Типы воздействия плазмы на обрабатываемый материал
Воздействие плазменного потока на обрабатываемый материал
В основу работы технологического плазменного оборудования, используемого в настоящее время, могут быть положены различные типы воздействия плазмы на обрабатываемый материал: 1) термическое воздействие плазмы на введенные в реакционный объем материалы и среды; 2) воздействие заряженными частицами высоких энергий (ионами и электронами); 3) воздействие нейтральными возбужденными в плазме химически активными атомами, молекулами и радикалами; 4) воздействие фотонами ультрафиолетового диапазона излучения; 5) комплексное воздействие. Структурно все вышесказанное может быть упрощенно представлено в следующем виде: Рисунок 1.16 – Типы воздействия плазмы на обрабатываемый материал
Каждый из приведенных типов воздействия определяет назначение соответствующего технологического оборудования и процессов: · для очистки поверхности от органических или неорганических загрязнений или пленок; · для осаждения толстых или тонких слоев (нанесения покрытий); · для травления слоев физическим распылением; · для травления слоев плазмохимическим способом; · для резки материалов; · для сварки материалов; · для получения монокристаллов или порошков тугоплавких материалов; · для полимеризации поверхностных слоев и т. д. В разных конкретных видах технологического оборудования может использоваться плазма с различными сильно отличающимися характеристиками и параметрами. Это может быть либо термическая низкотемпературная квазиравновесная плазма с высокой среднемассовой температурой частиц (), либо холодная неравновесная плазма при пониженном давлении с высокой электронной температурой (). Типы воздействия на обрабатываемый материал могут резко отличаться, однако в любом случае инструментом воздействия служит плазма газового электрического разряда либо ее составляющая. Обычно это плазма с контролируемым составом обновляемой газовой среды в замкнутом объеме. Чаще всего для передачи энергии в плазму используются такие виды разрядов, которые не вносят загрязнения конструктивных элементов разрядного устройства. Многие плазменные и ионно-плазменные технологии предполагают использование плазменных потоков с большими скоростями (плазменных струй) с энергией ионов от 10 эВ и выше. Требуемые энергии частиц и скорости плазменного потока для таких плазменных технологий достигаются за счет ускорения образуемой плазмы электрическим полем. Отметим, что ускорение ионов плазмы в соответствующих технологических устройствах (плазменных ускорителях) обусловлено как электрическим или магнитным полем, так и столкновениями с другими частицами, благодаря которым энергия хаотического движения ионов переходит в энергию направленного движения (тепловое или газодинамическое ускорение ионов). Наибольшее значение для плазменных ускорителей имеет электрическое (магнитное) ускорение ионов. Нейтральные же частицы ускоряются под действием одних только столкновений.
|