Схема исследования

На рисунках 1.1 и 1.2 приведены схемы для снятия вольтамперных характеристик диода. Необходимость использования двух схем для снятия прямой и обратной ветвей вольтамперной характеристики вызвана тем, что напряжение на диоде при прямом включении значительно меньше, чем при обратном. Поэтому используются разные источники напряжения G₁ и G₂ для снятия прямой и обратной ветвей вольтамперной характеристики. Для ограничения резкого изменения тока последовательно с источниками включен резистор R1.

Рис. 1.1. Схема для исследования вольт-амперных характеристик диодов при прямом включении

Рис. 1.2. Схема для исследования вольт-амперных характеристик диодов при обратном включении

Отличие схем состоит также в том, что в первой схеме вольтметр подключен параллельно диоду, а во второй - источнику. Подключать вольтметр непосредственно к диоду во второй схеме не следует, так как ток, протекающий через вольтметр, соизмерим с обратным током диода и микроамперметр будет показывать сумму токов диода и вольтметра, давая большую погрешность.

Пределы измерения приборов следует выбирать с учетом максимально допустимых параметров исследуемых диодов.

На рисунке 1.3 приведена схема исследования диода на переменном токе. Источником переменного тока является генератор G~, в качестве которого используется генератор Г3-111 или подобный. Форму подводимого напряжения, напряжения на диоде и на нагрузке наблюдают с помощью осциллографа.

Рис. 1.3. Схема для исследования однополупериодного выпрямителя