Переходные и частотные характеристики транзистора(сх. с общим Э)

Инерционность транзистора определяется следующими параметрами:1)пролет инжектированных носителей через базу. 2)перезаряд барьерных емкостей эмиттерного и коллекторного перехода. 3)установление необходимых концентраций.

Дырки попадают в базу и начинают двигаться в результате диффузии к коллектору.

a-коэффициент передачи эмиттерного тока. Связь между током эмиттера и током коллектора нелинейна=> a-нелинейная функция(зависит от времени)

Определим амплитудную и частотную характеристику. С общей базой.

Большой коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером достигается за счет ухудшения его частотных свойств. Это существенный недостаток схемы с общим эмиттером.

Определим частоту когда b становится равным 1. Эта частота называется предельной.

 

 

27. Полевые транзисторы.

Это п.п приборы управление токов в которых осуществляется изменением проводимости токопроводящего канала при воздействии на канал поперечного электрич. Поля. Рабочий ток в полевых транзисторах создается основными носителями только одного знака, поэтому такие транзисторы называются униполярными. Ток в канале создается в результате дрейфового движения основных носителей заряда, вызванного продольным электрич полем. Электрод от которого уходят носители в канал называется истоком. А электрод который принимаетносители-стоком. Исток и сток имеют один и тот же вид электро проводности. Управляющее (поперечное) эл поле создается с помощью электрода называемого затвором. Существуют следующие разновидности:

1)с изолированным затвором 2)с затвором на основе эл перехода(с управляющим переходом.

1) Металлич. затвор изолирован от канала тонким слоем диэлектрика поэтому транзисторвыназываются МДП-транзисторами. Они делятся на транзисторы со встроенным каналом и с индуцированным каналом.

а)встроенный канал образуется технологическим путем. б) индуцированный канал появляется(индуцируется) при подаче на затвор напряжения определенной полярности и величины.

2)с управляющим переходом делятся на транзисторы с p-n переходом и с переходом Ме-п.п.

Полевые транзисторы с управляющим переходом с n-каналом и p-каналом

со встроенным каналом.

с индуцированным каналом.

В МДП-транзисторах со встроенным каналом и в полевых транзисторах с управляющим переходом канал присутствует всегда. Эти транзисторы называют транзисторами обедненного типа. Полевой транзистор с индуцированным каналом-транзистор обогащенного типа. Канал появляется когда область обогащается носителями заряда.