Выходные элементы.
МВУ8 имеет восемь встроенных ВЭ (папки ВЭ №1-№8). Для увеличения числа ВЭ используют модуль расширения, параметры ВЭ которого содержатся в папках ВЭ №9-№16. Модуль расширения МР1 может быть оснащен ВЭ только дискретного типа. ВЭ прибора могут быть двух типов: 1. Дискретного (маркировка Р, К, С, Т); К таким ВЭ относятся реле (маркировка Р), симисторные оптопары (С) и транзисторные ключи (К), выходы для управления твердотельным реле (Т). 1.1. Электромагнитное реле (рис. 10) позволяет подключать нагрузку с максимально допустимым током 4 А при напряжении 220 В. На клеммы прибора выведены сухие контакты реле. Рис. 10. Схема подключения к ВЭ типа Р. 1.2. Транзисторный ключ (рис. 11) применяется, как правило, для управления низковольтным реле (до 60 В). Во избежание выхода из строя транзистора из-за большого тока самоиндукции параллельно обмотке реле Р1 необходимо уста Рис. 11. Схема подключения нагрузки к ВЭ типа К.
1.3. Оптосимистор (симисторная оптопара) включается в цепь управления мощного симистора через ограничивающий резистор R1 по схеме, показанной на рис. 12. Значение сопротивления резистора определяет величину тока управления симистора. Рис. 12. Схема подключения силового симистора к ВЭ типа С.
Оптосимистор может также управлять парой встречно-параллельно включенных тиристоров VS1 и VS2 (рис. 13). Для предотвращения пробоя тиристоров из-за высоковольтных скачков напряжения в сети к их выводам рекомендуется подключать фильтрующую RC-цепочку (R2C1). Рис. 13. Схема подключения к ВЭ типа С двух тиристоров, подключенных встречно-параллельно
Оптосимистор имеет встроенное устройство перехода через ноль и поэтому обеспечивает полное открытие подключаемых тиристоров без применения дополнительных устройств. Транзисторный ключ и оптосимистор имеют гальваническую развязку от схемы прибора. 1.4. Выход Т предназначен для непосредственного управления твердотельным реле. Выход не имеет гальванической развязки. Гальваническая развязка прибора и ИМ осуществляется за счет самого твердотельного реле. Схема подключения к входу Т см. рис. 14 Рис. 14. Схема подключения к ВЭ типа Т.
2. Аналогового (маркировка И, У). 2.1. ЦАП 4...20 мА (маркировка И). Схему подключения см. на рис. 15. Рис. 15. Схема подключения нагрузки к ВЭ типа И.
Для работы ЦАП 4...20 мА используется внешний источник питания постоянного тока, номинальное значение напряжения Uп которого рассчитывается следующим образом: Uп.min< Uп< Uп.max, Uп.min=10 B + 0,02A·Rн, Uп.max = Uп.min + 2,5 B, где Uп.min, Uп.max – соответственно минимально и максимально допустимое напряжение источника питания, В; Rн – сопротивление нагрузки ЦАП, Ом. Если напряжение источника питания ЦАП, находящегося в распоряжении пользователя, превышает расчетное значение Uп.max, то последовательно с нагрузкой необходимо включить ограничительный резистор (рис. 15), сопротивление которого Rогр рассчитывается по формулам: Rогр.min< R< Rогр.max, Rогр.min = 103·(Uп - Uп.max) / IЦАП.max, Rогр.max = 103·(Uп - Uп. min) / IЦАП.max, где Rогр.ном – номинальное значение сопротивления ограничительного резистора, кОм; Rогр.min, Rогр.max – соответственно минимально и максимально допустимые значения сопротивления ограничительного резистора, кОм; IЦАП. max – максимальный выходной ток ЦАП, мА. ВНИМАНИЕ! Напряжение источника питания ЦАП Uп не должно быть более 36 В. 2.2. ЦАП 0...10 В (маркировка У). Схему подключения см. на рис. 16.
Для работы ЦАП 0...10 В используется внешний источник питания постоянного тока, номинальное значение напряжения которого лежит в диапазоне от 15 до 32 В. ВНИМАНИЕ! Напряжение источника питания ЦАП 0÷10 В не должно быть более 36 В. Выходной элемент рассчитан на резистивную нагрузку не менее 2 кОм. ВЭ имеют два параметра: 1. Тип выходного элемента (параметр POUt) – определяет тип ВЭ. Работает в режиме «только чтение»; 2. Период ШИМ при управлении ВЭ из сети (параметр THPD) – используется только в режиме непосредственного управления. Задаётся в секундах. В режиме интеллектуального управления значения параметров ВЭ не задаются.
|