ВАХ характеристика

(3.20)

Напряжение пробоя p-n-перехода определяется в основном лавинными процессами размножения носителей заряда в сильном электрическом поле, которое возникает при напряженности В/см. Поэтому для оценочных расчетов можно принимать

. (3.21)

Более точные значения (в вольтах), учитывающие характер p-n-перехода, позволяют найти следующее выражение:

(3.22)

- для резкого перехода

 

- ширина запрещенной зоны полупроводника эВ;

- концентрация примеси в слаболегиро­ванной области, ;

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода описывается выражением

(3.24)

Так как имеем все необходимые значения построим ВАХ:

Рисунок 7

 

Классификация

 

Из посчитанных параметров диода можно судить, что диод является:

- Плоскостным, т.к происходит диффузия фосфора в кремниевую подложку, и сторона кубического кристалла = 1см.

-Кремниевый.

-Выпрямительный.
-Высококочастотный.

 

 

Заключение

В ходе курсовой работы рассмотрели процессы происходящие в полупроводниках и рассмотрели технологию производствадиодов. С помощью программ Maple 11 и CST Studio посчитали основные характеристики электронно-дырочного перехода в кремниевом диоде и получили результаты:

Диффузионная емкость = Ф

Барьерная емкость = Ф

Напряжение пробоя = 18.5В

Ток насыщения = 1.54А

Построили графики зависимости концентрации от глубины залегания p-n перехода, при температуре 1250К,

Вольт-амперную характеристику диода. А также построили трехмерную модель диода в современном твердотельном САПРе