Модуляция толщины базыМодуляция толщины базы w представляет собой зависимость толщины базы w от напряжения на коллекторе
Так как ширина эмиттерного перехода мала, изменения а) к зависимости коэффициента передачи тока б) к барьерной емкости коллекторного перехода добавляется диффузионная емкость, так как происходит изменение заряда вблизи перехода; в) к изменению частотных свойств транзистора: если увеличивается г) к тому, что при увеличении д) к тому, что при увеличении
|
.
не влияют на ее значение. Коллекторный же переход из-за обратного смещения большой и сосредоточен в базе. При изменении 
изменяется ширина коллекторного перехода и, следовательно, толщина базы w тоже. Это приводит:
от коллекторного напряжения 
. Например, если возрастает напряжение коллектора 
, то есть увеличивается число электронов, избежавших рекомбинации;
постоянно, увеличивается 
, так как уменьшение толщины базы ведет к увеличению градиента концентраций носителей, от которого пропорционально зависит ток эмиттера;
