Подготовка к работе

 

2.1 Изучить следующие вопросы курса:

 

2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов).

2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в при различных режимах работы.

2.1.3 Принцип действия БТ, основные физические процессы.

2.1.4 Статический коэффициент передачи тока и уравнения выходного тока для всех схем включения.

2.1.5 Статические характеристики транзистора в схемах включения ОБ и ОЭ.

2.1.6 Предельные параметры режима работы БТ. Рабочая область характеристик.

2.1.7 Влияние температуры на работу БТ, его характеристики в схеме ОБ и ОЭ и предельные параметры.

 

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:

 

2.2.1 Устройство плоскостного транзистора.

2.2.2 Принцип действия биполярного бездрейфого транзистора.

2.2.3 Нарисовать схемы включения транзистора с ОБ, ОЭ и ОК для структур p-n-p и n-p-n.

2.2.4 Дать определение коэффициентов инжекции и переноса.

2.2.5 Начертить потенциальную диаграмму p-n-p и n-p-n транзисторов.

2.2.6 Из каких компонентов состоят токи через эмиттерный и коллекторный переходы транзистора?

2.2.7 Из каких компонентов состоит ток базы?

2.2.8 Как влияет на работу транзистора неуправляемый ток коллекторного перехода? Какие причины его возникновения?

2.2.9 Написать уравнения коллекторного тока для схем ОБ и ОЭ.

2.2.10 Нарисовать и объяснить входные и выходные характеристики транзистора для схем ОБ и ОЭ.

2.2.11 Показать на входных и выходных характеристиках области, соответствующие режимам: активному, отсечки и насыщения.

2.2.12 Какие факторы ограничивают рабочую область выходных характеристик транзистора?

2.2.13 Объяснить влияние температуры на статические характеристики БТ в схемах включения с ОБ и ОЭ.

2.2.14 Как зависят значения предельных параметров БТ от температуры?

2.2.15 Объяснить построение рабочей области выходных характеристик транзистора.

2.2.16 Объяснить влияние температуры на рабочую область БТ.

2.2.17 Назвать основные типы биполярных транзисторов (с точки зрения мощностей и частот).

 

2.3 Получить у преподавателя тип транзистора, который будет исследоваться в работе.

2.4 Пользуясь справочником [5]:

- указать структуру и назначение транзистора;

- на рисунке показать расположение его выводов;

-привести типовое значение неуправляемых токов I_КБО и I_КЭО и максимально допустимых параметров I_{K МАКС}, U_{КБ МАКС}, U_{КЭ МАКС},

P_{K МАКС} , T_{П МАКС} и Т _{ОС МАКС} ;

2.5 На заготовленных координатах для выходных характеристик построить рабочие области транзистора для Т _ОС=20⁰ С и 0, 5 Т_{ОС МАКС}

2.6 Для указанного типа транзистора составить и привести схемы исследования при его включении по схемам с ОБ и ОЭ. На схемах указать полярность источников питания и полярность измерительных приборов.

 

 

Литература

Игнатов А.Н. и др. Основы электроники: Учебное пособие /СибГУТИ.-Новосибирск, 2005. Стр.59-69.

Бобровский Ю. Л. И др. Под редакцией Федорова Н.Д. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. -М: Радио и связь, 1998. Стр. 70-81, 86-92.

Дулин В.Н. и др. Под редакцией Шишкина Г.Г. Электронные приборы. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр.140-170 (выборочно).

Батушев В.А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. Стр.93-121 (выборочно).

Транзисторы для широкого применения: Справочник. Под редакцией Перельмана Б. П. -М.: Радио и связь, 1981.

Конспект лекций.