Студопедия — Структурная схема управления инициализацией и подсветкой
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Структурная схема управления инициализацией и подсветкой






В блоке логики контроллер сканирования тактирует как про­цессор обработки данных, так и преобразователь данных, и фор­мирует сигналы сканирования, поступающие на входы Х-платы и Y-платы (см. рис. 4.3).

Функциональный состав Х-платы приведен на рис. 4.4. Им­пульсный характер сигнала X создают с помощью накопительно­го конденсатора, напряжение на обкладках которого использу­ют для формирования напряжений смещения, подсветки и упра­вления ключами.

Подобным Х-плате является функциональный состав Y-платы (рис. 4.5). Кроме импульсных сигналов подсветки, эта плата вы­рабатывает еще сигналы сброса и сканирования.

Форма и амплитуды сигналов сброса, адресации и подсвет­ки, поступающие на эпектроды X и Y nриведены на рис. 4.6.

Рис.4.6

Как уже отмечалось, при отображении информации работа плазменной панели во времени происходит циклами, в течение которых на электроды подаются импульсные сигналы опреде­ленной амплитуды и формы.

Особенность плазменной панели заключается в ее достаточ­но больших геометрических размерах, следствием чего является рост длины электродов всех типов и появление заметных распре­деленных паразитных емкостей между ними. В свою очередь, паразитные емкости за счет явлений зарядки/перезарядки ока­зывают влияние на форму и амплитуды электродных импульсов.

 


 


Если рассмотреть неболь­шой фрагмент передней стеклян­ной пластины панели с электро­дами X и Y на нем (рис. 4.7), то можно предположить возникно­вение паразитной межэлектрод­ной емкости с обкладками в виде боковых поверхностей электро­дов и их площади (за счет суще­ствования краевого эффекта си­ловых линий электрического по-

ля, проходящих между электродами через толщу стекла).

Управляющие сигналы сканирования и подсветки поступают на электроды через МОП-ключи, в результате чего образуется цепь, эквивалентная схема которой представлена на рис. 4.8.

Высокие амплитуды напряжений импульсов приводят при за­рядке/разрядке паразитной емкости Cs к протеканию через за­мкнутые ключи значительных токов. Учитывая наличие ненуле­вого внутреннего электрического сопротивления транзисторных ключей в замкнутом состоянии, токи коммутации вызывают ин­тенсивный нагрев транзисторов (рис. 4.9).

В настоящее время известны несколько способов снижения тепловой нагрузки ключей. Схема реализации одного из них представлена на рис. 4.10. В схему включены катушки индук­тивности Ц и /_2, которые вместе с конденсаторами С* и Су образуют два последовательных колебательных контура. Пара­метры контуров подобраны таким образом, что совместно с за­щитными диодами, включенными между МОП ключами, позво­ляют осуществить регенерацию энергии разрядки/перезарядки паразитной емкости Cs.

 

 

 

На рис. 4.11 изображен положительный импульс подсветки амплитудой Vs и интервалы коммутации МОП-ключей. Первый интервал характеризуется ростом напряжения подсветки и со­ответствует зарядке паразитной емкости по маршруту, показан­ному на рис. 4.12. Благодаря резонансу в последовательном колебательном контуре ЦСуС ток плавно нарастает и спадает. В окрестности максимальной амплитуды напряжения подсветки выпрямительные диоды обрывают плавное нарастание напряже­ния, ток зарядки прекращается, и возникает всплеск.

В период действия напряжения подсветки (интервал 2) про­исходит дополнительная зарядка емкости С той же полярности (рис. 4.13).При снижении положительного напряжения под-

 

 


 

светки происходит резонансная разрядка паразитной емкости по маршруту, показанному на рис. 4.14. В течение интервала 4 МОП-ключи замыкают паразитную емкость накоротко (рис. 4.15), снимая ее остаточный заряд.

При действии импульса подсветки отрицательной полярно­сти направления токов зарядки и разрядки паразитной емкости изменяются на противоположные, и последовательность явлений повторяется, но с использованием резонансной цепи L2CxC.







Дата добавления: 2015-08-30; просмотров: 716. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...

Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...

Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...

Тема 5. Организационная структура управления гостиницей 1. Виды организационно – управленческих структур. 2. Организационно – управленческая структура современного ТГК...

Методы прогнозирования национальной экономики, их особенности, классификация В настоящее время по оценке специалистов насчитывается свыше 150 различных методов прогнозирования, но на практике, в качестве основных используется около 20 методов...

Методы анализа финансово-хозяйственной деятельности предприятия   Содержанием анализа финансово-хозяйственной деятельности предприятия является глубокое и всестороннее изучение экономической информации о функционировании анализируемого субъекта хозяйствования с целью принятия оптимальных управленческих...

Условия, необходимые для появления жизни История жизни и история Земли неотделимы друг от друга, так как именно в процессах развития нашей планеты как космического тела закладывались определенные физические и химические условия, необходимые для появления и развития жизни...

Метод архитекторов Этот метод является наиболее часто используемым и может применяться в трех модификациях: способ с двумя точками схода, способ с одной точкой схода, способ вертикальной плоскости и опущенного плана...

Примеры задач для самостоятельного решения. 1.Спрос и предложение на обеды в студенческой столовой описываются уравнениями: QD = 2400 – 100P; QS = 1000 + 250P   1.Спрос и предложение на обеды в студенческой столовой описываются уравнениями: QD = 2400 – 100P; QS = 1000 + 250P...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.009 сек.) русская версия | украинская версия