Модуляция толщины базы w представляет собой зависимость толщины базы w от напряжения на коллекторе 
.
Так как ширина эмиттерного перехода мала, изменения
не влияют на ее значение. Коллекторный же переход из-за обратного смещения большой и сосредоточен в базе. При изменении
изменяется ширина коллекторного перехода и, следовательно, толщина базы w тоже. Это приводит:
а) к зависимости коэффициента передачи тока
от коллекторного напряжения
. Например, если возрастает напряжение коллектора
, уменьшается толщина базы w, увеличивается коэффициент переноса
, то есть увеличивается число электронов, избежавших рекомбинации;
б) к барьерной емкости коллекторного перехода добавляется диффузионная емкость, так как происходит изменение заряда вблизи перехода;
в) к изменению частотных свойств транзистора: если увеличивается
, уменьшается толщина базы w, уменьшается время пролета электронов в базе и увеличивается граничная частота транзистора;
г) к тому, что при увеличении
, если
постоянно, увеличивается
, так как уменьшение толщины базы ведет к увеличению градиента концентраций носителей, от которого пропорционально зависит ток эмиттера;
д) к тому, что при увеличении
и постоянном
при уменьшении толщины базы и неизменном градиенте концентраций носителей уменьшается
.