Схемы исследования
На рисунках 4.1 и 4.2 приведены схемы для снятия статических характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и приборов на рис. 1 соответствует типовому включению МДП ПТ со встроенным каналом n-типа, работающего в режиме обеднения, на рис. 2 – МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа.
Рис. 4.1. Схема для исследования статических характеристик МДП ПТ со встроенным n-каналом КП305.
Ко входу ПТ (участок затвор-исток) прикладывается управляющее напряжение UЗИ от регулируемого источника напряжения G5. К выходу ПТ (участок сток-исток) прикладывается напряжение UCИ от регулируемого источника постоянного напряжения G1 или G2. Для работы МДП транзистора со встроенным каналом в режиме обогащения необходимо поменять полярность источника G5 на противоположную.
Рис. 4.2. Схема для исследования статических характеристик МДП ПТ с индуцированным p-каналом КП301.
На рисунке 4.3 приведена схема для определения крутизны ПТ с индуцированным n-каналом на переменном токе при различных значениях управляющего напряжения в режиме обеднения. Крутизну вычисляют по формулам: S=IC~ /UЗИ~, мА/В, (1) где IC~ –выходной ток, мА; UЗИ~- входное напряжение, В. IC~= UСИ~/ R, (2) где UСИ~ -переменное напряжение на резисторе R.
Рис. 4.3. Схема для определения крутизны в зависимости от управляющего напряжения UЗИ.
|
