 2T364A)
Оглавление Задание на курсовую работу Выбор материалов и расчёт размеров элементов
Задание на курсовую работу: Разработать конструкцию и технологию изготовления гибридной интегральной микросхемы, реализующей заданную электрическую схему. - Выбор материалов подложки, плёночных элементов, проводников и контактных площадок. - Расчёт конструкции плёночных элементов, проводников и контактных площадок. - Разработка топологии слоёв микросхемы (ф. А3, чертёж для каждого слоя). - Разработка совмещённой топологии (ф. А3, чертёж). - Выбор методов формирования топологии слоёв. - Разработка технологии изготовления микросхемы (ф. А3, маршрутная карта технологического процесса).
Электрическая схема гибридной интегральной микросхемы:
1) Тонкоплёночные конденсаторы: Напряжение питания =10В, следовательно: Диэлектрик: боросиликатное стекло. Обкладки: алюминий А99.
![]() ![]() Коэффициент запаса напряжения: Толщина диэлектрика: Удельная ёмкость конденсатора: Размеры обкладок конденсатора квадратной формы ( Проверка:
Проверка:
2) Тонкоплёночные резисторы: Мощность рассеивания: Расчёт 1,2,4 резисторов: определяем оптимальное сопротивление квадрата резистивной плёнки: Выбираем материал резистивной плёнки: сплав Проверка материала: Сплав PC-3710 подходит для изготовления всех резисторов.
Расчёт 3-го резистора:
Проверка материала:
Навесной компонент (транзистор 2T364A) Способ крепления к подложке (пайка микропаяльником)
|