Задание к работе в лаборатории. 4.1. Собрать схему для снятия характеристик транзистора при включении его по схеме с ОБ (рисунок 5.1)

4.1. Собрать схему для снятия характеристик транзистора при включении его по схеме с ОБ (рисунок 5.1). Обратите внимание на структуру транзистора и правильность подключения источников питания и измерительных приборов.

4.2. Снять две входные характеристики транзистора I_Э= f(U_ЭБ) при U_КБ=0 и U_КБ= (0, 2-0, 5) U_{КБ МАКС}. Первую характеристику снимать до напряжения, при котором I_Э=0, 5I_{К МАКС}, вторую - до таких значений, при которых выполняется условие Р_К=U_КБ*I_К < P_{K МАКС}. Результаты измерений занести в таблицу 1. Пример заполнения таблицы приведен ниже.

 

Таблица 1. I_Э= f(U_ЭБ)½ U_КБ=const

	UЭБ, В	0-0, 1	0, 2	0, 3	0, 4
UКБ= 0 В	IЭ,					IЭ =0, 5× IЭ МАКС
UКБ =5 В	мА

 

4.3. Снять три выходные характеристики транзистора I_К=f(U_КБ). Первую для I_Э1=0, вторую для I_Э2=(0, 2-0, 4)·I_{K МАКС} и третью для I_Э3=2·I_Э2. При снятии характеристик не превышать предельно допустимые параметры U_{КБ МАКС}, I_{К МАКС}, P_{К МАКС}. Результаты измерений занести в таблицу 2. Пример таблицы дан ниже.

 

Таблица 2. I_К=f(U_КБ) ½ I_Э=const

	UКБ, В
IЭ 1= 0	IК, мкА
IЭ =5 мА	IК,
IЭ =10 мА	мА

Примечание: при исследовании выходных характеристик обратите внимание на пределы измерения рА2 (мкА или мА) для различных значений входного тока I_Э.

4.4. Собрать схему для снятия характеристик транзистора при включении его по схеме с ОЭ (рисунок 5.2).

4.5. Снять две входные характеристики I_Б=f(U_БЭ); одну при U_КЭ=0, вторую при U_КЭ=(0, 2-0, 4)U_{КЭ МАКС} . Входное напряжение при этом менять до такой величины, при которой электрические параметры транзистора не превышают максимально допустимых значений.

Результаты измерений занести в таблицу 3, которая аналогична таблице 1.

4.6. Снять семейство из 7-8 выходных характеристик I_К=f(U_КЭ) при токах базы, указанных на типовых характеристиках в справочнике, включая I_Б=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. U_КЭ=0 - 1 В. Результаты измерений заносятся в таблицу 4. Пример таблицы приведен ниже. Особое внимание обратить на то, чтобы Р_К не превышало 0, 75× Р_{К МАКС}.

 

 

Таблица 4. I_К=f(U_КЭ)½ I_Б=const

	UКЭ, В	0, 1	0, 2	0, 5
IБ1 =0 мкА	IК, мкА
IБ2
IБ3
IБ4
IБ5	IК, мА
IБ6
IБ7
IБ8

 

Содержание отчета

5.1 Тип исследуемого транзистора и его назначение.

5.2 Предельно-допустимые параметры транзистора, взятые из справочника.

5.3 Расположение выводов транзистора.

5.4 Схемы исследования.

5.5 Таблицы результатов измерений.

5.6 Графики входных и выходных характеристик для схем с ОБ и с ОЭ, построенных по результатам измерений.

5.7 На графиках выходных характеристик БТ построить рабочую область при комнатной температуре.

5.8 Оценить I_КБ0, I_КЭ0, b и сравнить их со справочными значениями.

5.9 Сделать выводы по работе.