МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЗАДАНИЙ

 

1. Подготовить установку к измерениям:

1.1. Включить тумблеры "Сеть" на источнике питания фотоприемника и блоке питания осветителя; установить предел измерения 10 В, включить цифровой вольтметр; после 5 минут прогрева установка готова к работе.

1.2. Установить ширину входной щели равной 0,2-0,3 мм;

2. Измерить спектр фотопроводимости полупроводниковых образцов.

2.1. Вращением барабана длин волн в диапазоне отсчетов 1500-3300 получить зависимость фотоЭДС от длины волны излучения, падающего на фотоприемник (спектральную зависимость сигнала фотопроводимости).

Запись величин производить с момента превышения сигнала над шумом, фиксируемым вольтметром на пределе максимальной чувствительности. По мере роста сигнала при необходимости переключать вольтметр на менее чувствительные пределы.

Число необходимых точек (значений длин волн) определить самостоятельно, исходя из требований информативности определяемого спектра.

2.2. Вращением барабана длин волн установить его в положение, соответствующее максимальному значению сигнала фотопроводимости. Снять зависимость сигнала фотопроводимости от ширины входной щели (до 3мм).

2.3. При необходимости провести измерения по п.п. 2.1-2.4 для всех образцов.

3. Обработать результаты измерений:

3.1. Перевести отсчеты на барабане последовательно в длину волны (Å, затем мкм) и энергию квантов (эВ).

3.2. Скорректировать полученные данные о зависимости фотопроводимости от длины волны возбуждающего света на зависимость интенсивности излучения от длины волны и нормировать скорректированную зависимость на "единицу", то есть получить зависимость:

 

Для этого необходимо воспользоваться данными таблицы 4.

3.3. Построить спектральную зависимость фотопроводимости:

3.4. Указать на каждом спектре в области длинноволновой границы фотопроводимости спектральное разрешение, определяемое из соотношения:

D=d₁d₂, где d₂ - ширина щелей монохроматора, d₁ - спектральное разрешение на 1 мм щели (см. табл. 3).

На спектрах спектральное разрешение обозначается двумя вертикальными штрихами, расстояние между которыми равно D в масштабе hv.

3.5. Построить зависимость сигнала фотопроводимости от ширины входной щели при фиксированной длине волны падающего излучения, соответствующего максимуму фотопроводимости.

3.6. По спектральной зависимости фотопроводимости определить тип материала полупроводникового фотодетектора (из литературы).