Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Выходные элементы.





МВУ8 имеет восемь встроенных ВЭ (папки ВЭ №1-№8). Для увеличения числа ВЭ используют модуль расширения, параметры ВЭ которого содержатся в папках ВЭ №9-№16.

Модуль расширения МР1 может быть оснащен ВЭ только дискретного типа.

ВЭ прибора могут быть двух типов:

1. Дискретного (маркировка Р, К, С, Т);

К таким ВЭ относятся реле (маркировка Р), симисторные оптопары (С) и транзисторные ключи (К), выходы для управления твердотельным реле (Т).

1.1. Электромагнитное реле (рис. 10) позволяет подключать нагрузку с максимально допустимым током 4 А при напряжении 220 В. На клеммы прибора выведены сухие контакты реле.

Рис. 10. Схема подключения к ВЭ типа Р.

1.2. Транзисторный ключ (рис. 11) применяется, как правило, для управления низковольтным реле (до 60 В). Во избежание выхода из строя транзистора из-за большого тока самоиндукции параллельно обмотке реле Р1 необходимо уста
навливать диод VD1, рассчитанный на напряжение 100 В и ток 1 А.

Рис. 11. Схема подключения нагрузки к ВЭ типа К.

 

1.3.

 
 

Оптосимистор (симисторная оптопара) включается в цепь управления мощного симистора через ограничивающий резистор R1 по схеме, показанной на рис. 12. Значение сопротивления резистора определяет величину тока управления симистора.

Рис. 12. Схема подключения силового симистора к ВЭ типа С.

 

Оптосимистор может также управлять парой встречно-параллельно включенных тиристоров VS1 и VS2 (рис. 13). Для предотвращения пробоя тиристоров из-за высоковольтных скачков напряжения в сети к их выводам рекомендуется подключать фильтрующую RC-цепочку (R2C1).

Рис. 13. Схема подключения к ВЭ типа С двух тиристоров, подключенных встречно-параллельно
.

 

Оптосимистор имеет встроенное устройство перехода через ноль и поэтому обеспечивает полное открытие подключаемых тиристоров без применения дополнительных устройств.

Транзисторный ключ и оптосимистор имеют гальваническую развязку от схемы прибора.

1.4. Выход Т предназначен для непосредственного управления твердотельным реле. Выход не имеет гальванической развязки. Гальваническая развязка прибора и ИМ осуществляется за счет самого твердотельного реле. Схема подключения к входу Т см. рис. 14

 
 

Рис. 14. Схема подключения к ВЭ типа Т.

 

2. Аналогового (маркировка И, У).

2.1. ЦАП 4...20 мА (маркировка И). Схему подключения см. на рис. 15.

 
 

Рис. 15. Схема подключения нагрузки к ВЭ типа И.

 

Для работы ЦАП 4...20 мА используется внешний источник питания постоянного тока, номинальное значение напряжения Uп которого рассчитывается следующим образом:

Uп.min< Uп< Uп.max,

Uп.min=10 B + 0,02A·Rн,

Uп.max = Uп.min + 2,5 B,

где Uп.min, Uп.max соответственно минимально и максимально допустимое напряжение источника питания, В; Rн – сопротивление нагрузки ЦАП, Ом.

Если напряжение источника питания ЦАП, находящегося в распоряжении пользователя, превышает расчетное значение Uп.max, то последовательно с нагрузкой необходимо включить ограничительный резистор (рис. 15), сопротивление которого Rогр рассчитывается по формулам:

Rогр.min< R< Rогр.max,

Rогр.min = 103·(Uп - Uп.max) / IЦАП.max,

Rогр.max = 103·(Uп - Uп. min) / IЦАП.max,

где Rогр.ном – номинальное значение сопротивления ограничительного резистора, кОм; Rогр.min, Rогр.max – соответственно минимально и максимально допустимые значения сопротивления ограничительного резистора, кОм; IЦАП. max – максимальный выходной ток ЦАП, мА.

ВНИМАНИЕ! Напряжение источника питания ЦАП Uп не должно быть более 36 В.

2.2. ЦАП 0...10 В (маркировка У). Схему подключения см. на рис. 16.


Рис. 16. Схема подключения нагрузки к ВЭ типа У.

 

Для работы ЦАП 0...10 В используется внешний источник питания постоянного тока, номинальное значение напряжения которого лежит в диапазоне от 15 до 32 В.

ВНИМАНИЕ! Напряжение источника питания ЦАП 0÷10 В не должно быть более 36 В. Выходной элемент рассчитан на резистивную нагрузку не менее 2 кОм.

ВЭ имеют два параметра:

1. Тип выходного элемента (параметр POUt) – определяет тип ВЭ. Работает в режиме «только чтение»;

2. Период ШИМ при управлении ВЭ из сети (параметр THPD) – используется только в режиме непосредственного управления. Задаётся в секундах.

В режиме интеллектуального управления значения параметров ВЭ не задаются.







Дата добавления: 2015-08-17; просмотров: 581. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Практические расчеты на срез и смятие При изучении темы обратите внимание на основные расчетные предпосылки и условности расчета...


Функция спроса населения на данный товар Функция спроса населения на данный товар: Qd=7-Р. Функция предложения: Qs= -5+2Р,где...


Аальтернативная стоимость. Кривая производственных возможностей В экономике Буридании есть 100 ед. труда с производительностью 4 м ткани или 2 кг мяса...


Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...

Основные структурные физиотерапевтические подразделения Физиотерапевтическое подразделение является одним из структурных подразделений лечебно-профилактического учреждения, которое предназначено для оказания физиотерапевтической помощи...

Почему важны муниципальные выборы? Туристическая фирма оставляет за собой право, в случае причин непреодолимого характера, вносить некоторые изменения в программу тура без уменьшения общего объема и качества услуг, в том числе предоставлять замену отеля на равнозначный...

Тема 2: Анатомо-топографическое строение полостей зубов верхней и нижней челюстей. Полость зуба — это сложная система разветвлений, имеющая разнообразную конфигурацию...

Краткая психологическая характеристика возрастных периодов.Первый критический период развития ребенка — период новорожденности Психоаналитики говорят, что это первая травма, которую переживает ребенок, и она настолько сильна, что вся последую­щая жизнь проходит под знаком этой травмы...

РЕВМАТИЧЕСКИЕ БОЛЕЗНИ Ревматические болезни(или диффузные болезни соединительно ткани(ДБСТ))— это группа заболеваний, характеризующихся первичным системным поражением соединительной ткани в связи с нарушением иммунного гомеостаза...

Решение Постоянные издержки (FC) не зависят от изменения объёма производства, существуют постоянно...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2025 год . (0.013 сек.) русская версия | украинская версия