Диагностические признаки типовых неисправностейОпуская полный список всех возможных неисправностей, с достаточно высокой вероятностью можно утверждать, что чаще всего имеет место выход из строя Y-платы, выполняющей сложные функции в напряженном тепловом и электрическом режимах. Для понимания принципа работы этой платы рассмотрим более подробно ее устройство и работу на примере Y-платы плазменной панели фирмы Fujitsu модели PDS 4208. В Y-плате формируется последовательность мощных исполнительных импульсных сигналов SU и SD специальной формы, вызывающих свечение верхней (SU) и нижней (SD) частей панели и создание изображения. Эти сигналы поступают на сканирующие электроды Y плазменной панели через коммутаторы, расположенные на шлейфах панели. Как импульсные сигналы SU и SD, так. и сигналы управления коммутаторами формируются под воздействием импульсов, поступающих с платы управления (рис. 5.1), которые и определяют всю временную диаграмму работы Y-платы Для обеспечения работоспособности Y-платы от источника питания на нее поступают напряжения питания Vs = 175 В, Ve = = 16 В, Vsc = -45 В, Vy = -165 В, Vcc = 5 В. Внешний вид Y-платы в собранном виде показан на рис. 5.2,а. На рис. 5.2,6 приведен вид той же платы со снятыми модулями М18 и М19. Каждый цикл формирования изображения содержит интервалы сброса, адресации и подсветки. На осциллограммах первых циклах работы Y – и X плат (рис 5.3.В), снятых через 10с.
после включения плазменной панели, видны основные интервалы процесса формирования подполей изображения, а именно: 1 — сброс (инициализация), 2 — адресация; 3 — подсветка. Всего плазменная панель содержит 480 строк. В Y-плате имеются два симметричных канала EDOY (модуль 19) и ODOY (модуль 18), каждый из которых «обслуживает» соответственно четную и нечетную половину строк. Строки одного канала расположены через строки другого канала. Контрольные точки сигналов управления на плате, относя-
щиеся к каналу EDOY, имеют маркировку 1, а к каналу ODOY — 2. В каждом канале имеется модуль, формирующий импульсы подсветки. Полная схема модуля М18 изображена на рис. 5.4. Рассмотрим работу схемы на примере канала ODOY (модуля М18). Упрощенная схема канала показана на рис. 5.5. Обозначенные на ней электронные ключи SW21-SW26 показаны на полной схеме и составлены из включенных параллельно транзисторов: VT1-VT4 (SW21); VT10-VT13 (SW22); VT5 и VT6 (SW23); VT7 и VT8 (SW24); VT23 и VT14-VT17 (SW25); из одного транзистора VT9 (SW26). Ключ SW1 является общим для обоих модулей и состоит из одного транзистора VT24. При включении питания замыкается ключ SW1 и соединенные параллельно конденсаторы С47 и С48 заряжаются до уровня примерно 120 В. В дальнейшем этот ключ размыкается и в процессе работы напряжение на конденсаторах С47 и С48 поддерживается на уровне 80 В за счет зарядки/разрядки при формирования фронтов и срезов импульсов подсветки, которое является контрольным для схемы защиты, показанной на рис. 5.6. Для формирования фронта импульса подсветки сигналом Ш замыкается ключ SW24 и емкость панели Спан. (см. рис. 5.5) заряжается напряжением конденсаторов С47 и С48 через дроссель L1. Емкость панели Спан. и индуктивность дросселя L1 образуют колебательный контур и нарастание напряжения на емкости панели представляет собой начало колебательного процесса, используемого для формирования фронта импульса. Для предотвращения осцилляции на плоской вершине формируемого импульса подсветки через ключ SW22, который включается сигналом CU (длительностью около 1 мкс) с некоторой задержкой относительно сигнала Ш, к емкости панели Спан. подключается источник питания VS (175 В). После этого ключ SW24 размыкается и формируется вершина импульса подсветки. Остальные ключи в этот момент разомкнуты. Формирование среза импульса подсветки начинается размыканием ключа SW23 сигналом LD. При этом возбуждается другой колебательный контур, состоящий из емкости панели Спан. и индуктивности дросселя L2. Одновременно с этим замыкается ключ SW26 для снятия заряда с цепи формирования среза. С некоторой задержкой замыкается ключ SW1 (сигналом CD) для формирования нижней полки импульса. Процесс формирования импульсов подсветки иллюстрируется осциллограммами рис. 5.7,а (формирование фронта и вершины) и осциллограммами рис. 5.7,6 (формирование среза и нижней полки импульса). Из осциллограмм следует, что формируемые фронты имеют некоторую задержку по отношению к управляющим импульсам. Это объясняется невысоким быстродействием ключей. Для создания каждого из 8 или 12 подполей изображения необходимы пачки импульсов подсветки отличающейся длитель- ности. Ключ SW25 замыкается на все время формирования пачки импульсов отдельным стробом, равным длительности каждой пачки. Одновременно на Х-электроды также поступают импульсы подсветки с Х-платы, которые по форме аналогичны импульсам Y-платы, но находятся с ними в противофазе. Схемотехника модулей Х- и Y-плат одинакова. В период адресации на Y-электроды панели через. ключ SW25 подается сигнал SU с уровнем 175 В. Сигнал подается через электронный коммутатор, расположенный на шлейфе панели. Коммутатор осуществляет перебор строк. На рис. 5.8 приведена схема формирования импульсных сигналов SU и SD. Отрицательный импульс адресации формируется транзисторными ключами VT7 и VT1, включенными по каскодной схеме и подсоединенными к источнику отрицательного напряжения VY (— 175 В). Положительная часть импульсного сигнала сброса (фазы подготовки) SD формируется подключением источника VS (175 В) транзисторным ключом VT17 через четыре
