Постановка задачи и параметры математической модели

Долгое время, этот термин не был применим к ЦП. Однако, компания AMD в своём новом поколении процессоров К8 взяла да и встроила контроллёр памяти в процессор. Как уже неоднократно повторялось, ЦП всё время работает с ОЗУ. И скорость его работы с оперативной памятью - это важнейший параметр на пути обеспечения высокой производительности. Раннее, существовала такая схема работы ЦП с ОЗУ: "Процессор - Чипсет - ОЗУ". Этот путь решили сократить и "перенесли" контроллёр памяти из чипсета - в ЦП. Тем самым схема упростилась до "Процессор - ОЗУ". Intel придерживается традиционной схемы, в которой участвует чипсет. По крайней мере, пока придерживается. Поэтому надо сказать пару слов о процессорах AMD. На данный момент, существует две актуальных платформы для AMD. Это - Socket 754 и Socket 939. Процессоры под эти платформы не отличаются архитектурно, но имеют отличие в виде разного контроллёра памяти: у Соккет 939 - двухканальный контроллёр, а у 754 - одноканальный. Т.е. при условии использования двух планок памяти, система на С939 будет показывать пиковую пропускную способность памяти в два раза больше, чем на 754 (при прочих равных). Но не стоит так пугаться систем с одноканальным контроллёром памяти: для процессоров К8 разница в производительности составляет менее 10%. Дело в том, что скорость работы с памятью более зависит от её латентности (в современных условиях), чем от ПСП (ПСП - Пиковая Пропускная Способность), но это уже совсем другая тема.

Эту статью вы можете прокомментировать в специально созданной ветке конференции:http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?t=141069

 

Круглые пластины. Моментная теория

Постановка задачи и параметры математической модели

Задачу удобно решать в цилиндрических координатах, направив ось z по нормали к срединной поверхности, ось r –по радиусу, поместив начало координат в центре пластины. Перемещение по нормали к срединной поверхности –w(r), Гипотеза Бернулли здесь формулируется так: нормаль к срединной поверхности остается прямой. Угол поворота нормали в радиальной плоскости – θ(r). Нагрузка симметрична относительно оси пластины – q_z(r)=p(r). Напряжения по нормали к срединной поверхности малы (порядка давления p) и ими можно пренебречь.

Примеры – плоское днище цилиндрического сосуда или резервуара, толстая мембрана, цилиндрические упругие элементы, клапана.

Параметры задачи:

- w(r), перемещение срединной поверхности по оси z;

- θ(r), угол поворота нормали в радиальной плоскости;

- , давление на пластину;

- Q(r), поперечная сила в радиальной плоскости на единицу длины дуги;

- , изгибающий момент в радиальной плоскости на единицу длины дуги;

- , изгибающий момент в тангенциальной плоскости (касательной к окружности радиусом r) на единицу длины дуги;

- , нормальное напряжение в радиальной плоскости;

- , нормальное напряжение в тангенциальной плоскости;

- , линейная деформация в радиальной плоскости;

- , линейная деформация в тангенциальной плоскости.

В перечне отсутствуют касательные напряжения и поперечные силы в тангенциальной плоскости, так как отсутствуют угловые деформации вследствие симметрии задачи. Касательными напряжениями в радиальной плоскости пренебрегаем как малыми в сравнении с нормальными напряжениями (как и в стержнях).

Срединную поверхность считаем не растяжимой. Граничные условия обеспечивают свободу перемещений в радиальном направлении.

Все необходимые иллюстрации приведены на рисунке.