Студопедия — Схема исследования. Упрощенная схема измерения параметров биполярного транзистора в зависимости от частоты для схемы ОБ представлена на рисунке 6.1
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Схема исследования. Упрощенная схема измерения параметров биполярного транзистора в зависимости от частоты для схемы ОБ представлена на рисунке 6.1






 

Упрощенная схема измерения параметров биполярного транзистора в зависимости от частоты для схемы ОБ представлена на рисунке 6.1. Питание схемы осуществляется от регулируемых источников постоянного напряжения G1 и G2. Режим транзистора по постоянному току задается входным током IЭ0 (IБ0 для схемы ОЭ), измеряемым миллиамперметром рА1, и напряжением на коллекторе, которое измеряется вольтметром рV2. Миллиамперметр рА2 измеряет постоянный ток коллектора.

Для измерения параметров Н21 и Н11 транзистора в его входную цепь подается синусоидальное напряжение UG1~ от генератора G~. С помощью вольтметра переменного тока рV1~ производится измерение падения напряжения на измерительных резисторах R1 и R2. Зная величину этих сопротивлений, можно определить переменные составляющие входного и выходного токов транзистора.

Рис. 6.1. Схема для измерения Н- параметров БТ в зависимости от частоты

, (1) I2= . (2)

Тогда модуль коэффициента передачи тока транзистора

½ H21Б½ = × . (3)

Измерив входное напряжение U1, определим входное сопротивление

½ Н11Б½ = × . (4)

Производя измерение коэффициента передачи тока транзистора и входного сопротивления на различных частотах, получим зависимости

½ H21Б½ = =F(f) и ½ Н11Б½ =F(f).

Для измерения параметров ½ Н21Б½ =½ a½ и ½ Н11Б½ в схеме с общей базой используется R1=100 Ом, а для измерения параметров ½ Н21Э½ =½ b½ и ½ Н11Э½ в схеме с общим эмиттером R1=1000 Ом

Для удобства измерений напряжений U1, U2, UR1 и UR2 вольтметр pV1~ подключается к необходимым точкам схемы с помощью кнопочного переключателя (чтобы не усложнять схему, на рисунке 6.1 он не показан).

Измерение фазового угла коэффициента передачи тока транзистора производится с помощью осциллографа. На вход Y осциллографа подается напряжение UВХ. На вход Х осциллографа подается напряжение с коллектора транзистора (гнездо К). При этом в общем случае для произвольного сдвига фаз j между входным и выходным токами на экране осциллографа получается изображение в виде эллипса (рисунок 6.2).

Рис. 6.2. К определению угла фазового сдвига

 

Сдвиг фаз определяется из выражения

. (7)







Дата добавления: 2014-11-10; просмотров: 711. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Шрифт зодчего Шрифт зодчего состоит из прописных (заглавных), строчных букв и цифр...

Картограммы и картодиаграммы Картограммы и картодиаграммы применяются для изображения географической характеристики изучаемых явлений...

Практические расчеты на срез и смятие При изучении темы обратите внимание на основные расчетные предпосылки и условности расчета...

Функция спроса населения на данный товар Функция спроса населения на данный товар: Qd=7-Р. Функция предложения: Qs= -5+2Р,где...

Методика исследования периферических лимфатических узлов. Исследование периферических лимфатических узлов производится с помощью осмотра и пальпации...

Роль органов чувств в ориентировке слепых Процесс ориентации протекает на основе совместной, интегративной деятельности сохранных анализаторов, каждый из которых при определенных объективных условиях может выступать как ведущий...

Лечебно-охранительный режим, его элементы и значение.   Терапевтическое воздействие на пациента подразумевает не только использование всех видов лечения, но и применение лечебно-охранительного режима – соблюдение условий поведения, способствующих выздоровлению...

Законы Генри, Дальтона, Сеченова. Применение этих законов при лечении кессонной болезни, лечении в барокамере и исследовании электролитного состава крови Закон Генри: Количество газа, растворенного при данной температуре в определенном объеме жидкости, при равновесии прямо пропорциональны давлению газа...

Ганглиоблокаторы. Классификация. Механизм действия. Фармакодинамика. Применение.Побочные эфффекты Никотинчувствительные холинорецепторы (н-холинорецепторы) в основном локализованы на постсинаптических мембранах в синапсах скелетной мускулатуры...

Шов первичный, первично отсроченный, вторичный (показания) В зависимости от времени и условий наложения выделяют швы: 1) первичные...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.01 сек.) русская версия | украинская версия