Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Выходные элементы.





МВУ8 имеет восемь встроенных ВЭ (папки ВЭ №1-№8). Для увеличения числа ВЭ используют модуль расширения, параметры ВЭ которого содержатся в папках ВЭ №9-№16.

Модуль расширения МР1 может быть оснащен ВЭ только дискретного типа.

ВЭ прибора могут быть двух типов:

1. Дискретного (маркировка Р, К, С, Т);

К таким ВЭ относятся реле (маркировка Р), симисторные оптопары (С) и транзисторные ключи (К), выходы для управления твердотельным реле (Т).

1.1. Электромагнитное реле (рис. 10) позволяет подключать нагрузку с максимально допустимым током 4 А при напряжении 220 В. На клеммы прибора выведены сухие контакты реле.

Рис. 10. Схема подключения к ВЭ типа Р.

1.2. Транзисторный ключ (рис. 11) применяется, как правило, для управления низковольтным реле (до 60 В). Во избежание выхода из строя транзистора из-за большого тока самоиндукции параллельно обмотке реле Р1 необходимо уста
навливать диод VD1, рассчитанный на напряжение 100 В и ток 1 А.

Рис. 11. Схема подключения нагрузки к ВЭ типа К.

 

1.3.

 
 

Оптосимистор (симисторная оптопара) включается в цепь управления мощного симистора через ограничивающий резистор R1 по схеме, показанной на рис. 12. Значение сопротивления резистора определяет величину тока управления симистора.

Рис. 12. Схема подключения силового симистора к ВЭ типа С.

 

Оптосимистор может также управлять парой встречно-параллельно включенных тиристоров VS1 и VS2 (рис. 13). Для предотвращения пробоя тиристоров из-за высоковольтных скачков напряжения в сети к их выводам рекомендуется подключать фильтрующую RC-цепочку (R2C1).

Рис. 13. Схема подключения к ВЭ типа С двух тиристоров, подключенных встречно-параллельно
.

 

Оптосимистор имеет встроенное устройство перехода через ноль и поэтому обеспечивает полное открытие подключаемых тиристоров без применения дополнительных устройств.

Транзисторный ключ и оптосимистор имеют гальваническую развязку от схемы прибора.

1.4. Выход Т предназначен для непосредственного управления твердотельным реле. Выход не имеет гальванической развязки. Гальваническая развязка прибора и ИМ осуществляется за счет самого твердотельного реле. Схема подключения к входу Т см. рис. 14

 
 

Рис. 14. Схема подключения к ВЭ типа Т.

 

2. Аналогового (маркировка И, У).

2.1. ЦАП 4...20 мА (маркировка И). Схему подключения см. на рис. 15.

 
 

Рис. 15. Схема подключения нагрузки к ВЭ типа И.

 

Для работы ЦАП 4...20 мА используется внешний источник питания постоянного тока, номинальное значение напряжения Uп которого рассчитывается следующим образом:

Uп.min< Uп< Uп.max,

Uп.min=10 B + 0,02A·Rн,

Uп.max = Uп.min + 2,5 B,

где Uп.min, Uп.max соответственно минимально и максимально допустимое напряжение источника питания, В; Rн – сопротивление нагрузки ЦАП, Ом.

Если напряжение источника питания ЦАП, находящегося в распоряжении пользователя, превышает расчетное значение Uп.max, то последовательно с нагрузкой необходимо включить ограничительный резистор (рис. 15), сопротивление которого Rогр рассчитывается по формулам:

Rогр.min< R< Rогр.max,

Rогр.min = 103·(Uп - Uп.max) / IЦАП.max,

Rогр.max = 103·(Uп - Uп. min) / IЦАП.max,

где Rогр.ном – номинальное значение сопротивления ограничительного резистора, кОм; Rогр.min, Rогр.max – соответственно минимально и максимально допустимые значения сопротивления ограничительного резистора, кОм; IЦАП. max – максимальный выходной ток ЦАП, мА.

ВНИМАНИЕ! Напряжение источника питания ЦАП Uп не должно быть более 36 В.

2.2. ЦАП 0...10 В (маркировка У). Схему подключения см. на рис. 16.


Рис. 16. Схема подключения нагрузки к ВЭ типа У.

 

Для работы ЦАП 0...10 В используется внешний источник питания постоянного тока, номинальное значение напряжения которого лежит в диапазоне от 15 до 32 В.

ВНИМАНИЕ! Напряжение источника питания ЦАП 0÷10 В не должно быть более 36 В. Выходной элемент рассчитан на резистивную нагрузку не менее 2 кОм.

ВЭ имеют два параметра:

1. Тип выходного элемента (параметр POUt) – определяет тип ВЭ. Работает в режиме «только чтение»;

2. Период ШИМ при управлении ВЭ из сети (параметр THPD) – используется только в режиме непосредственного управления. Задаётся в секундах.

В режиме интеллектуального управления значения параметров ВЭ не задаются.







Дата добавления: 2015-08-17; просмотров: 581. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...


Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...


Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...


Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...

Педагогическая структура процесса социализации Характеризуя социализацию как педагогический процессе, следует рассмотреть ее основные компоненты: цель, содержание, средства, функции субъекта и объекта...

Типовые ситуационные задачи. Задача 1. Больной К., 38 лет, шахтер по профессии, во время планового медицинского осмотра предъявил жалобы на появление одышки при значительной физической   Задача 1. Больной К., 38 лет, шахтер по профессии, во время планового медицинского осмотра предъявил жалобы на появление одышки при значительной физической нагрузке. Из медицинской книжки установлено, что он страдает врожденным пороком сердца....

Типовые ситуационные задачи. Задача 1.У больного А., 20 лет, с детства отмечается повышенное АД, уровень которого в настоящее время составляет 180-200/110-120 мм рт Задача 1.У больного А., 20 лет, с детства отмечается повышенное АД, уровень которого в настоящее время составляет 180-200/110-120 мм рт. ст. Влияние психоэмоциональных факторов отсутствует. Колебаний АД практически нет. Головной боли нет. Нормализовать...

Броматометрия и бромометрия Броматометрический метод основан на окислении вос­становителей броматом калия в кислой среде...

Метод Фольгарда (роданометрия или тиоцианатометрия) Метод Фольгарда основан на применении в качестве осадителя титрованного раствора, содержащего роданид-ионы SCN...

Потенциометрия. Потенциометрическое определение рН растворов Потенциометрия - это электрохимический метод иссле­дования и анализа веществ, основанный на зависимости равновесного электродного потенциала Е от активности (концентрации) определяемого вещества в исследуемом рас­творе...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2025 год . (0.008 сек.) русская версия | украинская версия