Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Со скрытым слоем




Первыми операциями при изготовлении таких микросхем являются термическое окисление, фотолитография и диффузия донорной примесью, чтобы создать n+ - слой на месте, где будут формироваться транзисторы (рисунок 4.8а). Толщина этого слоя составляет примерно 2 мкм. Затем слой SiO2 стравливается. В последующем проводится эпитаксия и последовательно все операции, которые использовались при изготовлении планарно–эпитаксиального транзистора. Структура готового транзистора приведена на рисунке 4.8б.

а) б)

Рисунок 4.8

 

Распределение примесей приведено на рисунке 4.9. Поскольку в коллекторе основного транзистора (этот же слой является базой паразитного транзистора) распределение примеси неравномерное, то в нем создается тормозящее электрическое поле для дырок, которые движутся из эмиттера в коллектор паразитного транзистора. Кроме того, высокая концентрация примеси в коллекторе на порядок снижает распределенное сопротивление rК основного транзистора. Это исключает недостатки планарно-эпитаксиального транзистора.

Рисунок 4.9

 


Поможем в написании учебной работы
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой





Дата добавления: 2014-11-10; просмотров: 466. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2022 год . (0.012 сек.) русская версия | украинская версия
Поможем в написании
> Курсовые, контрольные, дипломные и другие работы со скидкой до 25%
3 569 лучших специалисов, готовы оказать помощь 24/7