Схемы исследования. На рисунке 3.1 приведена схема для снятия статических характеристик полевого транзистора
На рисунке 3.1 приведена схема для снятия статических характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому включению ПТ с p-n переходом и каналом р-типа.
Рис. 3.1. Схема для исследования статических характеристик ПТ
Ко входу ПТ (участок затвор-исток) прикладывается управляющее напряжение UЗИ от регулируемого источника напряжения G1. К выходу ПТ (участок сток-исток) прикладывается напряжение UCИ от регулируемого источника постоянного напряжения G2. В работе необходимо экспериментально определить напряжение отсечки UЗИ ОТС и снять передаточную характеристику IС = F (UЗИ) при UCИ =-10B. Затем необходимо снять семейство выходных характеристик IС=F(UСИ) при UЗИ 1=0, UЗИ 2=0, 25 UЗИ ОТС и UЗИ 3= 0, 5 UЗИ ОТС. На рисунке 3.2 приведена схема для исследования зависимости сопротивления канала транзистора RСИ для омической области выходных характеристик от управляющего напряжения затвор-исток RСИ= F(UЗИ).
Риc. 3.2. Схема для исследования зависимости RСИ от управляющего напряжения UЗИ.
Для исследования предварительно устанавливают напряжение генератора переменного тока G3 UГ =100 мВ на частоте f = 1000 Гц. Затем снимается зависимость UВЫХ= UСИ= F(UЗИ). Значение UЗИ изменяется в пределах от 0 до UЗИ ОТС. Вычисление RСИ для каждого значения UСИ производится следующим образом: RСИ= UСИ /IС; IС =(UГ- UСИ)/ R; RСИ= UСИ × R/ (UГ-UСИ). (1) R=5, 1 кОм.
|
