Навесной компонент (транзистор 2T364A)Оглавление Задание на курсовую работу Выбор материалов и расчёт размеров элементов
Задание на курсовую работу: Разработать конструкцию и технологию изготовления гибридной интегральной микросхемы, реализующей заданную электрическую схему. - Выбор материалов подложки, плёночных элементов, проводников и контактных площадок. - Расчёт конструкции плёночных элементов, проводников и контактных площадок. - Разработка топологии слоёв микросхемы (ф. А3, чертёж для каждого слоя). - Разработка совмещённой топологии (ф. А3, чертёж). - Выбор методов формирования топологии слоёв. - Разработка технологии изготовления микросхемы (ф. А3, маршрутная карта технологического процесса).
Электрическая схема гибридной интегральной микросхемы:
1) Тонкоплёночные конденсаторы: Напряжение питания =10В, следовательно: Диэлектрик: боросиликатное стекло. Обкладки: алюминий А99.
Коэффициент запаса напряжения: Толщина диэлектрика: Удельная ёмкость конденсатора: Размеры обкладок конденсатора квадратной формы () Проверка: (погрешность удельной ёмкости) (температурная погрешность) (старение материала)
, материалы для конденсатора выбраны верно.
Проверка: , верно. 2) Тонкоплёночные резисторы: Мощность рассеивания: Расчёт 1,2,4 резисторов: определяем оптимальное сопротивление квадрата резистивной плёнки: Выбираем материал резистивной плёнки: сплав Проверка материала: Сплав PC-3710 подходит для изготовления всех резисторов.
Расчёт 3-го резистора: следовательно, материал сплав МЛТ-3М (медь с подслоем ванадия), Проверка материала:
Навесной компонент (транзистор 2T364A) Способ крепления к подложке (пайка микропаяльником)
|