Статические параметры полевых транзисторов и методы их определения

1) Крутизна хар-ки S – оценивает эффективность управляющего действия затвора. При определении S напряжение стока должно оставаться постоянным. Графически S соответствует наклону касательной к сток-затворной хар-ки в выбранной точке.

2) Внутр. сопротивление R_i – характеризует воздействие напряжения стока на ток стока. При определении R_i напряжение затвора должно оставаться постоянным. Физ. смысл: сопротивление транзистора переменному току. Геометрически R_i определяет наклон стоковой хар-ки.

3) Коэф. усиления m - показывает, во сколько раз напряжение затвора сильнее влияет на ток стока транзистора по сравнению с напряжением стока.

Статические параметры S, R_i и m связываются между собой внутренним уравнением: S×R_i = m

Крутизну хар-ки и внутр. сопротивление можно определить графически по выходным хар-кам:

34. Полная и упрощённая экв. схемы полевого транзистора. Применение полевых транзисторов, достоинства и недостатки.

Полная экв. схема ПТ:

С_ЗИ, С_ЗС – барьерные ёмкости ПТ; R_i – внутр. сопротивление ПТ; r_И, r_С – сопротивления слаболегированного канала; С_СИ – вых. ёмкость ПТ; S – крутизна характеристики.

Упрощённая экв. схема ПТ:

Применение: СИТ – транзисторы со стат. индукцией (Р ~ 100 Вт); элементы инт. схем (технология МОП совместима с интегральной).

Достоинства:

+ оч. большой K_J;

+ на управление J_C тратится малая Р;

+ возможна работа напрямую от интегральных схем;

+ термостабильность параметров;

+ высокая теплоустойчивость;

+ низкий уровень шума;
+ потенциально высокое быстродействие (широкополостность);

+ ­¦ => ¯r_вх GaAs ~ 100 ГГц;

+ обеспечивают равномер. распред-ние J при || соединении => позволяют получить Р_вых £ 100 Вт.

Недостатки:

- чувствительны к статике;

- малая крутизна;

- малый температурный диапазон (Т_раб < Т_раб.БТ).

35. Динамический режим работы транзистора. Схема включения транзистора с нагрузкой. Методы построения нагрузочной прямой. Динамические параметры k_i,k_u, графический и аналитический методы определения.

Динамическим режимом работы транзистора называется такой режим, при котором в выходной цепи стоит нагрузочный резистор, за счёт которого изменение входного тока или напряжения будет вызывать изменение выходного напряжения.

Здесь Rк это коллекторная нагрузка длятранзистора включенного по схеме с ОЭ, обеспечивающая динамический режим работы.

Построение нагрузочной прямой для ПТ:

U_cu=E_c - I_cR_c – ур-ие дин. режима работы тран-тора

(уравнение выходной динамич-ой хар-ки)

Две точки находятся из начальных условий.

1т. При U_cu=0—I_c=E_c / R_c.

2т. При I_c=0—U_cu=E_c

Точка пересечения нагрузочной прямой с одной из ветвей выходной статической характеристикой для заданного тока базы называется рабочей точкой транзистора. Рабочая точка позволяет определять токи и напряжения, реально существующие в схеме.

Rc~0 то μ_g=0

Rc=∞ то μ_g=μ

36. Схемы включения биполярного и полевого транзисторов. Цепи, задающие и стабилизирующие ре­жим работы усилительных элементов.

Схемы включения биполярных транзисторов:

(1) схема с общей ‘Б’	(2) схема с общим ‘Э’	(3) схема с общим ‘K’

 

Схемы включения полевых транзисторов.

полевой транзистор с управл. p-n перех. и каналом р-типа

полевой транзистор с управл. p-n перех. и каналом n-типа

1) Схема с фиксированным током базы. 2) С фиксированным напряжением Б-Э

 

 

3) Схема эмиттерной стабилизации

4) Схема коллекторной стабилизации