Схема исследования. Упрощенная схема измерения параметров биполярного транзистора в зависимости от частоты для схемы ОБ представлена на рисунке 6.1
Упрощенная схема измерения параметров биполярного транзистора в зависимости от частоты для схемы ОБ представлена на рисунке 6.1. Питание схемы осуществляется от регулируемых источников постоянного напряжения G1 и G2. Режим транзистора по постоянному току задается входным током IЭ0 (IБ0 для схемы ОЭ), измеряемым миллиамперметром рА1, и напряжением на коллекторе, которое измеряется вольтметром рV2. Миллиамперметр рА2 измеряет постоянный ток коллектора. Для измерения параметров Н21 и Н11 транзистора в его входную цепь подается синусоидальное напряжение UG1~ от генератора G~. С помощью вольтметра переменного тока рV1~ производится измерение падения напряжения на измерительных резисторах R1 и R2. Зная величину этих сопротивлений, можно определить переменные составляющие входного и выходного токов транзистора. Рис. 6.1. Схема для измерения Н- параметров БТ в зависимости от частоты
Тогда модуль коэффициента передачи тока транзистора
Измерив входное напряжение U1, определим входное сопротивление ½ Н11Б½ = Производя измерение коэффициента передачи тока транзистора и входного сопротивления на различных ½ H21Б½ =
Для удобства измерений напряжений U1, U2, UR1 и UR2 вольтметр pV1~ подключается к необходимым точкам схемы с помощью кнопочного переключателя (чтобы не усложнять схему, на рисунке 6.1 он не показан). Измерение фазового угла коэффициента передачи тока транзистора производится с помощью осциллографа. На вход Y осциллографа подается напряжение UВХ. На вход Х осциллографа подается напряжение с коллектора транзистора (гнездо К). При этом в общем случае для произвольного сдвига фаз j между входным и выходным токами на экране осциллографа получается изображение в виде эллипса (рисунок 6.2). Рис. 6.2. К определению угла фазового сдвига
Сдвиг фаз определяется из выражения
|