Диэлектрические материалы для защиты подложки

Защита элементов ГИС – моноокись кремния

Параметр	Номинал
Удельная емкость С0, пФ/мм2
Тангенс угла диэ­лектриче­ских потерь, tgβ	0,03
Удельное объемное сопротивле­ние , Ом·см	1·1012
Электриче­ская прочность Епр, В/см	3·106
Темпера­турный коэффи­циент ТКС приT= -60÷85°С	5·10-4

 

Разработка топологии слоёв микросхемы:

Для составления схемы соединений на принципиальной электрической схеме выделим плёночные элементы и навесные компоненты, наметим порядок их расположения и проведём упрощение схемы соединений с целью уменьшения числа пересечений проводников и сокращения их длины.

Ориентировочная площадь платы:

– площадь резисторов

– площадь конденсаторов

– площадь контактных площадок ( – расстояние между краем плёночного резистора и краем его контактной площадки)

– площадь навесных компонентов (a и b – размеры транзистора 2Т364А, l – длина контактов)

– коэффициент запаса

Площадь платы выбраны в соответствии с рекомендуемыми типоразмерами:

S=24х30 (типоразмер № 5)

Топология разработана с учётом

· точности изготовления линейных размеров плёночных элементов и расстояний между ними;

· минимального допустимого размера резисторов;

· минимального допустимого расстояния между плёночными элементами;

· перекрытия для совмещения слоёв;

· минимальная ширина плёночных проводников;

· минимальных размеров контактных площадок для монтажа компонентов.

Разработка совмещённой топологии микроосхемы

Разработаны общая топология и топологии слоёв микросхемы:

· резистивный слой

· нижний проводниковый слой

· нижние обкладки конденсаторов

· диэлектрический слой

· верхние обкладки конденсаторов

· верхний проводниковый слой

· защитный слой

 

Выбор метода формирования топологии слоёв

В качестве метода формирования конфигурации тонкоплёночных элементов выбран комбинированный метод:

· масочный – для формирования обкладок конденсаторов

· Фотолитография– для формирования резистивного и проводникового слоя

Масочный метод является простым и экономичным по сравнению с фотолитографией. Его главный недостаток – большая погрешность при формировании топологии слоёв.

Поэтому нижние и верхние обкладки конденсаторов, диэлектрический и защитный слои формируются масочным методом, а резистивный и проводниковый слои формируются фотолитографией.