Специальные резисторы
К категории специальных резисторов относят резисторы, сопротивление которых зависит от внешних факторов: температуры, освещённости, магнитного поля и т.д. Варисторы — полупроводниковые резисторы, сопротивление которых нелинейно зависит от приложенного к ним напряжения. Варисторы изготавливают путём спекания кристаллов карбида кремния и связующих веществ. В готовой структуре варистора между кристаллами кремния существуют мельчайшие зазоры. При приложении к варистору напряжения происходит перекрытие этих зазоров, в результате чего сопротивление варистора уменьшается. Типичный вид вольт-амперной характеристики показан на рис.7.2. Рис. 7.2. Вольт-амперная характеристика варистора.
Поскольку сопротивление варисторов нелинейно зависит от приложенного напряжения, то они находят применение в качестве регулирующих элементов в устройствах автоматики. В обозначении варисторов содержатся буквы СН (сопротивление нелинейное). Терморезисторы это полупроводниковые резисторы, сопротивление которых меняются значительно и нелинейно в зависимости от температуры (рис.7.3).
Рис.7.3. Зависимость R(T) терморезистора.
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) также нелинейна (рис.7.4). При малых токах ВАХ практически линейна (участок 0М), поскольку мощность, выделяемая в терморезисторе, недостаточна для того, чтобы заметно нагреть его. При больших токах сопротивление резистора уменьшается, что сопровождается уменьшением напряжения на нём. Термисторы имеют отрицательный температурный коэффициент сопротивления α R и при нагревании их сопротивление уменьшается.
Рис.7.4. Вольт-амперная характеристика терморезистора.
Позисторы — это термисторы, имеющие в сравнительно узком интервале температур положительный температурный коэффициент сопротивления α R. При нагревании величина сопротивления позистора возрастает в тысячи раз. Фоторезисторы — это полупроводниковые резисторы, сопротивление которых меняется под действием оптического излучения. При взаимодействии электромагнитного излучения с веществом фоторезистора энергия фотонов передаётся электронам вещества, и часть из них переходит из валентной зоны в зону проводимости, обуславливая увеличение количества носителей зарядов в зоне проводимости и появление фотопроводимости. Магниторезисторы — это полупроводниковые резисторы, сопртивление которых меняется под действием магнитного поля.
|