ВОПРОС2. Особенности и физические свойства полупроводниковых материалов.

Пусть функция f непрерывная при х = х_о. В точке (х_о, f (х_о)) существует наклонная, касательная к графику функции f, тогда и только тогда, когда f имеет в точке х_о производную. При этом уравнение касательной имеет вид у = f^/(x_о) (x -x_о) + y_о и, значит, производная в точке х_о равна тангенсу угла наклона касательной к оси ОХ, а дифференциал в точке х_о равен приращению ординаты касательной.

 

ВОПРОС1.Основы зонной теории строения твердого тела.

Зонная теория твёрдого тела — квантовомеханическая теория движения электронов в твёрдом теле.

В соответствии с квантовой механикой свободные электроны могут иметь любую энергию — их энергетический спектр непрерывен. Электроны, принадлежащие изолированным атомам, имеют определённые дискретные значения энергии. В твёрдом теле энергетический спектр электронов существенно иной, он состоит из отдельных разрешённых энергетических зон, разделённых зонами запрещённых энергий.

В основе зонной теории лежат следующие главные приближения^[1]:

1. Твёрдое тело представляет собой идеально периодический кристалл.

2. Равновесные положения узлов кристаллической решётки фиксированы, то есть ядра атомов считаются неподвижными (адиабатическое приближение). Малые колебания атомов вокруг равновесных положений, которые могут быть описаны как фононы, вводятся впоследствии как возмущение электронного энергетического спектра.

3. Многоэлектронная задача сводится к одноэлектронной: воздействие на данный электрон всех остальных описывается некоторым усредненным периодическим полем.

ВОПРОС2. Особенности и физические свойства полупроводниковых материалов.

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ - вещества с чётко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале темп-р, включая комнатную.

Характеризуются значениями уд. электропроводности при T 300 К), промежуточными между уд. электропроводностью металлов и хороших диэлектриков. В отличие от металлов, концентрация подвижных носителей заряда в П. м. значительно ниже концентрации атомов, а электропроводность s возрастает с ростом Т. Для П. м. характерна высокая чувствительность эл--физ. свойств к внеш. воздействиям (нагрев, облучение, деформация и т. д.). а также к содержанию примесей и структурных дефектов. Характеристики важнейших П. м. приведены в табл. 1.

По структуре П. м. делятся на кристаллические, аморфные, жидкие. Ряд органич. веществ также проявляет полупроводниковые свойства и составляет обширную группу органических полупроводников. Наиб. значение имеют неорганич. кристаллич. П. м., к-рые по хим. составу разделяются на элементарные, двойные, тройные и четверные хим. соединения, растворы и сплавы. Полупроводниковые соединения классифицируют по номерам групп периодич. табл. элементов, к к-рым принадлежат входящие в их состав элементы.

Основные группы кристаллических полупроводниковых материалов:

1. Элементарные 2. Соединения типа Имеют в осн. кристаллич. Структуру

3. Соединения элементов.