Студопедия Главная Случайная страница Задать вопрос

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Эквивалентная схема




 

На рисунке 4.7а представлена четырехслойная структура биполярного транзистора совместно с подложкой. Эту структуру можно рассматривать как две трехслойных структуры (рисунок 4.7б) представляющие собой два транзистора: основной n-p-n и паразитный p-n-p (рисунок 4.7в).

а) б) в)

Рисунок 4.7

 

Паразитный транзистор находится в режиме отсечки, когда основной работает в режимах отсечки или активном. Но когда основной транзистор работает в режиме насыщения, т.е. его коллекторный переход включен в прямом направлении, то паразитный транзистор находится в активном режиме, так как его эмиттерный переход – это коллекторный переход основного транзистора. В этом случае, через паразитный транзистор осуществляется связь между основными транзисторами, находящимися в режиме насыщения.

Резистор rК (рисунок 4.7в) учитывает распределенное сопротивление коллектора, так как коллекторный слой имеет наименьшую концентрацию примеси. Его величина составляет примерно 100 Ом. Этот резистор совместно с ёмкостями СКП и СКБ образуют RC цепочку, которая ухудшает быстродействие транзистора и ограничивает его предельную частоту. Кроме того, в ЦИМС это приводит к тому, что возрастает уровень логического нуля U0. Для исключения выше отмеченных явлений между коллектором и подложкой формируют скрытый слой n+. Такие транзисторы будут рассмотрены ниже.

В случае диэлектрической изоляции паразитный p-n-p транзистор отсутствует, но ёмкость СКП сохраняется. Она, как уже отмечалось, меньше, чем при изоляции p-n переходом примерно в три раза.

 

Планарно-эпитаксиальный биполярный транзистор







Дата добавления: 2014-11-10; просмотров: 249. Нарушение авторских прав

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2017 год . (0.005 сек.) русская версия | украинская версия