впадает с импульсами EDOYSU и ODOYSU, будучи подключены к ним через диоды, расположенные в коммутаторах на шлейфах панели (рис. 5.9). Отрицательная двухступенчатая часть сигнала ODOYSD формируется транзисторными ключами: ключ VT18 подсоединяет источник VY (—175 В), а ключ VT16 подсоединяет источник VSC (-45 В). Отрицательная часть сигнала EDOYSD имеет более сложную форму. Сначала транзисторный ключ VT18 подключает к точке EDOYSD источник VY (-175 В). Затем на половину интервала адресации транзисторный ключ VT24 замыкает эту точку на корпус (на нулевой потенциал), а вторую половину этого интервала ключом VT2 подключает к источнику VSC (-45 В). Форма импульсов EDOYSD и ODOYSD показана на осциллограммах рис. 5.3,6. На них отмечены части суммарного сигнала, формируемые ключами VT17, VT18, VT16 и VT24. Управление мощными ключами осуществляется микросхемой IR2110S, структурная схема которой приведена на рис. 5.10.
Рассмотрим сигналы управления транзистором VT17 (см. рис. 5.10), сток которого подключен к источнику VS (+175 В). До тех пор пока напряжение на истоке транзистора VT17 равно нулю, конденсатор С18 заряжается от источника VE через резистор R27 и диод VD34 до уровня 16 В. При поступлении управляющего импульсного сигнала на вывод 12 микросхемы Мб конденсатор С18 подключается к затвору транзистора и открывает его. В результате на истоке транзистора формируется импульс амплитудой +175 В (рис. 5.11). Рассмотрим работу транзисторных коммутаторов, расположенных на шлейфах панели. В интервале сброса (подготовки) и интервале подсветки на все электроды сканирования панели одновременно подается сигнал SD, а в интервале адресации происходит перебор сканирующих электродов с подачей на них импульсных сигналов SU. Питание и управление коммутаторами осуществляется отдельно для каждого канала относительно цепей ODOYSU и EDOYSU. На рис. 5.12 показан фрагмент схемы, содержащий источник питания +5 В и схему управления коммутаторами, а также условно показан один из ключей коммутатора. Ключ VT21 замыкается на тот промежуток времени, когда потенциал цепи DOYSU больше нуля и конденсатор С59 заряжается через диод VD25 и резистор R69 от источника VE (+16 В). Напряжение с конденсатора С59 поступает на стабилизатор напряжения М307 (178М05) с уровнем стабилизации 5 В. Импульсные сигналы управления YCTS1 и YDATA1 (рис. 5.13) поступают на микросхему М305 (LVC240A) через оптопары М301 и М302. Микросхема М305 формирует сигналы управления коммутатором FTSC2, FYDATA2 и FCLK2.
Некоторые причины возникновения типовых неисправностей Одной из наиболее вероятных причин отсутствия изображения при включении панели являются неисправности в платах X или Y. Диагностика неработоспособности плат начинается с проверки формы осциллограмм сигналов VP каждого модуля. На рис. 5.14 показаны осциллограммы исправной панели,
а на рис. 5.15 — осциллограммы панели, в которой неисправен канал ODOYSD. На следующем шаге диагностирования следует проверить модуль в неисправном канале по карте электрических сопротивлений, приведенной в табл. 5.1. Проверку электрических сопротивлений осуществляют цифровым мультиметром в режиме диодной прозвонки. При отклонении результатов измерений от указанных в таблице более чем на ±15 % следует заменить неисправный модуль. Если отличий не обнаружено, то необходимо проверить форму и амплитуды сигналов SU и SD и сравнить их с осциллограммами, приведенными на рис. 5.3,а и б. При пробое транзисторных ключей SW1 или SW2 наруша С целью предохранения от возможного пробоя в будущем, при поступлении в ремонт панелей, в которых подобная неисправность еще не возникла, необходимо сделать доработку, установив защитные диоды между цепями ODOYSU и ODOYSD параллельно диодам
Таблица 5.1 Карта электрических сопротивлений исправных модулей Y-платы, Ом: режим 1 — измерено «минусовым» щупом относительно цепи VC; режим 2 — измерено «плюсовым» щупом относительно цепи «корпус»; режим 3 — измерено «минусовым» щупом относительно цепи «корпус» коммутаторов, как показано пунктиром на рис. 5.8. Диоды должны быть высоковольтными (UO6P > 600 В), допускать прямой ток Iпр > 2 А при времени восстановления 7"раС(ВОСТ) не более 75 не. В последних модификациях панели некоторых изготовителей защитные диоды уже вмонтированы, так что перед тем как их устанавливать, необходимо убедиться в их отсутствии на плате.
|